In order to grow diamond film on al

In order to grow diamond film on alumina ceramic, it is essential to control the diamond nucleation properly. Under a gas pressure lower than
that used for growth, a high nucleation density of diamond films on alumina, as high as 108/cm2, is successfully achieved by microwave plasmaenhanced
chemical vapor deposition method. Based on this, [100]-textured diamond films are successfully deposited on alumina by controlling
the substrate temperature. From the results on SEM, XRD and Raman measurements, the substrate temperature has a strong influence on the
textured growth and quality of diamond films on alumina substrates. Too low or too high temperature cannot obtain [100]-textured and goodquality
films. The optimum substrate temperature range, for the growth of [100]-textured and good-quality diamond films on alumina, should be
800∼860 °C in our experiments.
© 2006 Elsevier B.V. All rights reserved.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

การปลูกฟิล์มเพชรกับอลูมินาเซรามิก มันเป็นสิ่งสำคัญเพื่อควบคุม nucleation เพชรได้อย่างถูกต้อง ภายใต้ความดันก๊าซต่ำกว่าที่ใช้สำหรับการเจริญเติบโต ความหนาแน่นสูง nucleation ของฟิล์มเพชรกับอลูมินา สูงเป็น 108/cm2 สำเร็จทำ ด้วยไมโครเวฟ plasmaenhancedวิธีการสะสมไอสารเคมี ตามนี้, [100] -ฟิล์มเพชรพื้นสำเร็จฝากบนอลูมินา โดยการควบคุมอุณหภูมิพื้นผิว จากผลการวัด SEM, XRD และรามัน อุณหภูมิพื้นผิวมีอิทธิพลที่แข็งแกร่งในการผิวเจริญเติบโตและคุณภาพของเพชรฟิล์มบนพื้นผิวอลูมินา อุณหภูมิต่ำเกินไป หรือสูงเกินไปไม่สามารถขอรับ [100] -พื้น และ goodqualityฟิล์ม พื้นผิวที่เหมาะสมอุณหภูมิช่วง เจริญ [100] -ฟิล์มเพชรที่มี คุณภาพดี และมีพื้นผิวบนอลูมินา ควร800∼860 ° C ในการทดลองของเรา© 2006 Elsevier b.v สงวนลิขสิทธิ์ทั้งหมด

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เพื่อที่จะเติบโตฟิล์มเพชรในเซรามิกอะลูมินาก็เป็นสิ่งจำเป็นในการควบคุมนิวเคลียสเพชรถูกต้อง ภายใต้ความดันก๊าซต่ำกว่า
ที่ใช้สำหรับการเจริญเติบโตมีความหนาแน่นสูงนิวเคลียสของภาพยนตร์เพชรอลูมินาสูงที่สุดเท่าที่ 108 / cm2 สามารถทำได้ประสบความสำเร็จโดยไมโครเวฟ plasmaenhanced
เคมีวิธีการสะสมไอ จากนี้ [100] ภาพยนตร์เพชร -textured จะฝากประสบความสำเร็จในอลูมินาโดยการควบคุม
อุณหภูมิพื้นผิว จากผลการศึกษาเกี่ยวกับ SEM, XRD และการวัดรามันอุณหภูมิพื้นผิวที่มีอิทธิพลต่อ
การเจริญเติบโตของพื้นผิวและคุณภาพของภาพยนตร์เพชรกับพื้นผิวอลูมิเนียม อุณหภูมิต่ำเกินไปหรือสูงเกินไปไม่สามารถรับ [100] -textured และ goodquality
ภาพยนตร์ พื้นผิวที่ดีที่สุดช่วงอุณหภูมิสำหรับการเจริญเติบโตของ [100] -textured และมีคุณภาพดีในภาพยนตร์เพชรอลูมิควรจะ
800~860 ° C ในการทดลองของเรา.
© 2006 Elsevier BV สงวนลิขสิทธิ์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เพื่อปลูกฟิล์มเพชรบนอลูมินาเซรามิก , มันเป็นสิ่งจำเป็นเพื่อควบคุมขนาดของเพชรได้อย่างถูกต้อง ภายใต้ความดันก๊าซต่ำกว่า
ที่ใช้สำหรับการเจริญเติบโต , ขนาดความหนาแน่นสูงของฟิล์มเพชรบนอะลูมินา สูง 108 / cm2 , สําเร็จได้ด้วยไมโครเวฟ plasmaenhanced
ไอสารเคมีสะสม โดยวิธี ตามนี้[ 100 ] -- พื้นผิวเพชรเรียบร้อยแล้วฝากบนอะลูมินา โดยการควบคุมอุณหภูมิของแผ่นรองรับ
. จากผล XRD และ SEM รามัน การวัดอุณหภูมิของแผ่นรองรับได้มีอิทธิพลใน
พื้นผิวการเจริญเติบโตและคุณภาพของฟิล์มเพชรบนอะลูมินา ท อุณหภูมิสูงหรือต่ำเกินไป ไม่สามารถขอรับ [ 100 ] -- พื้นผิวและภาพยนตร์ดี

ช่วงอุณหภูมิพื้นผิวที่เหมาะสมสำหรับการเจริญเติบโตของ [ 100 ] -- พื้นผิวและคุณภาพดีฟิล์มเพชรบนอะลูมินา ควร
800 ∼ 860 ° C ในการทดลองของเรา
© 2006 เอลส์เท่าสงวนลิขสิทธิ์