X-Rays and Gamma Rays interact with

X-Rays and Gamma Rays interact with CdTe atoms to create an
average of one electron/hole pair for every 4.43 eV of energy lost
in the CdTe. Depending on the energy of the incoming radiation,
this energy loss is dominated by either the Photoelectric Effect or
Compton Scattering. The probability or efficiency of the detector
to “stop” the incoming radiation and create electron/hole pairs
increases with the thickness of CdTe. See Figure 2.
In order to facilitate the electron/hole collection process in
the CdTe detector, a +500 Volt potential is applied. This voltage
is too high for operation at room temperature, as it will cause excessive
leakage, and eventually a breakdown. Since the detector
in the XR-100T-CdTe is cooled, the leakage current is reduced
considerably, thus permitting the high bias voltage.
The thermoelectric cooler cools both the CdTe detector
and the input FET transistor to the charge sensitive preamplifier.
Cooling the FET reduces its leakage current and increases the
transconductance, which in turn reduce the electronic noise of
the system.
In order to further reduce the electronic noise, the feedback
capacitor and part of the current feedback network to the preamplifier
are also placed on the same substrate as the detector and
FET. This minimizes parasitic capacitance at the input.
A temperature monitoring sensor is placed on the cooled
substrate to provide a direct reading of the temperature of the internal
components, which will vary with room temperature. Once
the internal temperature gets below minus 10°C the performance
of the XR-100T-CdTe will not change with a temperature variation
of a few degrees. Hence, accurate temperature control is not
necessary when using the XR-100T-CdTe inside the laboratory

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

รังสีเอกซ์และรังสีแกมมาที่โต้ตอบกับอะตอม CdTe เพื่อสร้างการค่าเฉลี่ยของคู่อิเล็กตรอนหนึ่งหลุมสำหรับ eV 4.43 ทุกพลังงานที่หายไปใน CdTe นั้น ขึ้นอยู่กับพลังงานของรังสีเข้ามาสูญเสียพลังงานนี้ถูกครอบงำ โดยการอิเล็ก หรือScattering คอมป์ตัน ความน่าเป็นหรือประสิทธิภาพของเครื่องตรวจจับ"หยุด" รังสีเข้ามา และสร้างคู่อิเล็กตรอน/หลุมขึ้นกับความหนาของ CdTe ดูรูปที่ 2เพื่อช่วยในการเก็บรวบรวมอิเล็กตรอน/หลุมในใช้จับ CdTe โวลต์ +500 อาจเกิดขึ้น แรงดันนี้เป็นสูงเกินไปสำหรับการดำเนินการที่อุณหภูมิห้อง มันจะทำให้มากเกินไปรั่ว และในที่สุดการแบ่ง เนื่องจากเครื่องตรวจจับใน XR-100T-CdTe จะระบายความร้อนด้วย การรั่วไหลของกระแสจะลดลงมาก อนุญาตแรงตั้งสูงดังนั้นเย็นแบบเทอร์โมอิเล็กทริกส์น่าจับทั้ง CdTeและทรานซิสเตอร์ FET เข้าไปเครื่องขยายกำลังสัญญาณสำคัญค่าธรรมเนียมเย็น FET ช่วยลดการรั่วไหลของกระแส และเพิ่มการtransconductance ซึ่งจะช่วยลดสัญญาณรบกวนทางอิเล็กทรอนิกส์ของระบบเพื่อลดเสียงอิเล็กทรอนิกส์ ผลป้อนกลับตัวเก็บประจุและเป็นส่วนหนึ่งของเครือข่ายผลป้อนกลับปัจจุบันเครื่องขยายกำลังสัญญาณที่นอกจากนี้ยังวางอยู่บนพื้นผิวเดียวกันเป็นเครื่องตรวจจับ และFET นี้ช่วยลดความเสียงฟู่เหมือนกาฝากที่อินพุตอุณหภูมิในการตรวจสอบเซ็นเซอร์อยู่ในที่เย็น ๆพื้นผิวให้อ่านตรงอุณหภูมิภายในส่วนประกอบ ซึ่งจะแตกต่างกับอุณหภูมิห้อง ครั้งอุณหภูมิภายในได้รับต่ำกว่าลบ 10 องศา C ประสิทธิภาพXR-100T-CdTe จะไม่เปลี่ยนแปลงกับการปรับเปลี่ยนอุณหภูมิกี่องศา ดังนั้น การควบคุมอุณหภูมิที่ถูกต้องไม่จำเป็นเมื่อใช้ XR-100T-CdTe ภายในห้องปฏิบัติการ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

