TiO2 [11]. Here, we define the cryst

TiO2 [11]. Here, we define the crystallization temperature (Tc
) as the
temperature at which the TiO2 (101) peak appears in the XRD pattern
after 1 h of annealing. We estimate the Tc
value of TiO2/Cu to be
~220 °C, which is almost the same as that of the TiO2/Ni film.
Next, we discuss the dependence of the MIC process for TiO2 on
the thickness of the Cu layer. We patterned Cu layers with thicknesses
of 2, 8, or 50 nm as bottom layers between the TiO2 thin films and
glass substrates. On bare glass without a Cu bottom layer (left regions
in Fig. 2(a–c)), only a few tiny (3–5 μm) crystallized grains appeared
after annealing at 240 °C for 1 h. In contrast, TiO2 fully crystallized on
the Cu bottom layer of ≥8 nm thickness, as shown in right regions in
Fig. 2(a–b). We detected no clear crystallization for the sample with a
2 nm-thick Cu bottom layer (right region in Fig. 2(c)).
According to the reaction-assisted MIC mechanism[11], we interpret
the crystallization process as a rearrangement of Ti–O bonds induced by
Cu–TiO2 interactions. The intermediate products of metastable Cu–TiO2
compounds easily decompose into Cu and TiO2, accompanied by TiO2
crystallizing at a lower temperature. The released Cu atoms continue
to interact with the remaining amorphous TiO2, resulting in full crystallization of the TiO2 thin film. In other words, the Cu atoms act as catalysts and diffuse from the bottom layer to the TiO2 surface.
To confirm the diffusion of Cu, we performed chemical composition
analyses of the TiO2
film surfaces using XPS, as shown in Fig. 3. The
XPS results from the surface of the as-grown sample before annealing
show only core levels and Auger lines from Ti and O except for the C
1 s peak from surface contamination. After annealing at 240 °C for 1 h,
the Ti peaks are very weak and distinct Cu 2p and 3p core level features
appear, showing that the surface of the crystallized TiO2
film is covered
with Cu. This result suggests that the reaction-assisted MIC mechanism
is also valid for the crystallization of TiO2/Cu.
In reaction-assisted MIC, some of the Cu atoms in the bottom layer
act as catalysts and travel to the surface of the film. To evaluate the
amount of Cu required to crystallize the amorphous TiO2
film, we
analyzed the RBS data before and after MIC. Fig. 4(a) compares RBS
spectra of TiO2/Cu before and after MIC. The Cu main peak was slightly
suppressed with the appearance of a shoulder at high energy side
after MIC. We simulated the RBS spectra using a model in which a part
of the Cu bottom layer (thickness of 18.5 nm before MIC) moved to
thefilm surface during the MIC process, as shown inFig. 4(b). Although
the shapes of experimentally observed spectra were qualitatively

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

TiO2 [11] ที่นี่เรากำหนดอุณหภูมิการตกผลึก (TC
) เป็น
อุณหภูมิที่ TiO2 (101) สูงสุดจะปรากฏในรูปแบบ XRD
หลังจาก 1 ชั่วโมงของการหลอม เราคาด TC
ค่าของ tio2/cu จะ
~ 220 องศาเซลเซียสซึ่งเกือบจะเช่นเดียวกับที่ของภาพยนตร์เรื่อง tio2/ni.
ถัดไปที่เราจะหารือการพึ่งพาของกระบวนการไมค์เพื่อ TiO2 บน
ความหนาของ ชั้นลูกบาศ์กเราลวดลายชั้นลูกบาศ์กมีความหนาของ
2, 8, หรือ 50 นาโนเมตรเป็นชั้นล่างระหว่างฟิล์มบางและ TiO2
พื้นผิวกระจก บนกระจกเปลือยไม่มีลูกบาศ์กชั้นล่าง (ซ้าย
ภูมิภาคในภาพ 2. (c-)) เพียงไม่กี่ขนาดเล็ก (3-5 ไมครอน) ธัญพืชก้อนปรากฏ
หลังจากการหลอมที่ 240 องศาเซลเซียสเป็นเวลา 1 ชั่วโมง ในทางตรงกันข้าม TiO2 ตกผลึกอย่างเต็มที่ใน
ชั้นล่างของลูกบาศ์ก≥ความหนา 8 นาโนเมตรดังแสดงในพื้นที่ที่เหมาะสมในการ
มะเดื่อ 2 (-b) เราตรวจพบไม่มีการตกผลึกที่ชัดเจนสำหรับตัวอย่างที่มี
2 นาโนเมตรหนาชั้นล่างลูกบาศ์ก (ภูมิภาคท​​ี่เหมาะสมในมะเดื่อ 2. (c)).
