EIS is also an efficient tool for s

EIS is also an efficient tool for studying the interface properties of surface modified electrodes. The curve of the EIS includes a semicircle portion and a linear portion. The semicircle portion at higher frequencies represents the electron-transfer limited process
with the linear portion at lower frequencies corresponding to the diffusion process. The impedance spectra of the bare GCE (curve 1) and OMC/GCE (curve 2) are shown in Fig. 2B. The Randles circuit (Fig. 2B inset a) was chosen to fit the impedance data obtained (where Rs represents the Warburg impedance, W, the diffusion impedance, Cdl, the interfacial capacitance). The electron transfer resistance (Rct) at the electrode surface is equal to the semicircle diameter of EIS and can be used to describe the interface properties
of the electrode. And the Rct can be estimated to be 25 X, 519 X at the OMC/GCE and GCE, respectively, indicating the low electron transfer resistance and fast electron-transfer at OMC/GCE (the amplification at higher frequencies was displayed in Fig. 2B inset b).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

EIS เป็นเครื่องมือมีประสิทธิภาพสำหรับการศึกษาคุณสมบัติของอินเทอร์เฟซของหุงตปรับผิว เส้นโค้งของ EIS มีส่วน semicircle และส่วนเชิงเส้น ส่วน semicircle ที่ความถี่สูงแสดงถึงการจำกัดการถ่ายโอนอิเล็กตรอนสัดส่วนเส้นที่ต่ำกว่าความถี่ที่สอดคล้องกับกระบวนการแพร่ แรมสเป็คตราความต้านทานของ GCE เปลือย (โค้ง 1) และ GCE OMC (โค้ง 2) จะแสดงใน Fig. 2B วงจร Randles (Fig. 2B แทรกเป็น) ที่ท่านได้รับข้อมูลความต้านทาน (Rs แทนความต้านทานวอร์เบิร์ก W ความต้านทานการแพร่ Cdl ความ interfacial) ทนถ่ายโอนอิเล็กตรอน (Rct) ที่พื้นผิวอิเล็กโทรดเท่ากับ semicircle เส้นผ่าศูนย์กลางของ EIS และสามารถใช้อธิบายคุณสมบัติของอินเตอร์เฟซของอิเล็กโทรด และ Rct สามารถจะประมาณ 25 X, 519 X ที่ OMC/GCE และ GCE ตามลำดับ แสดงความต้านทานการถ่ายโอนอิเล็กตรอนต่ำและถ่ายโอนอิเล็กตรอนเร็วที่ OMC/GCE (ขยายที่ความถี่สูงที่แสดงใน Fig. 2B b แทรก)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

EIS ยังเป็นเครื่องมือที่มีประสิทธิภาพสำหรับการศึกษาคุณสมบัติของอินเตอร์เฟซของพื้นผิวขั้วไฟฟ้าที่ปรับเปลี่ยน เส้นโค้งของ EIS รวมถึงส่วนครึ่งวงกลมและส่วนเชิงเส้น ส่วนครึ่งวงกลมที่ความถี่สูงแสดงให้เห็นถึงการถ่ายโอนอิเล็กตรอนกระบวนการ จำกัด
กับส่วนเชิงเส้นที่ความถี่ต่ำที่สอดคล้องกับกระบวนการการแพร่กระจาย สเปกตรัมความต้านทานของ GCE เปลือย (โค้ง 1) และ OMC / GCE (โค้ง 2) มีการแสดงในรูป 2B วงจร Randles (รูป. 2B ภาพประกอบ) ได้รับเลือกให้พอดีกับข้อมูลที่ได้รับความต้านทาน (อาร์เอสที่หมายถึงความต้านทานวอร์เบิร์ก, W, ความต้านทานการแพร่, Cdl, ความจุสัมผัส) ต้านทานการถ่ายโอนอิเล็กตรอน (Rct) ที่ผิวอิเล็กเท่ากับครึ่งวงกลมขนาดเส้นผ่าศูนย์กลางของ EIS และสามารถนำมาใช้เพื่ออธิบายคุณสมบัติของอินเตอร์เฟซ
ของอิเล็กโทรด และ Rct สามารถจะประมาณ 25 X 519 X ที่ OMC / GCE และ GCE ตามลำดับแสดงให้เห็นความต้านทานการถ่ายโอนอิเล็กตรอนต่ำและอิเล็กตรอนโอนอย่างรวดเร็วที่ OMC / GCE (ขยายที่ความถี่สูงได้รับการแสดงในรูป. 2B แทรกข)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

EIS เป็นเครื่องมือที่มีประสิทธิภาพเพื่อศึกษาคุณสมบัติของพื้นผิวขั้วไฟฟ้าอินเทอร์เฟซที่แก้ไข เส้นโค้งของ EIS รวมถึงส่วนครึ่งวงกลม และส่วนที่เป็นเส้น ส่วนครึ่งวงกลมที่ความถี่สูง แสดงถึงการถ่ายโอนอิเล็กตรอนกระบวนการจำกัด
กับส่วนเส้นตรงที่ลดความถี่ที่สอดคล้องกับกระบวนการแพร่ค่าสเปกตรัมของ GCE เปลือย ( โค้ง 1 ) และ OMC / GCE ( โค้ง 2 ) แสดงในรูปที่ 2B . ( รูปที่ 2B ใส่วงจร แรนเดิลล์ ) ถูกเลือกให้พอดีกับข้อมูลที่ได้รับ ( อิมพีแดนซ์ที่ RS เป็น Warburg อิมพีแดนซ์ , W , การแพร่กระจายอิมพีแดนซ์ CDL , ความจุระหว่าง )ความต้านทานการถ่ายโอนอิเล็กตรอน ( Razorflame ) ที่พื้นผิวขั้วไฟฟ้าจะเท่ากับครึ่งวงกลมเส้นผ่านศูนย์กลางของ EIS และสามารถใช้อธิบายคุณสมบัติของอินเตอร์เฟซ
ของขั้วไฟฟ้า และ Razorflame สามารถประมาณ 25 x 520 x ที่ OMC / เตรียมความพร้อม และเตรียมความพร้อม ตามลำดับแสดงการถ่ายโอนอิเล็กตรอนอิเล็กตรอนต่ำต้านทานและรวดเร็วการถ่ายโอนที่ OMC / เตรียมความพร้อม ( โดยการเพิ่มที่ความถี่สูง คือ แสดงในรูปที่ 2B ใส่ B )