The used process consists in deposi

The used process consists in depositing the photoresist layer on the wafer, already covered by one metal layer.
After expiosure and development of the resist, the metal layer is chemically etched and only the desired interconnectioiis remain. This is depicted in Fig. 1

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

กระบวนการที่ใช้ประกอบในการฝากชั้น photoresist บนแผ่นเวเฟอร์ ครอบคลุมโลหะชั้นหนึ่งแล้วหลังจาก expiosure และการพัฒนาของตัวต้านทาน สารเคมีมีการแกะสลักชั้นโลหะ และเฉพาะ interconnectioiis ต้องอยู่ นี้เป็นภาพใน Fig. 1

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

กระบวนการที่ใช้ประกอบในการฝากไวแสงชั้นบนแผ่นเวเฟอร์ที่ปกคลุมอยู่แล้วโดยชั้นโลหะหนึ่ง.
หลังจาก expiosure และการพัฒนาของต่อต้านชั้นโลหะฝังสารเคมีและมีเพียง interconnectioiis ต้องการยังคงอยู่ นี้เป็นที่ปรากฎในรูป 1

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ใช้กระบวนการประกอบด้วยฝากระบบชั้นบนแผ่นปกคลุมด้วยโลหะแล้วหนึ่งชั้น .
หลังจาก expiosure และการพัฒนาของต้านทาน , ชั้นโลหะและเคมีกัดเท่านั้น interconnectioiis ที่ต้องการยังคง นี้จะแสดงในรูปที่ 1