Now, we investigate how the couplin

Now, we investigate how the coupling rate c1 relates to the
device parameters. Based on simulations, it is found that the substrate
thickness h is a crucial parameter to influence c1. To illustrate
this, the absorption spectrums are calculated numerically
by increasing h from 0.25 lm to 3.5 lm while keeping other
parameters unchanged. As shown in Fig. 2(c), when h rises from
0.25 lm to 1.5 lm, the resonant absorption rate increases from
10% to 100% with the broaden of the bandwidth. This result suggests
that c1 increases at this region, and equals to c0 at
h = 1.5 lm. Then as exhibited in Fig. 2(d), when h further increases
the absorption peak drops and becomes nearly zero at h = 3.5 lm,
and in this process the bandwidth gets narrower. These results
signify c1 now decreases and becomes zero at h = 3.5 lm. We also
simulated the case when h > 3.5 lm, and find that c1 first increases
from zero at h = 3.5 lm till reaches the maximum value at about
4.3 lm, and then drops to zero again at h = 7 lm

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ตอนนี้ เราตรวจสอบว่า c1 อัตราคลัปเกี่ยวข้องกับการอุปกรณ์พารามิเตอร์ ตามจำลอง จะพบว่าพื้นผิวความหนา h เป็นพารามิเตอร์สำคัญชวน c1 เพื่อแสดงนี้ การดูดซึมที่มีคำนวณ spectrums เรียงตามตัวเลขโดยเพิ่มจาก 0.25 h lm ไป 3.5 lm ในขณะที่เก็บอื่น ๆพารามิเตอร์ที่เปลี่ยนแปลง เหมือนใน Fig. 2(c), h มาจาก0.25 lm ไป 1.5 lm อัตราการดูดซับคงเพิ่มขึ้นจาก10% 100% กับ broaden แบนด์วิธ แนะนำผลลัพธ์นี้c1 ที่เพิ่มขึ้นในภูมิภาคนี้ และเท่ากับ c0 ที่h = 1.5 lm แล้วเป็นที่จัดแสดงใน Fig. 2(d) เมื่อเพิ่มเติม hคการดูดซึมหยด และจะเกือบเป็นศูนย์ที่ h = 3.5 lmและในกระบวนการนี้ แบนด์วิดท์ที่ได้แคบลง ผลลัพธ์เหล่านี้มีความหมาย c1 ตอนนี้ลดลง และกลายเป็น ศูนย์ที่ h = 3.5 lm เรายังจำลองกรณีเมื่อ h > 3.5 lm และ c1 ที่เพิ่มก่อนจากศูนย์ที่ h = 3.5 lm จนถึงค่าสูงสุดที่เกี่ยวกับ4.3 lm และหยดแล้วเป็นศูนย์อีกที่ h = 7 lm

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ตอนนี้เราจะตรวจสอบว่าอัตรา c1
เพศสัมพันธ์เกี่ยวข้องกับพารามิเตอร์อุปกรณ์ ขึ้นอยู่กับการจำลองพบว่าพื้นผิวหนาชั่วโมงเป็นตัวแปรสำคัญที่มีอิทธิพลต่อ c1
เพื่อแสดงให้เห็นนี้สเปกตรัมการดูดซึมที่มีการคำนวณตัวเลขโดยการเพิ่มชั่วโมงจาก0.25 ไมครอนถึง 3.5 ไมครอนขณะที่การรักษาอื่น ๆพารามิเตอร์ไม่เปลี่ยนแปลง ดังแสดงในรูป 2 (ค) เมื่อเอชเพิ่มขึ้นจาก0.25 ไมครอนถึง 1.5 ไมครอนเพิ่มขึ้นอัตราการดูดซึมจังหวะจาก10% ถึง 100% ขยายแบนด์วิดธ์ที่ ผลที่ได้นี้แสดงให้เห็นว่าการเพิ่มขึ้น c1 ในภูมิภาคนี้และเท่ากับ c0 ที่ชั่วโมง= 1.5 ไมครอน จากนั้นเป็นการจัดแสดงในรูปที่ 2 (ง) เมื่อเอชเพิ่มขึ้นต่อหยดสูงสุดการดูดซึมและจะกลายเป็นศูนย์ที่เกือบชั่วโมง = 3.5 ไมครอน, และในขั้นตอนนี้แบนด์วิดธ์ที่ได้รับแคบ ผลลัพธ์เหล่านี้มีความหมาย c1 ตอนนี้ลดลงและกลายเป็นศูนย์ที่ชั่วโมง = 3.5 ไมครอน นอกจากนี้เรายังจำลองกรณีเมื่อ h> 3.5 ไมครอนและพบว่า C1 เพิ่มขึ้นครั้งแรกจากศูนย์ที่ชั่วโมง= 3.5 ไมครอนจนถึงถึงค่าสูงสุดอยู่ที่ประมาณ4.3 ไมครอนและจากนั้นลดลงไปอีกครั้งที่ศูนย์เอช 7 = LM

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ตอนนี้เราตรวจสอบว่าอัตราการมีเพศสัมพันธ์ C1
อุปกรณ์เกี่ยวข้องกับพารามิเตอร์ บนพื้นฐานของแบบจำลอง พบว่า ความหนาของพื้นผิว
H เป็นพารามิเตอร์ที่สำคัญที่มีอิทธิพลต่อ C1 . แสดงให้เห็นถึง
นี้ การดูดซึมสเปกตรัมจะถูกคำนวณโดยการเพิ่มตัวเลข
H จาก 0.25 LM 3.5 โดยพารามิเตอร์อื่น ๆในขณะที่การรักษา
ไม่เปลี่ยนแปลง ดังแสดงในรูปที่ 2 ( C ) เมื่อ H เพิ่มขึ้นจาก 0.25 เป็น 1.5 อิมอิม
,จังหวะอัตราการดูดซึมเพิ่มขึ้นจาก
10% ถึง 100% ด้วยการขยายของแบนด์วิดธ์ ผลที่ได้นี้แสดงให้เห็นว่า C1
เพิ่มขึ้นในภาคนี้ และเท่ากับ C0
H = 1.5 ที่อิม เมื่อแสดงในรูปที่ 2 ( D ) เมื่อ H เพิ่มต่อไป
แขม็บลดลงและกลายเป็นเกือบศูนย์ ) = 3.5 LM
, และในกระบวนการนี้แบนด์วิดธ์จะแคบลง ผลลัพธ์เหล่านี้
บ่งบอก C1 ตอนนี้ลดลงและกลายเป็นศูนย์ H = 3.5 ไมโครเมตร เรายัง
จำลองกรณีเมื่อ H > 3.5 LM และพบว่าเพิ่มขึ้นจากศูนย์ ที่แรก C1
H = 3.5 LM จนถึงค่าสูงสุดที่เกี่ยวกับ
4.3 LM แล้วหยดไปที่ศูนย์อีกที่ H = 7 โดย