ตามปฏิกิริยาช่วยไมค์กลไก [11] เราตีความ
กระบวนการตกผลึกเป็น ปรับปรุงใหม่ของทิ o-พันธบัตรที่เกิดจากลูกบาศ์ก
-TiO2 ปฏิสัมพันธ์ สินค้าขั้นกลางของลูกบาศ์ก-TiO2
สารประกอบ metastable ง่ายย่อยสลายเป็นลูกบาศ์กและ TiO2,พร้อมด้วย TiO2
ตกผลึกที่อุณหภูมิต่ำ อะตอมลูกบาศ์กที่ปล่อยออกมาอย่างต่อเนื่อง
ในการโต้ตอบกับ TiO2 สัณฐานที่เหลืออยู่ทำให้เกิดการตกผลึกของฟิล์มบาง TiO2 ในคำอื่น ๆ อะตอมลูกบาศ์กทำหน้าที่เป็นตัวเร่งปฏิกิริยาและกระจายจากชั้นล่างกับพื้นผิว TiO2.
เพื่อยืนยันการแพร่กระจายของลูกบาศ์กที่เราดำเนินการองค์ประกอบทางเคมี
วิเคราะห์ของ TiO2
พื้นผิวฟิล์มใช้ XPS ดังแสดงในรูปที่ 3 ผล XPS
จากพื้นผิวของตัวอย่างที่ปลูกก่อนที่จะหลอม
แสดงเฉพาะระดับหลักและสายสว่านจากทิและ o ยกเว้นค
1 ยอดจากการปนเปื้อนพื้นผิว หลังจากอบที่ 240 องศาเซลเซียสเป็นเวลา 1 ชั่วโมง
ยอด Ti มีความอ่อนแอและ 2p ลูกบาศ์กที่แตกต่างและคุณสมบัติ 3p ระดับแกน
ปรากฏแสดงให้เห็นว่าพื้นผิวของก้อน TiO2
ฟิล์มถูกปกคลุมด้วย
ลูกบาศ์ก ผลนี้แสดงให้เห็นว่าปฏิกิริยาช่วยไมค์กลไก
ยังเป็นที่ถูกต้องสำหรับการตกผลึกของ tio2/cu.
ไมค์ในปฏิกิริยาช่วยบางส่วนของอะตอมลูกบาศ์กในด้านล่างชั้น
ทำหน้าที่เป็นตัวเร่งปฏิกิริยาและเดินทางไปยังพื้นผิวของหนังเรื่องนี้ . การประเมิน
จำนวนลูกบาศ์กที่จำเป็นในการตกผลึกสัณฐาน TiO2
ฟิล์มเรา
วิเคราะห์ RBS ข้อมูลก่อนและหลังไมค์ มะเดื่อ4 (ก) เปรียบเทียบ RBS
สเปกตรัมของ tio2/cu ก่อนและหลังไมค์ ยอดเขาหลักลูกบาศ์กถูกเล็กน้อย
ระงับด้วยการปรากฏตัวของไหล่ด้านพลังงานสูง
หลังไมค์ เราจะจำลองสเปกตรัม RBS ใช้รูปแบบที่เป็นส่วนหนึ่งของ
ชั้นล่างลูกบาศ์ก (ความหนา 18.5 นาโนเมตรก่อนที่ไมค์) ย้ายไป
thefilm พื้นผิวในระหว่างกระบวนการไมค์ตามที่แสดง infig 4 (ข) แม้ว่า
รูปร่างของสเปกตรัมสังเกตทดลองมีคุณภาพ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

TiO2 [11] ที่นี่ เรา define อุณหภูมิการตกผลึก (Tc
) เป็นการ
อุณหภูมิที่ TiO2 สูงสุด (101) ปรากฏในรูปแบบการ XRD
หลังจาก 1 ชั่วโมงของการอบเหนียว เราประเมินการ Tc
ค่าของ TiO2/Cu จะ
~ 220 ° C ซึ่งเกือบเหมือนกับของ TiO2/Ni film
ถัดไป สนทนาการอาศัยการ MIC TiO2 บน
ความหนาชั้นทองแดง เราลวดลายชั้น Cu มีความหนา
2, 8 หรือ 50 nm เป็นชั้นล่างระหว่าง films บาง TiO2 และ
แก้วพื้นผิว บนกระจกเปลือยโดยชั้นล่าง Cu (ซ้ายภูมิภาค
ใน Fig. 2(a–c)) เพียงไม่กี่ขนาดเล็ก (3–5 μm) ตกผลึกธัญพืชปรากฏ
หลังการอบเหนียวที่ 240 ° C สำหรับ 1 h ตกตรงกันข้าม TiO2 เต็มผลึกบน
ชั้นล่าง Cu ของ ≥8 nm ความหนา ดังที่แสดงในพื้นที่ด้านขวาใน
Fig. 2(a–b) เราพบไม่ตกผลึกชัดเจนสำหรับตัวอย่างด้วยการ
ล่าง Cu nm-หนา 2 ชั้น (ภาคขวาใน Fig. 2(c)) .
