5. Conclusions(1) Thethermodynamicp

5. Conclusions
(1) ThethermodynamicphasediagramincludedC–SiC, C–
Si3N4 and SiC–C–Si3N4 under1173.15Kandsuitable
ratio ofSiC,Si3N4 and Ccouldbeobtainedthrough
controlling α¼[H2]/[SiCl3CH3], β¼3[NH3]/[SiCl3CH3]
and temperaturenomatterhowtotalpressurechanges.
The proportionofSiCphaseincreasedwhileCphase
decreasedwiththeincreaseof α.
(2) Thethree-dimensionalyieldmapabove1273.15Kshowed
that theproductwascarbon-richSiCorSiCphase,andthe
amountofSi3N4 was toolowtobeignoredandcouldonly
be happenedinexcessiveratioof3[NH3]/[SiCl3CH3].
(3) AdenseandcontinuousSi–C–N ceramicwasachievedby
kinetic experiments.ThedepositsconsistofSi,C,andN.
Si–C–N ternaryphasewasfoundtobeamorphousbyXPS
and XRD.C–C, Si–C andSi–N bondsweredetectedfrom
XPS analysis,mostofwhichagreeswellwiththevaluesof

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

5. บทสรุป(1) ThethermodynamicphasediagramincludedC-ซิลิก้อน C-Under1173.15Kandsuitable Si3N4 และ SiC – C – Si3N4อัตราส่วน ofSiC, Si3N4 และ Ccouldbeobtainedthroughการควบคุมα¼ [H2] / [SiCl3CH3], β¼3 [NH3] / [SiCl3CH3]และ temperaturenomatterhowtotalpressurechangesProportionofSiCphaseincreasedwhileCphasedecreasedwiththeincreaseof α(2) Thethree-dimensionalyieldmapabove1273.15Kshowedที่ theproductwascarbon-richSiCorSiCphase และamountofSi3N4 เป็น toolowtobeignoredandcouldonlyสามารถ happenedinexcessiveratioof3 [NH3] / [SiCl3CH3](3) ceramicwasachievedby AdenseandcontinuousSi-C-Nทดลองเดิม ๆThedepositsconsistofSi, C, andNTernaryphasewasfoundtobeamorphousbyXPS ศรี – C – Nและ XRDC – C, Si – C andSi – N bondsweredetectedfromการวิเคราะห์ XPS, mostofwhichagreeswellwiththevaluesof

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

5. สรุปผลการวิจัย
(1) ThethermodynamicphasediagramincludedC-SiC, C-
Si3N4 และ SIC-C-Si3N4 under1173.15Kandsuitable
อัตราส่วน ofSiC, Si3N4 และ Ccouldbeobtainedthrough
ควบคุมα¼ [H2] / [SiCl3CH3] β¼3 [NH3] / [SiCl3CH3]
และ temperaturenomatterhowtotalpressurechanges.
proportionofSiCphaseincreasedwhileCphase
decreasedwiththeincreaseof α.
(2) Thethree-dimensionalyieldmapabove1273.15Kshowed
ที่ theproductwascarbon-richSiCorSiCphase, andthe
amountofSi3N4 ถูก toolowtobeignoredandcouldonly
เป็น happenedinexcessiveratioof3 [NH3] / [SiCl3CH3].
(3) AdenseandcontinuousSi-C-N ceramicwasachievedby
การเคลื่อนไหว experiments.ThedepositsconsistofSi, C, รู่.
ศรี -C-N ternaryphasewasfoundtobeamorphousbyXPS
และ XRD.C-C, Si-C andSi-N bondsweredetectedfrom
วิเคราะห์ XPS, mostofwhichagreeswellwiththevaluesof

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

5. Conclusions
(1) ThethermodynamicphasediagramincludedC–SiC, C–
Si3N4 and SiC–C–Si3N4 under1173.15Kandsuitable
ratio ofSiC,Si3N4 and Ccouldbeobtainedthrough
controlling α¼[H2]/[SiCl3CH3], β¼3[NH3]/[SiCl3CH3]
and temperaturenomatterhowtotalpressurechanges.
The proportionofSiCphaseincreasedwhileCphase
decreasedwiththeincreaseof α.
(2) Thethree-dimensionalyieldmapabove1273.15Kshowed
ที่ theproductwascarbon richsicorsicphase และ amountofsi3n4 คือ toolowtobeignoredandcouldonly

เป็น happenedinexcessiveratioof3 [ nh3 ] / [ sicl3ch3 ] .
( 3 ) adenseandcontinuoussi –ซี– N ceramicwasachievedby
6 การทดลอง thedepositsconsistofsi , C , andn ( C ) N .
ศรี ternaryphasewasfoundtobeamorphousbyxps
XRD ) และ C C C ( N andsi ศรี–การวิเคราะห์ XPS bondsweredetectedfrom
, mostofwhichagreeswellwiththevaluesof