A simple solution-based approach fo

A simple solution-based approach for depositing CIGS (Cu–In–Ga–Se/S) absorber layers is discussed, with an
emphasis onfilm characterization, interfacial properties and integration into photovoltaic devices. The process
involves incorporating all metal and chalcogenide components into a single hydrazine-based solution, spin
coating a precursor film, and heat treating in an inert atmosphere, to form the desired CIGS film with up to
micron-scaled film thickness and grain size. PV devices (glass/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ITO) employing the spincoated CIGS and using processing temperatures below 500 °C have yielded power conversion efficiencies of up
to 10% (AM 1.5 illumination), without the need for a post-CIGS-deposition treatment in a gaseous Se source or a
cyanide-based bath etch. Short-duration low-temperature (Tb200 °C) oxygen treatment of completed devices
is shown to have a positive impact on the performance of initially underperforming cells, thereby enabling
better performance in devices prepared at temperatures below 500 °C.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

วิธีการแก้ปัญหาที่ใช้ง่ายในการฝาก CIGS (Cu-In-Ga-SE / S) ชั้นโช้คจะกล่าวถึงมี
ความสำคัญกับตัวละคร Fi LM คุณสมบัติ interfacial และบูรณาการเข้าไปในอุปกรณ์ไฟฟ้าโซลาร์เซลล์ กระบวนการ
ที่เกี่ยวข้องกับการผสมผสานโลหะและ chalcogenide ส่วนประกอบทั้งหมดลงในสารละลายไฮดราซีนตามเดียวหมุน
เคลือบสารตั้งต้น Fi LM และรักษาความร้อนในบรรยากาศเฉื่อยแบบ CIGS Fi LM ต้องการที่มีมากถึง
ไมครอนปรับขนาดความหนา Fi LM และขนาดของเมล็ดข้าว อุปกรณ์ PV (แก้ว / เดือน / บุหรี่ / ซีดี / I-ZnO / ITO) จ้าง CIGS spincoated และใช้อุณหภูมิในการประมวลผลต่ำกว่า 500 องศาเซลเซียสมีผลการแปลงพลังงาน EF Fi ciencies สูงสุด
ถึง 10% (AM 1.5 ส่องสว่าง) โดยไม่จำเป็นต้องเป็น โพสต์ CIGS-ปลดออกจากการรักษาในแหล่งก๊าซ Se หรือ
ไซยาไนด์ตามจำหลักอาบน้ำ ในระยะเวลาสั้นรักษาอุณหภูมิต่ำ (Tb200 ° C) ออกซิเจนของอุปกรณ์เสร็จสิ้นการ
แสดงให้เห็นว่ามีผลกระทบในเชิงบวกต่อประสิทธิภาพการทำงานของเซลล์แรกประสิทธิภาพต่ำจึงทำให้
ประสิทธิภาพที่ดีขึ้นในอุปกรณ์ที่เตรียมไว้ที่อุณหภูมิต่ำกว่า 500 องศาเซลเซียส

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

โซลูชั่นที่ง่ายวิธีการที่ใช้สำหรับฝาก CIGS ( จุฬาฯ–––ในกาเซ / s ) โช้คชั้นนี้ , ด้วยเน้นการถ่ายทอดคุณสมบัติ LM , ผิวหน้าและบูรณาการเป็นอุปกรณ์เซลล์แสงอาทิตย์ กระบวนการเกี่ยวข้องกับการผสมผสานทุกชิ้นส่วนโลหะและชาโคเจนไนด์ลงในสารละลายไฮดราซีนเดียวตาม หมุนเคลือบสารตั้งต้นจึง LM และรักษาความร้อนในบรรยากาศแบบในรูปที่ต้องการ บุหรี่จึงมีขึ้นโดยขนาดไมครอนจึง LM ขนาดและความหนาของเมล็ดข้าว PV อุปกรณ์ ( แก้ว / โม / บุหรี่ / ซีดี / i-zno / E ) การ spincoated บุหรี่และการใช้อุณหภูมิต่ำกว่า 500 ° C มีการประมวลผลและการแปลงพลังงานจึง ciencies EF ของ10% ( 1.5 ชั่วโมง ) โดยไม่ต้องโพสต์การรักษาบุหรี่ในแหล่งก๊าซหรือเซไซยาไนด์นํ้าจากเอช. อุณหภูมิ - ระยะเวลาสั้น ( TB200 ° C ) การรักษาเสร็จสิ้นอุปกรณ์ออกซิเจนแสดง มีผลกระทบเชิงบวกกับประสิทธิภาพของต้น underperforming เซลล์ ดังนั้นจึงประสิทธิภาพที่ดีขึ้นในอุปกรณ์ที่เตรียมไว้ที่อุณหภูมิต่ำกว่า 500 ° C