A. Electric Field (E)Fig. 2 shows t

A. Electric Field (E)
Fig. 2 shows the built-in electrical field (E) distribution of
the BSWCNT-based power diode. The maximum value of the
electrical field distribution is 3.6 x 107 Vim as can be
observed from Fig. 2. This electrical field (E) value is higher
than it is in conventional power diode made from silicon with
comparable dimensions. When the BSWCNTs semiconductor
is in the forward mode, significant number of electrons is
created in the conduction band and significant number of holes
(positive-charge carriers) is created in the valence band due to
the multiplying effect of the CNTs. Thus, in principle, the
built-in electric field can pull the generated electrons to the
negative-electrode and holes to the positive-electrode, thereby increasing the efficiency of the device. BSWCNT-based
power diode has higher reverse voltage breakdown than
silicon-based power diode because the electric field is strong
enough to separate the bound charges. This is due to the fact
that in nano-particles, the surface area of the particle is larger
when compared to its volume (more surface atoms than inside
atoms) [19]-[30]. Moreover, the linear geometry of the CNTs
enables faster charge removal during the off-cycle [27]-[32].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

A. สนามไฟฟ้า (E)Fig. 2 แสดงการกระจายในเขตไฟฟ้า (E) ของไดโอด BSWCNT ยึดอำนาจ ค่าสูงสุดของการเขตไฟฟ้ากระจายเป็น 3.6 x 107 Vim สามารถสังเกตจาก Fig. 2 เขตไฟฟ้า (E) ค่านี้จะสูงขึ้นกว่าจะเป็นพลังงานปกติไดโอดที่ทำจากซิลิคอนมีขนาดเทียบเท่า เมื่อสารกึ่งตัวนำ BSWCNTsอยู่ในโหมดไปข้างหน้า จำนวนอิเล็กตรอนที่สำคัญคือสร้างขึ้นในการนำวงดนตรีและจำนวนมากของหลุม(บวกค่าธรรมเนียมสายการบิน) ไว้ในวงเวเลนซ์เนื่องผล multiplying ของ CNTs ดังนั้น ในหลักการ การสนามไฟฟ้าในตัวสามารถดึงอิเล็กตรอนสร้างขึ้นเพื่อการไฟฟ้าลบและไปบวกไฟฟ้า จึงช่วยเพิ่มประสิทธิภาพของอุปกรณ์ โดย BSWCNTเพาเวอร์ไดโอดแบ่งแรงดันย้อนกลับสูงกว่าได้โดยซิลิคอนเพาเวอร์ไดโอดเนื่องจากสนามไฟฟ้าเป็นแรงพอแยกค่าที่ถูกผูกไว้ นี่คือเนื่องจากว่า ในอนุภาคนาโน พื้นที่ผิวของอนุภาคมีขนาดใหญ่เมื่อเทียบกับปริมาณ (มากกว่าผิวอะตอมมากกว่าภายในอะตอม) [19] - [30] นอกจากนี้ เรขาคณิตเชิงเส้นของ CNTsให้เอาค่าเร็วขึ้นระหว่างการปิดวงจร [27] - [32]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

A. สนามไฟฟ้า (E)
รูป 2 แสดงให้เห็นด้านในตัวไฟฟ้า (E) การกระจายของ
ไดโอด BSWCNT อำนาจตาม ค่าสูงสุดของ
การกระจายสนามไฟฟ้าคือ 3.6 x 107 เป็นกลุ่มที่สามารถ
สังเกตได้จากรูป 2. สนามไฟฟ้านี้ (E) มูลค่าสูง
กว่าที่เป็นอยู่ในไดโอดอำนาจธรรมดาที่ทำจากซิลิกอนที่มี
ขนาดเทียบเคียง เมื่อเซมิคอนดักเตอร์ BSWCNTs
อยู่ในโหมดไปข้างหน้าอย่างมีนัยสำคัญจำนวนของอิเล็กตรอนที่ถูก
สร้างขึ้นในการนำวงดนตรีและจำนวนที่มีนัยสำคัญของหลุม
(ผู้ให้บริการในเชิงบวกค่าใช้จ่าย) จะถูกสร้างขึ้นในวงดนตรีจุเนื่องจาก
ผลคูณของ CNTs ดังนั้นในหลักการ
สนามไฟฟ้าในตัวสามารถดึงอิเล็กตรอนที่สร้างขึ้นเพื่อ
ขั้วไฟฟ้าลบและหลุมกับขั้วไฟฟ้าบวกซึ่งจะช่วยเพิ่มประสิทธิภาพของอุปกรณ์ BSWCNT ตาม
ไดโอดพลังงานมีการสลายแรงดันย้อนกลับสูงกว่า
ไดโอดอำนาจซิลิคอนเพราะสนามไฟฟ้าที่มีความแข็งแรง
พอที่จะแยกค่าใช้จ่ายที่ถูกผูกไว้ เพราะนี่คือความจริงที่
ว่าในอนุภาคนาโน, พื้นที่ผิวของอนุภาคที่มีขนาดใหญ่
เมื่อเทียบกับปริมาณของมัน (อะตอมพื้นผิวมากกว่าภายใน
อะตอม) [19] - [30] นอกจากนี้ยังมีรูปทรงเรขาคณิตเชิงเส้นของ CNTs
ช่วยให้การกำจัดค่าใช้จ่ายได้เร็วขึ้นในช่วงปิดวงจร [27] - [32]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

A . สนามไฟฟ้า ( E )
รูปที่ 2 แสดงสนามไฟฟ้า ( E ) การกระจายของตัว
bswcnt เพาเวอร์ไดโอดที่ใช้ ค่าสูงสุดของ
สนามไฟฟ้ากระจาย 3.6 x 107 วิมเป็นสามารถ
สังเกตจากรูปที่ 2 สนามไฟฟ้า ( E ) มีค่าสูงกว่านี้
มากกว่าจะทำจากซิลิคอนไดโอดไฟธรรมดากับ
ขนาดเทียบเท่า เมื่อ bswcnts สารกึ่งตัวนำ
อยู่ในโหมดข้างหน้าจำนวนของอิเล็กตรอนคือ
สร้างขึ้นในนำวงดนตรี และจำนวนของหลุม
( พาหะประจุบวก ) ที่ถูกสร้างขึ้นในเวเลนซ์แบนด์เนื่องจาก
คูณผลของ cnts . ดังนั้น ในหลักการ
สนามไฟฟ้าในตัวสามารถดึงสร้างอิเล็กตรอนและหลุม
ขั้วไฟฟ้าลบไปยังขั้วไฟฟ้าบวกจึงช่วยเพิ่มประสิทธิภาพของอุปกรณ์ bswcnt ตาม
เพาเวอร์ไดโอดได้สูงกว่าแรงดันย้อนกลับการใช้พลังงานมากกว่า
ไดโอดเนื่องจากสนามไฟฟ้าแรง
พอที่จะแยกไว้ค่า ที่เป็นเช่นนี้เนื่องจาก
ที่ในอนุภาคนาโน , พื้นที่ผิวของอนุภาคขนาดใหญ่
เมื่อเทียบกับปริมาณ ( อะตอมอะตอมภายในพื้นผิวมากกว่า
) [ 19 ] - [ 30 ] นอกจากนี้เชิงเส้นเรขาคณิตของ cnts
ช่วยให้เร็วขึ้นค่าธรรมเนียมการกำจัดในระหว่างออกรอบ [ 27 ] - [ 32 ]