PID in n-type Si PV modules can be

PID in n-type Si PV modules can be basically explained by enhanced front surface recombination between electron and hole on the Si cell, whereas the polarity of voltage leading to PID depends on structure of Si cell

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

PID ในโมดูล PV ศรีประเภท n สามารถโดยทั่วไปอธิบายได้ โดยการรวมตัวกันผิวหน้าเพิ่มขึ้นอิเล็กตรอนและหลุมบนเซลล์ศรี ในขณะที่ขั้วของแรงดันไฟฟ้าที่นำไปสู่ PID ขึ้นกับโครงสร้างของเซลล์ศรี

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

PID n-ประเภทโมดูลศรี PV สามารถอธิบายได้โดยทั่วไปโดยเพิ่ม recombination พื้นผิวด้านหน้าระหว่างอิเล็กตรอนและหลุมบนเซลล์ศรีขณะที่ขั้วของแรงดันไฟฟ้าที่นำไปสู่​​ PID ขึ้นอยู่กับโครงสร้างของเซลล์ศรี

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ไอดีซีในทั่วไปแผงเซลล์แสงอาทิตย์ที่สามารถอธิบายได้โดยทั่วไป โดยการปรับปรุงพื้นผิวด้านหน้า การรวมตัวกันระหว่างอิเล็กตรอนและหลุมใน ซี เซลล์ ส่วนขั้วของแรงดันที่นำไปสู่ PID ขึ้นอยู่กับโครงสร้างของ ซี เซลล์