shows the XRD results. For the samp

shows the XRD results. For the sample without In inclusion, it has two additional peaks not associated with ZnO, but with ZnO2 or Zn. When the percentage of In incorporated in the mixed powders increases, the intensity of the peak of ZnO (002) is enhanced, while the intensity of ZnO (101) peak is diminished. Moreover, other peaks which do not belong to ZnO disappear. This result clearly shows that the crystalline purity of zinc oxide can be improved with the inclusion of In. From those reported previously [12], we now attempt to understand the above result. When the velocity of crystallization of ZnO is too fast, the morphology of the crystal will be a hexagonal awl. However, when the velocity of crystallization is steady, the crystal of ZnO will be hexagonal rods or wires. Under this circumstance, (101) faces would not appear and most crystal faces are (002) or (100). Our SEM results shown above are indeed in good agreement with this description. Because there is no any additional peaks appearing in the XRD data, the fraction of the inclusion of In in the growth process is therefore negligibly small, and its role is mainly to serve as a surfactant located on the newly grown surface, which will decrease the growth rate of zinc oxide. Besides, it can prevent the incorporation of impurities into the grown crystal and improve the crystalline purity. To further confirm our conjecture here, Raman scattering experiments were performed as shown in Fig. 2(b). We can clearly see that the half-width of the E2 mode of ZnO decreases with increasing percentage of In inclusion and the peak intensity also increases. The result illustrates that the crystalline quality can be greatly improved with the inclusion of In in the growth process.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

แสดงผล XRD สำหรับตัวอย่างโดยในรวม มียอดเพิ่มเติมสองที่ไม่เกี่ยวข้อง กับ ZnO แต่ ZnO2 หรือ Zn เมื่อเปอร์เซ็นต์ของส่วนประกอบในเพิ่มผสมผงใน ความเข้มของการสูงสุดของ ZnO (002) เพิ่ม ในขณะที่ความเข้มของ ZnO (101) สูงสุดจะลดลง นอกจากนี้ ยอดเขาอื่น ๆ ที่ไม่อยู่ใน ZnO หายไป ผลนี้ชัดเจนแสดงว่า ความบริสุทธิ์เป็นผลึกของซิงค์ออกไซด์สามารถปรับปรุง ด้วยของใน จากที่รายงาน ก่อนหน้านี้ [12], เราพยายามเข้าใจผลข้างต้น เมื่อความเร็วของการตกผลึกของ ZnO จะเร็วเกินไป รูปร่างผลึกจะเป็น awl หกเหลี่ยม อย่างไรก็ตาม เมื่อความเร็วของการตกผลึกเป็น steady คริสตัลของ ZnO จะก้านหกเหลี่ยมหรือสายไป ภายใต้สถานการณ์นี้ ใบหน้า (101) จะไม่ปรากฏ และหน้าผลึกส่วนใหญ่จะ (002) หรือ (100) ผล SEM ของเราข้างแน่นอนอยู่ในข้อตกลงที่ดีกับคำอธิบายนี้ เนื่องจากไม่มียอดเพิ่มเติม ปรากฏในข้อมูล XRD เศษของการรวมในการเติบโต กระบวนการจึงเล็ก negligibly และบทบาทของมันส่วนใหญ่จะเป็น surfactant ที่ตั้งอยู่บนพื้นที่ปลูกใหม่ ซึ่งจะลดอัตราการเติบโตของสังกะสีออกไซด์ นอกจาก มันสามารถป้องกันสิ่งสกปรกเข้าไปในผลึกเติบโตในการประสาน และปรับปรุงความบริสุทธิ์เป็นผลึก เพื่อยืนยันข้อความคาดการณ์ของเราเพิ่มเติม นี่ รามัน scattering ทดลองได้ดำเนินการมาก Fig. 2(b) เราอย่างชัดเจนจะเห็นว่า ความกว้างครึ่งหนึ่งของโหมด E2 ของ ZnO ลด มีเพิ่มเปอร์เซ็นต์ในการรวม และยังเพิ่มความเข้มสูงสุด ผลแสดงว่า คุณภาพผลึกสามารถมากปรับปรุงได้ มีการรวมของในในการเจริญเติบโต