ตามปฏิกิริยาช่วย MIC กลไก [11], เราแปล
เกิดจากกระบวนการตกผลึกเป็น rearrangement ของพันธบัตร Ti–O
Cu–TiO2 โต้ตอบ ผลิตภัณฑ์ระดับกลางของ metastable Cu–TiO2
ง่าย ๆ เปื่อยสาร Cu และ TiO2 พร้อม ด้วย TiO2
crystallizing ที่อุณหภูมิต่ำ อะตอม Cu ออกต่อ
เพื่อโต้ตอบกับเหลือไป TiO2 เกิดตกผลึกเต็มของ film บาง TiO2 ในคำอื่น ๆ อะตอม Cu เป็นสิ่งที่ส่งเสริม และกระจายจากชั้นล่างเพื่อผิว TiO2.
การแพร่ของ Cu confirm เราทำองค์ประกอบทางเคมี
วิเคราะห์ของ TiO2
พื้นผิวของ film ใช้ XPS ดังที่แสดงใน Fig. 3 ใน
XPS ผลจากพื้นผิวของตัวอย่างโตเป็นก่อนการอบเหนียว
แสดงเฉพาะระดับหลักและบรรทัดชอนจากตี้และ O ยกเว้น C
1 s สูงจากพื้นผิวการปนเปื้อน หลังจากการอบเหนียวที่ 240 ° C สำหรับ 1 h,
พีคส์ตี้จะอ่อนแอ และหมด Cu 2p และคุณลักษณะระดับหลัก 3p
ปรากฏ แสดงที่พื้นผิวของ crystallized TiO2
ครอบคลุม film
ด้วย Cu ผลลัพธ์นี้แนะนำที่กลไก MIC ช่วยปฏิกิริยา
เป็นการตกผลึกของ TiO2/จุฬาฯ
ในปฏิกิริยาช่วย MIC บางอะตอม Cu ในชั้นล่าง
ทำหน้าที่เป็นสิ่งที่ส่งเสริม และการเดินทางไปยังพื้นผิวของ film เพื่อประเมินการ
จำนวน Cu ต้องตกผลึก TiO2 ไป
film เรา
วิเคราะห์ข้อมูล RBS ก่อน และ หลังไมค์ ฟิก 4(a) เปรียบเทียบ RBS
แรมสเป็คตราของ TiO2/Cu ก่อน และ หลังไมค์ คหลัก Cu ได้เล็กน้อย
ถูกระงับ ด้วยลักษณะของไหล่ด้านพลังงานสูง
หลังไมค์ เราจำลองแรมสเป็คตรา RBS โดยใช้รูปแบบที่ส่วน
ของชั้นล่าง Cu (ความหนา 18.5 nm ก่อน MIC) ย้ายไป
thefilm ผิวระหว่าง MIC เป็น inFig แสดง 4(b) แม้ว่า
รูปร่างของแรมสเป็คตรา experimentally สังเกตได้ qualitatively

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ป่าติ้ว 2 [ 11 ] ณที่นี่เราจะตกผลึก define อุณหภูมิ ( TC
)เป็น
อุณหภูมิ ที่ป่าติ้ว 2 ( 101 )สูงสุดจะปรากฏขึ้นใน xrd รูปแบบ
หลังจาก 1 ชั่วโมงของ annealing เราจะประเมินมูลค่า TC
ของป่าติ้ว CU 2 /จะ
~ 220 ° C ซึ่งเกือบจะเหมือนกับ/ป่าติ้ว 2 ที่ NI film .
ถัดไปเราพูดคุยกันถึงการพึ่งพาอาศัยอยู่ในกระบวนการ Mic สำหรับป่าติ้ว 2 บนความหนา
ซึ่งจะช่วยให้การชั้นชุดควบคุมเรามีลวดลายชั้นชุดควบคุมพร้อมด้วยความหนา
ของ 28 หรือ 50 nm เป็นชั้นด้านล่างระหว่าง substrates ป่าติ้ว 2 บาง films และ
กระจก บนกระจกเปลือยเปล่าโดยไม่มีชุดควบคุมพื้นที่ด้านล่าง Layer (ทางด้านซ้าย
ซึ่งจะช่วยในรูป. 2 ( a - c ))ขนาดเล็กเท่านั้นที่เมล็ดธัญพืช( 3-5 3-5 3-5 μ m )แช่อิ่มเพียงไม่กี่ตัว annealing
หลังจากที่ 240 ° C สำหรับ 1 ในทางตรงข้ามป่าติ้ว 2 รูปธรรมอย่างครบครันบนชั้นด้านล่าง CU
