using optical microscopy (OM), LEO

using optical microscopy (OM), LEO scanning electron microscopy (SEM) and JEOL 2000FX transmission electron microscopy (TEM).
Samples for OM and SEM analyses were grounded, polished and etched in 2 wt.% Nital for 10 s. Samples for TEM analysis were mechanically
polished to 30 μm thick, punched to a disk of 3 mm diameter by a copper
disk cutter and then jet polished to thin foil specimens in perchloric acid
(10%) and acetic acid (90%) mixture under 20 V at 15 °C. The electrical
conductivity was measured using Microhmmeter (DO5000 series).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ใช้กล้องจุลทรรศน์แสง (OM), ลีโอแกน JEOL 2000FX ส่งดัตช์ (TEM) และกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอน (SEM) ตัวอย่างสำหรับวิเคราะห์ OM และ SEM ได้ต่อสายดิน ขัด และสลักใน 2 wt.% Nital 10 ตัวอย่างปายการวิเคราะห์กลไกขัด 30 ไมครอนหนา เจาะบนเส้นผ่าศูนย์กลาง 3 มิลลิเมตร โดยทองแดงตัดดิสก์และ jet แล้วขัดชิ้นงานฟอยล์บาง ๆ ในดไป็น(10%) และกรดอะซิติก (90%) ส่วนผสมต่ำกว่า 20 V ที่อุณหภูมิ 15 องศาเซลเซียส การไฟฟ้าการนำไฟฟ้าถูกวัดโดยใช้ Microhmmeter (DO5000 series)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

โดยใช้กล้องจุลทรรศน์แสง (OM) LEO กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอน (SEM) และ JEOL 2000FX กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอน (TEM).
ตัวอย่างสำหรับการ OM และ SEM วิเคราะห์ถูกสายดินขัดและฝังใน 2 WT.% Nital เวลา 10 วินาที ตัวอย่างสำหรับการวิเคราะห์ TEM เป็นกลไก
ขัดถึง 30 ไมครอนหนาเจาะไปยังดิสก์ขนาดเส้นผ่าศูนย์กลาง 3 มิลลิเมตรโดยทองแดง
ตัดดิสก์แล้วเจ็ทขัดตัวอย่างฟอยล์บางในกรดเปอร์คลอริก
(10%) และกรดอะซิติก (90%) ส่วนผสมอายุต่ำกว่า 20 V ที่ 15 ° C ไฟฟ้า
การนำถูกวัดโดยใช้ MICROHMMETER (ชุด DO5000)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

กล้องจุลทรรศน์แบบใช้แสง ( OM ) , ลีโอ กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราด ( SEM ) และกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่อง 2000fx จอล ( TEM )ตัวอย่างสำหรับโอมและ SEM วิเคราะห์ข้อมูลมูลขัดและแกะสลัก 2 % โดยน้ำหนัก nital 10 . ตัวอย่างสำหรับการวิเคราะห์แบบมีกลไกขัดม. หนา 30 μ punched ในดิสก์เส้นผ่านศูนย์กลาง 3 มิลลิเมตร โดยมีทองแดงตัดดิสก์และจากนั้นขัดให้บางตัวอย่างในเจ็ทฟอยล์เปอร์คลอริกแอซิด( 10% ) และกรดอะซิติก ( 90% ) ผสมภายใต้ 20 V 15 ° C ไฟฟ้าการวัดค่า microhmmeter ( do5000 ชุด )