X-Rays และรังสีแกมมามีปฏิสัมพันธ์กับอะตอม CdTe
ที่จะสร้างค่าเฉลี่ยของหนึ่งคู่อิเล็กตรอน/ หลุมทุก 4.43 eV
ของพลังงานที่หายไปในCdTe ทั้งนี้ขึ้นอยู่กับการใช้พลังงานของรังสีที่เข้ามาการสูญเสียพลังงานนี้ถูกครอบงำโดยทั้งผลตาแมวหรือคอมป์ตัน ความน่าจะเป็นหรือประสิทธิภาพของเครื่องตรวจจับที่จะ "หยุด" การฉายรังสีที่เข้ามาและสร้างคู่อิเล็กตรอน / หลุมเพิ่มขึ้นกับความหนาของCdTe ดูรูปที่ 2 เพื่ออำนวยความสะดวกอิเล็กตรอน / หลุมกระบวนการเก็บรวบรวมในการตรวจจับCdTe, ศักยภาพโวลต์ 500 ถูกนำไปใช้ แรงดันนี้สูงเกินไปสำหรับการดำเนินงานที่อุณหภูมิห้องในขณะที่มันมากเกินไปจะทำให้เกิดการรั่วไหลและในที่สุดก็เสีย เนื่องจากเครื่องตรวจจับใน XR-100T-CdTe เย็นรั่วไหลในปัจจุบันจะลดลงอย่างมากจึงอนุญาตให้แรงดันไบอัสสูง. เย็นเทอร์โมเย็นทั้งเครื่องตรวจจับ CdTe และทรานซิสเตอร์ FET ป้อนข้อมูลเพื่อค่าใช้จ่าย preamplifier ที่สำคัญ. เย็น FET ลด การรั่วไหลของปัจจุบันและเพิ่มtransconductance ซึ่งจะลดเสียงรบกวนอิเล็กทรอนิกส์ของระบบ. เพื่อที่จะลดเสียงอิเล็กทรอนิกส์ข้อเสนอแนะเก็บประจุและเป็นส่วนหนึ่งของเครือข่ายการตอบรับในปัจจุบันเพื่อ preamplifier ยังถูกวางไว้บนพื้นผิวเช่นเดียวกับ ตรวจจับและFET นี้จะช่วยลดความจุปรสิตที่อินพุต. เซ็นเซอร์ตรวจสอบอุณหภูมิที่วางอยู่บนเย็นพื้นผิวเพื่อให้การอ่านโดยตรงของอุณหภูมิภายในของส่วนประกอบซึ่งจะแตกต่างกับอุณหภูมิห้อง เมื่ออุณหภูมิภายในได้รับด้านล่างลบ 10 องศาเซลเซียสผลการดำเนินงานของXR-100T-CdTe จะไม่เปลี่ยนแปลงกับการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิของไม่กี่องศา ดังนั้นการควบคุมอุณหภูมิที่ถูกต้องไม่จำเป็นเมื่อใช้ XR-100T-CdTe ภายในห้องปฏิบัติการ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รังสีเอกซ์ และรังสีแกมมา โต้ตอบกับ cdte อะตอมสร้าง
เฉลี่ยของอิเล็กตรอนหนึ่ง / หลุมคู่ทุก 4.43 EV พลังงานสูญเสีย
ใน cdte . ขึ้นอยู่กับพลังงานของรังสีที่เข้ามา
นี้การสูญเสียพลังงานเป็น dominated โดยทั้งมหานวดาราหรือ
การกระเจิงคอมป์ตัน ความน่าจะเป็นหรือประสิทธิภาพของเครื่องตรวจจับ
" หยุด " รังสีเข้ามาและสร้างอิเล็กตรอนคู่
/ หลุมเพิ่มขึ้นตามความหนาของ cdte . เห็นรูปที่ 2 .
เพื่อความสะดวกในกระบวนการเก็บรวบรวมในหลุมอิเล็กตรอน /
cdte ศักยภาพเครื่อง , 500 โวลต์จะใช้ นี้แรงดัน
สูงเกินไปสำหรับการดำเนินงานที่อุณหภูมิห้อง ซึ่งจะทำให้เกิดการรั่วไหลมากเกินไป
, และในที่สุดก็ล้มเหลว เมื่อเครื่องตรวจจับ
ใน xr-100t-cdte อยู่เย็น , การรั่วไหลในปัจจุบันจะลดลง
มากดังนั้นการอนุญาตให้ความต่างศักย์สูง เทอร์โม เย็นเย็น

ทั้ง cdte ตรวจจับและใส่เฟตทรานซิสเตอร์ประจุไวลดการอักเสบ .
เย็นสามารถลดการรั่วไหลของมันในปัจจุบันและเพิ่ม
ทราน คอนดักแตนซ์ ซึ่งจะช่วยลดเสียงรบกวนในระบบอิเล็กทรอนิกส์
.
เพื่อลดสัญญาณรบกวนทางอิเล็กทรอนิกส์ ความคิดเห็นที่
ตัวเก็บประจุและเป็นส่วนหนึ่งของเครือข่ายแบบป้อนกลับกระแสเพื่อลดการอักเสบ
ยังวางไว้บนพื้นผิวเดียวกับเครื่องตรวจจับและ
เฟต . นี้ลดความจุปรสิตในการป้อนข้อมูล การตรวจสอบเซ็นเซอร์อุณหภูมิที่วางอยู่บนพื้นผิวเย็น
ให้อ่านโดยตรงจากอุณหภูมิของชิ้นส่วนภายใน
ซึ่งจะแตกต่างกันกับอุณหภูมิห้อง เมื่อ
อุณหภูมิภายในจะได้รับด้านล่างลบ 10 องศา C ประสิทธิภาพ
ของ xr-100t-cdte จะไม่เปลี่ยนแปลงกับอุณหภูมิการเปลี่ยนแปลง
ไม่กี่องศา ดังนั้น การควบคุมอุณหภูมิที่ถูกต้อง ไม่ จำเป็น เมื่อใช้ xr-100t-cdte

ภายในห้องปฏิบัติการ