Discs of both T-SiC and C-SiC with

Discs of both T-SiC and C-SiC with diameter of
40 mm and thickness of 3 mm were prepared by
uniaxial pressing at 100 MPa followed by cold isostatic
pressing at 200 MPa. Sintering was performed in a
graphite resistance high temperature furnace in flowing
argon at 1 atm. Sintering for T-SiC was conducted at
1925 ℃ for 0.5 h, while for C-SiC was done at 1930 ℃
for 1 h. Both sintering processes were conducted
without sintering bed.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

แผ่น T ฉบับและฉบับที่ C เส้นผ่าศูนย์กลางของณ 40 มม.และความหนา 3 มม.แบบกดที่ 100 MPa ตาม ด้วยเย็น isostaticกดที่ 200 MPa เผาได้ดำเนินการในการกราไฟท์เตาเผาที่อุณหภูมิสูงความต้านทานในการไหลอาร์กอนที่ 1 หลาย Sintering สำหรับซิก T ถูกดำเนินการที่1925 ℃สำหรับ 0.5 h ในขณะที่สำหรับฉบับที่ C ทำที่ 1930 ℃สำหรับ 1 h ได้ดำเนินการทั้งกระบวนการเผาโดยไม่ต้องเผาเตียง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

แผ่นทั้ง T-SiC และ C-SiC ที่มีขนาดเส้นผ่าศูนย์กลาง
40 มิลลิเมตรและความหนา 3 มมถูกจัดทำขึ้นโดย
มีแกนเดียวกดที่ 100 MPa ตาม isostatic เย็น
กดที่ 200 MPa เผาได้รับการดำเนินการใน
เตาต้านทานอุณหภูมิสูงกราไฟท์ในไหล
อาร์กอนที่ 1 บรรยากาศ เผาสำหรับ t-SiC ได้ดำเนินการที่
1925 ℃ 0.5 ชั่วโมงในขณะที่สำหรับ C-SiC ถูกทำที่ 1930 ℃
เป็นเวลา 1 ชั่วโมง ทั้งกระบวนการเผาได้ดำเนินการ
โดยไม่ต้องเผาเตียง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

แผ่นทั้ง t-sic c-sic ขนาดเส้นผ่าศูนย์กลางและ40 มิลลิเมตรและความหนา 3 มม. ที่เตรียมโดยเดียวกดที่ 100 MPa ตามความดันทุกทิศทางแบบเย็นกดที่ 200 MPa การกระทำในแกรไฟต์ต้านทานอุณหภูมิสูงเตาหลอมไหลอาร์กอนที่ 1 atm t-sic ดำเนินการที่เผาสำหรับ1925 ℃ 0.5 ชั่วโมง ขณะที่ c-sic าที่℃ 19301 ชั่วโมง ทั้งการเผา กระบวนการทดสอบไม่มีเตียงเผาซินเทอร์