X-ray diffraction patterns of the Z

X-ray diffraction patterns of the ZnO nanorods grown on the ZnO–PVA seed layers (on silicon substrates) annealed at different temperatures, ranging from 250 ◦C to 550 ◦C and are shown in Fig. 5.The X-ray diffraction patterns match the wurtzite hexagonal phase of ZnO. All the peaks correspond to the ZnO phase, except for the two peaks at 44.5◦ and 64.4◦,which are related to the silicon carbide of theXRDsample holder. Fig. 5(a and b) shows the X-ray diffractionpatterns of the ZnO nanorods grown on seeded substrates annealed at 250 ◦C and 350 ◦C, respectively. These patterns reveal that the ZnO nanorods were randomly oriented on the substrates, as seen in the FESEM images (Fig. 6(a and b)). Fig. 5c for sample C exhibits

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

รูปแบบการเลี้ยวเบนเอ็กซ์เรย์ของ nanorods ZnO โตบนชั้นเมล็ด ZnO – PVA (บนพื้นผิวซิลิกอน) annealed ที่อุณหภูมิแตกต่างกัน ตั้งแต่ 250 ◦C ถึง 550 ◦C และแสดงใน Fig. 5.เอ็กซ์เรย์ระยะหกเหลี่ยม wurtzite ของ ZnO ตรงกับรูปแบบการเลี้ยวเบน ยอดทั้งหมดกับระยะ ZnO ยกเว้นสองแห่งที่ 44.5◦ และ 64.4◦ที่เกี่ยวข้องกับซิลิคอนไฮไดรด์ของเจ้า theXRDsample Fig. 5(a and b) แสดง diffractionpatterns เอ็กซ์เรย์ของ nanorods ZnO ที่เติบโตบนพื้นผิว seeded annealed 250 ◦C และ 350 ◦C ตามลำดับ รูปแบบเหล่านี้เปิดเผยว่า มีเน้น ZnO nanorods บนพื้นผิว สุ่มดังที่เห็นในภาพ FESEM (Fig. 6(a and b)) จัดแสดง fig. 5 c สำหรับตัวอย่าง C

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

X-ray รูปแบบการเลี้ยวเบนของแท่งนาโนซิงค์ออกไซด์ที่ปลูกใน ZnO-PVA ชั้นเมล็ดพันธุ์ (บนพื้นผิวซิลิกอน) อบที่อุณหภูมิแตกต่างกันตั้งแต่ 250 ◦ C ถึง 550 ◦ C และมีการแสดงในรูปที่ 5.The X-ray รูปแบบการเลี้ยวเบนตรงกับช่วงหกเหลี่ยม wurtzite ของซิงค์ออกไซด์ ยอดทั้งหมดสอดคล้องกับขั้นตอนการซิงค์ออกไซด์ยกเว้นสองยอดที่ 44.5 และ 64.4 ◦◦ซึ่งเกี่ยวข้องกับซิลิกอนคาร์ไบด์ของผู้ถือ theXRDsample มะเดื่อ 5 (a และ b) แสดงให้เห็น diffractionpatterns เอ็กซ์เรย์ของแท่งนาโนซิงค์ออกไซด์ที่ปลูกบนพื้นผิวเมล็ดอบที่ 250 ◦ C และ 350 ◦ C ตามลำดับ รูปแบบเหล่านี้เผยให้เห็นว่าแท่งนาโนซิงค์ออกไซด์ถูกเชิงสุ่มบนพื้นผิวเท่าที่เห็นในภาพ FESEM (รูปที่ 6 (a และ b)) มะเดื่อ 5c กับการจัดแสดงนิทรรศการ C ตัวอย่าง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รูปแบบการเลี้ยวเบนรังสีเอ็กซ์ของ ZnO nanorods ปลูกบนซิงค์ออกไซด์ ( PVA เมล็ดพันธุ์ชั้น ( บนพื้นผิวซิลิกอน ) อบที่อุณหภูมิแตกต่างกัน ตั้งแต่ 250 ◦ C 550 ◦ C และจะแสดงในรูปที่ 5 . รูปแบบการเลี้ยวเบนรังสีเอ็กซ์ตรงกับเฟสของ wurtzite หกเหลี่ยมเช่นกัน ยอดทั้งหมดสอดคล้องกับซิงค์ออกไซด์ ( ยกเว้นสำหรับสองยอดที่◦ 44.5 และ◦ 64.4 ,ซึ่งเกี่ยวข้องกับซิลิคอนคาร์ไบด์ของผู้ถือ thexrdsample . ภาพที่ 5 ( A และ B ) แสดงผล diffractionpatterns ของซิงค์ออกไซด์บนพื้นผิว nanorods ปลูกเมล็ดอบที่ 350 ◦ 250 ◦ C และ C ตามลำดับ รูปแบบเหล่านี้พบว่า ZnO nanorods สุ่มเชิงบนพื้นผิวที่เห็นใน fesem ภาพ ( ภาพที่ 6 ( A และ B ) รูปที่ 5 ตัวอย่าง C มา