ซึ่งจะช่วยให้ความหนา nm ≥ 8 ตามที่แสดงใน ภูมิภาค ใน
รูป. 2 ( A - B ) เราตรวจพบว่าไม่มีลูกแก้วใสชัดเจนให้ตัวอย่างที่พร้อมด้วย
2 NM - หนาชุดควบคุมด้านล่างชั้น(ด้านขวาเขตพื้นที่ที่อยู่ในรูป 2 ( C )..
ตามกลไกการตอบสนองไมโครโฟนความช่วยเหลือ[ 11 ]เราตีความกระบวนการตกผลึก
ที่เป็นอินสแตนของพันธบัตร TI - O จาก interactions
cu-ti O 2 สินค้าขั้นกลางของสารประกอบ cu-ti O 2
metastable แยกออกเป็นส่วนๆลงใน CU ระบบได้อย่างง่ายดายและป่าติ้ว 2พร้อมด้วยป่าติ้ว 2
crystallizing ด้วย อุณหภูมิ ต่ำ ชุดควบคุมระดับอะตอมได้ถูกเปิดออกดำเนินการต่อ
ซึ่งจะช่วยในการติดต่อกับป่าติ้ว 2 ไม่มีรูปร่างเป็นที่แน่นอนที่เหลืออยู่ทำให้ในลูกแก้วเต็มของ film บางป่าติ้ว 2 ในคำอื่นๆอะตอมชุดควบคุมที่ทำหน้าที่เป็นตัวแพร่และจากชั้นด้านล่างที่เป็นพื้นที่ป่าติ้ว 2 .
เพื่อ confirm แพร่ของชุดควบคุมสารเคมีเราทำการเขียน
ซึ่งจะช่วยวิเคราะห์ของป่าติ้ว 2
ได้พื้นผิว film โดยใช้ XPS ตามที่แสดงในรูปที่ 3 . ที่
XPS ผลออกจากพื้นผิวของตามที่เติบโตขึ้นตัวอย่างก่อน annealing
แสดงเฉพาะ core ระดับและสว่านสายจากหมากผู้หมากเมียและ O ยกเว้นสำหรับ C
1 s Peak จากพื้นผิวการปนเปื้อน หลังจากที่ยอดเขา annealing หมากผู้หมากเมีย
ที่ 240 ° C สำหรับ 1 ชั่วโมงเป็นอย่างมากและอ่อนโดดเด่น CU 2 P 3 p และระดับ Core โดดเด่นไปด้วย
ซึ่งจะช่วยจะปรากฏขึ้นแสดงให้เห็นว่าพื้นผิวของรูปธรรมป่าติ้ว 2
ได้film ได้รับการคุ้มครอง ภายใต้
พร้อมด้วยชุดควบคุม ส่งผลให้โรงแรมแห่งนี้ชี้ให้เห็นว่าปฏิกิริยา - ความช่วยเหลือ MIC กลไกการ
ที่ยังมีผลบังคับใช้สำหรับตกผลึกของป่าติ้ว 2 / cu .
ใน MIC ปฏิกริยา - ความช่วยเหลืออะตอมชุดควบคุมที่อยู่ในชั้นล่างที่บาง
ซึ่งจะช่วยทำหน้าที่เป็นการเดินทางท่องเที่ยวและตัวบนพื้นผิวของ film ที่
ซึ่งจะช่วยในการประเมินจำนวนเงินของชุดควบคุมที่จำเป็นสำหรับการก่อรูปขึ้น film ป่าติ้ว 2
ไม่มีรูปร่างเป็นที่แน่นอนที่เรา
ซึ่งจะช่วยวิเคราะห์ข้อมูล RBS ก่อนและหลังไมโครโฟน รูป.4 ( A )เปรียบเทียบ Spectra RBS
ของ MIC ป่าติ้ว 2 /ชุดควบคุมก่อนและหลัง Peak หลักชุดควบคุมที่ปิดกั้นก็พร้อมด้วยลักษณะอันโดดเด่นของไหล่ที่อยู่ด้านข้างด้านพลังงานที่สูง

หลังจาก MIC เล็กน้อย เราจำลอง Spectra RBS โดยใช้รุ่นที่เป็นส่วนหนึ่งของชั้น
ซึ่งจะช่วยด้านล่างชุดควบคุม(ความหนาของ 18.5 nm ก่อน MIC )ที่ถูกย้ายไปยังพื้นผิว
thefilm ในระหว่างกระบวนการ MIC ตามที่แสดง infig 4 ( B ) แม้ว่า
ตามมาตรฐานรูปร่างของ Ambilight Spectra ทดลองสังเกตเห็นมีเนื้อหา