The Microsemi SyncBurst - SRAM fami

The Microsemi SyncBurst - SRAM family employs high-speed, low-power CMOS designs that are fabricated using an advanced CMOS process. WEDC’s 16Mb SyncBurst SRAMs integrate two 512K x 16 SRAMs into a single BGA package to provide 512K x 32 configuration. All synchronous inputs pass through registers controlled by a positive-edge-triggered single-clock input (CLK). The synchronous inputs include all addresses, all data inputs, active LOW chip enable (CS#), burst control input (ADSC#) and byte write enables (BW0-3#). Asynchronous inputs include the output enable (OE#), clock (CLK) and snooze enable (ZZ). There is also a burst mode input (MODE) that selects between interleaved and linear burst modes. Write cycles can be from one to four bytes wide, as controlled by the write control inputs. Burst operation can be initiated with the address status controller (ADSC#) input.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Microsemi SyncBurst - ครอบครัว SRAM ใช้แบบ CMOS ความเร็วสูง ใช้ พลังงานต่ำที่จะประดิษฐ์โดยใช้กระบวนการ CMOS ขั้นสูง SRAMs SyncBurst 16Mb ของ WEDC รวมสอง 512 K x 16 SRAMs ลงในแพคเกจ BGA เดียวให้ 512 K x กำหนดค่า 32 ทั้งแบบซิงโครนัสอินพุตผ่านทะเบียนควบคุมทริกเกอร์ขอบบวกเดียวนาฬิกาป้อนข้อมูล (CLK) อินพุตแบบซิงโครนัสมีอยู่ทั้งหมด ทุกข้อมูลอินพุต ชิต่ำใช้งานเปิดใช้งาน (CS #), ระเบิดอินพุตควบคุม (ADSC #) และไบต์เขียนให้ (BW0-3 #) แบบอะซิงโครนัสอินพุตรวมถึงเปิดออก (OE #) เลื่อนปลุกและนาฬิกา (CLK) เปิดใช้งาน (ZZ) เข้าโหมดถ่ายต่อเนื่อง (โหมด) ที่เลือกโหมดถ่ายสอด และเชิงเส้นที่มี เขียนรอบสามารถยังกว้าง ไบต์สี่เป็นควบคุมอินพุตควบคุมเขียน ดำเนินการต่อเนื่องที่สามารถเริ่มต้นตัวควบคุมสถานะอยู่ (ADSC #) ป้อนข้อมูล

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ไมโคร SyncBurst - ครอบครัวพนักงาน SRAM คว​​ามเร็วสูง, การออกแบบที่ใช้พลังงานต่ำ CMOS ที่มีการประดิษฐ์โดยใช้กระบวนการขั้นสูง CMOS WEDC ของ SRAMs 16Mb SyncBurst รวมสอง 512K x 16 SRAMs เป็นแพคเกจ BGA เดียวที่สามารถให้ 512K x 32 การกำหนดค่า ปัจจัยการผลิตทั้งหมดซิงโครผ่านลงทะเบียนควบคุมโดยการป้อนข้อมูลเดียวนาฬิกาบวกขอบเรียก (CLK) ปัจจัยการผลิตซิงโครรวมที่อยู่ทั้งหมด, ปัจจัยการผลิตข้อมูลที่ใช้งานชิป LOW เปิดใช้งาน (CS #), การควบคุมการระเบิดอินพุท (ADSC #) และช่วยให้การเขียนไบต์ (BW0-3 #) ปัจจัยการผลิตไม่ตรงกันรวมถึงการส่งออกเปิดการใช้งาน (OE #), นาฬิกา (CLK) และช่วยให้งีบหลับ (ZZ) นอกจากนี้ยังมีการป้อนข้อมูลโหมดถ่ายภาพต่อเนื่อง (โหมด) ที่จะเลือกระหว่างการสลับกันเชิงเส้นและโหมดถ่ายภาพต่อเนื่อง เขียนรอบสามารถเป็น 1-4 ไบต์กว้างเป็นปัจจัยการผลิตที่ควบคุมโดยเขียนควบคุม การดำเนินงานที่ออกมาสามารถเริ่มต้นได้ด้วยตัวควบคุมสถานะอยู่ (ADSC #) การป้อนข้อมูล

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

MICROSEMI syncburst - ครอบครัวพนักงานที่ SRAM ความเร็วสูงแบบ CMOS พลังงานที่ประดิษฐ์โดยใช้กระบวนการ CMOS ขั้นสูง wedc 256MB ของ syncburst srams รวมสอง 512k x 16 srams เป็น BGA แพคเกจเดียวให้ 512k x 32 ปรับแต่ง ค่าซิงโครทั้งหมดผ่านรีจิสเตอร์ที่ควบคุมโดยขอบบวกเรียกใส่นาฬิกาเดี่ยว ( clk ) ข้อมูล ซิงโครนัสรวมถึงที่อยู่ , ข้อมูลปัจจัยการผลิตทั้งหมด ชิปต่ำงานเปิด ( CS # ) เข้าควบคุมระเบิด ( adsc # ) และไบต์เขียนให้ ( bw0-3 # ) ข้อมูลแบบอะซิงโครนัส รวมถึงผลผลิตให้ ( OE # ) , นาฬิกา ( clk ) และเลื่อนเปิด ( ZZ ) ยังมีระเบิดโหมดสัญญาณเข้า ( โหมด ) ที่เลือกระหว่างโหมดระเบิดอัดและเชิงเส้น เขียนวงจรได้ตั้งแต่หนึ่งถึงสี่ไบต์กว้าง ควบคุม โดยเขียนข้อมูลการควบคุม ปฏิบัติการระเบิดสามารถริเริ่มด้วยที่อยู่สถานะตัวควบคุม ( adsc # ) ใส่