As the growth process of ZnO nanowi

As the growth process of ZnO nanowires discussed in the previous work [8], the Zn atoms deposited on the substrate migrate to the top of the nanowires (the growth point) along the sidewalls and contribute to the nanowire together with the Ga atoms from the GaN film [12].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

กระบวนการเจริญเติบโตของ nanowires ZnO ที่กล่าวไว้ในก่อนหน้าทำงาน [8] อะตอม Zn ที่ฝากไว้ในพื้นผิวย้ายไปด้านบนของ nanowires (จุดเจริญเติบโต) พร้อมการเติม และสู่ nanowire ร่วมกับอะตอม Ga จากภาพยนตร์กัน [12]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในฐานะที่เป็นกระบวนการการเจริญเติบโตของเส้นลวดนาโนซิงค์ออกไซด์ที่กล่าวไว้ในการทำงานก่อนหน้านี้ [8], อะตอมธาตุสังกะสีวางลงบนพื้นผิวโยกย้ายไปยังด้านบนของเส้นลวดนาโน (จุดการเจริญเติบโต) พร้อมชิดและนำไปสู่​​เส้นลวดนาโนร่วมกับอะตอม Ga จาก ภาพยนตร์กาน [12]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เป็นในกระบวนการเติบโตของซิงค์ออกไซด์นาโนที่กล่าวถึงก่อนหน้านี้ทำงาน [ 8 ] , Zn อะตอมฝากบนพื้นผิวโยกย้ายไปยังด้านบนของนาโน ( จุดการเจริญเติบโตตามแนวด้านข้าง และมีส่วนร่วมใน nanowire ร่วมกับ GA อะตอมจากกานภาพยนตร์ [ 12 ]