Magnetoresistive random-access memo

Magnetoresistive random-access memory (MRAM) is a non-volatile random-access memory technology under development since the 1990s. Continued increases in density of existing memory technologies – notably flash RAM and DRAM – kept it in a niche role in the market, but its proponents believe that the advantages are so overwhelming that magnetoresistive RAM will eventually become dominant for all types of memory, becoming a universal memory.[1]

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Magnetoresistive หน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่ม (MRAM) เป็นเทคโนโลยีหน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มไม่ระเหยพัฒนาตั้งแต่ปี 1990 เพิ่มขึ้นอย่างต่อเนื่องในความหนาแน่นของเทคโนโลยีหน่วยความจำที่มีอยู่ – ยวดแฟลช RAM และ DRAM – เก็บไว้ในบทบาทเฉพาะในตลาด แต่ proponents เชื่อเปรียบดังนั้นครอบงำที่ magnetoresistive RAM ก็จะกลายเป็นหลักสำหรับชนิดทั้งหมดของหน่วยความจำ หน่วยความจำแบบสากลเป็น [1]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

Magnetoresistive random-access memory (MRAM) เป็นไม่ระเหยเทคโนโลยีหน่วยความจำ random-access ภายใต้การพัฒนาตั้งแต่ปี 1990 ยังคงเพิ่มขึ้นในความหนาแน่นของเทคโนโลยีหน่วยความจำที่มีอยู่ - RAM แฟลชสะดุดตาและ DRAM - เ​​ก็บมันไว้ในบทบาทเฉพาะในตลาด แต่ผู้เสนอที่เชื่อว่าเป็นข้อได้เปรียบที่ครอบงำดังนั้น RAM Magnetoresistive ในที่สุดก็จะกลายเป็นที่โดดเด่นสำหรับทุกประเภทของหน่วยความจำที่จะกลายเป็น หน่วยความจำสากล. [1]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

หน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่ม magnetoresistive ( มแรม ) เป็นหน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มไม่ระเหยเทคโนโลยีภายใต้การพัฒนาตั้งแต่ปี 1990 ต่อเนื่องเพิ่มขึ้นในความหนาแน่นของเทคโนโลยีหน่วยความจำที่มีอยู่และโดยเฉพาะแฟลช RAM และ DRAM และเก็บไว้ในโพรงบทบาทในตลาดแต่ผู้เสนอเชื่อว่าประโยชน์จะตื้นตันใจที่ magnetoresistive ราม ในที่สุดจะกลายเป็นเด่นสำหรับทุกประเภทของหน่วยความจำที่เป็นหน่วยความจำสากล [ 1 ]