Widegapsemiconductor power devices

Widegap
semiconductor power devices realize high blocking
voltage / low on-resistance / high switching speed
performance as unipolar action using MOSFET, junction
FET (JFET), and heterojunction FET (HFET) structures,
owing to their high breakdown electric field and saturated
drift velocity

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Widegapอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำไฟฟ้าตระหนักถึงบล็อกสูงแรงดัน / ต่ำในการต้านทาน / เปลี่ยนความเร็วสูงประสิทธิภาพเป็น unipolar โดยใช้มอสเฟต เชื่อมต่อFET (JFET), และโครงสร้าง heterojunction FET (HFET)owing การของสนามไฟฟ้าสูงแบ่ง และอิ่มตัวความเร็วดริฟท์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

Widegap
อุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์พลังงานตระหนักถึงการปิดกั้นสูง
แรงดันไฟฟ้า / ต่ำต้านทาน / ความเร็วในการเปลี่ยนสูง
ประสิทธิภาพการกระทำ unipolar ใช้ MOSFET แยก
FET (JFET) และขุนเฮเทอโร (HFET) โครงสร้าง
เนื่องจากความล้มเหลวของพวกเขาสูงสนามไฟฟ้าและอิ่มตัว
ความเร็วดริฟท์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำไฟฟ้า widegap
ตระหนักสูงกั้น
แรงดันไฟฟ้า / ต่ำ / สูง ความต้านทานความเร็วในการสลับการแสดงการกระทำที่ใช้ MOSFET unipolar
,
( แยก FET jfet ) และ heterojunction เฟต ( hfet ) โครงสร้าง
เนื่องจากพวกเขาสูงเกิดสนามไฟฟ้าและอิ่มตัว
ความเร็วลอยเลื่อน