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

แสดงให้เห็นถึงผล XRD สำหรับตัวอย่างโดยไม่ต้องในการรวมมันมีสองยอดเพิ่มเติมไม่เกี่ยวข้องกับซิงค์ออกไซด์ แต่มี ZnO2 หรือสังกะสี เมื่อในอัตราร้อยละของ บริษัท ที่จดทะเบียนในการเพิ่มผงผสมความเข้มของจุดสูงสุดของซิงค์ออกไซด์ที่ (002) จะเพิ่มขึ้นในขณะที่ความรุนแรงของซิงค์ออกไซด์ (ที่ 101) สูงสุดจะลดน้อยลง นอกจากนี้ยอดเขาอื่น ๆ ที่ไม่ได้เป็นของซิงค์ออกไซด์หายไป ผลที่ได้นี้แสดงให้เห็นชัดเจนว่ามีความบริสุทธิ์ผลึกของสังกะสีออกไซด์ได้ดีขึ้นด้วยการรวมของใน จากผู้ที่ได้รายงานไปแล้ว [12] ตอนนี้เราพยายามที่จะเข้าใจผลดังกล่าวข้างต้น เมื่อความเร็วของการตกผลึกของซิงค์ออกไซด์เป็นไปอย่างรวดเร็วเกินไปสัณฐานวิทยาของผลึกจะเป็นสว่านหกเหลี่ยม แต่เมื่อความเร็วของการตกผลึกเป็นคงผลึกของ ZnO จะเป็นแท่งหกเหลี่ยมหรือสาย ภายใต้สถานการณ์นี้ (101) ใบหน้าจะไม่ปรากฏและส่วนใหญ่ใบหน้าคริสตัล (002) หรือ (100) ผล SEM ของเราแสดงให้เห็นข้างต้นเป็นจริงในข้อตกลงที่ดีกับคำอธิบายนี้ เพราะไม่มียอดเพิ่มเติมใด ๆ ที่ปรากฏในข้อมูล XRD ที่ส่วนของการรวมในในกระบวนการเจริญเติบโตจึงเป็นขนาดเล็ก negligibly และบทบาทของตัวเองเป็นหลักในการทำหน้าที่เป็นแรงตึงผิวที่ตั้งอยู่บนพื้นผิวที่ปลูกขึ้นใหม่ซึ่งจะลดลง อัตราการเจริญเติบโตของสังกะสีออกไซด์ นอกจากนี้ยังสามารถป้องกันไม่ให้เกิดการรวมตัวของสิ่งสกปรกเข้าไปในผลึกปลูกและปรับปรุงความบริสุทธิ์ผลึก เพื่อเป็นการยืนยันการคาดเดาของเราที่นี่รามันทดลองการกระเจิงได้ดำเนินการดังแสดงในรูป 2 (ข) เราสามารถเห็นได้ชัดเจนว่าครึ่งความกว้างของโหมด E2 ของซิงค์ออกไซด์ลดลงด้วยอัตราร้อยละที่เพิ่มขึ้นของในการรวมและความเข้มสูงสุดนอกจากนี้ยังเพิ่ม ผลที่ได้แสดงให้เห็นว่ามีคุณภาพผลึกได้ดีขึ้นอย่างมากด้วยการรวมของในในกระบวนการเจริญเติบโต

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

แสดงวิเคราะห์ผลลัพธ์ สำหรับตัวอย่างในการรวมโดยไม่ได้เพิ่มเติมอีก 2 ยอด ไม่เกี่ยวข้องกับซิงค์ออกไซด์ แต่ zno2 หรือสังกะสี เมื่อเปอร์เซ็นต์ของบริษัทในในผสมเพิ่มผง , ความเข้มของจุดสูงสุดของ ZnO ( 002 ) เพิ่มขึ้น ในขณะที่ความเข้มของ ZnO ( 101 ) สูงสุดลดลง ส่วนยอดที่ไม่ได้เป็นของไฟฟ้าหายไปผลที่ได้นี้แสดงให้เห็นชัดเจนว่า ความบริสุทธิ์ของสังกะสีออกไซด์ผลึกที่สามารถปรับปรุงได้ ด้วยการรวมใน จากที่รายงานก่อนหน้านี้ [ 12 ] ตอนนี้เราพยายามที่จะเข้าใจผลข้างต้น เมื่อความเร็วของการตกผลึกของ ZnO จะเร็วเกินไป , โครงสร้างของผลึกจะถูกสว่านหกเหลี่ยม อย่างไรก็ตาม เมื่อความเร็วของการตกผลึกเป็นมั่นคงคริสตัลของซิงค์ออกไซด์จะเป็นแท่งหกเหลี่ยมหรือสายไฟ ภายใต้สถานการณ์นี้ ( 101 ) ใบหน้าจะไม่ปรากฏขึ้นและใบหน้าคริสตัลส่วนใหญ่ ( 002 ) หรือ ( 100 ) จากผลลัพธ์ที่แสดงข้างต้นของเราแน่นอน มีความสอดคล้องกับคำอธิบายนี้ เพราะไม่มีเพิ่มเติมใด ๆที่ปรากฏในข้อมูล XRD พีค สัดส่วนของการรวมในกระบวนการเจริญเติบโต จึง negligibly ขนาดเล็กและบทบาทของหลักเพื่อใช้เป็นสารลดแรงตึงผิวตั้งอยู่บนพื้นผิวใหม่ที่เติบโตขึ้น ซึ่งจะลดอัตราการเติบโตของสังกะสีออกไซด์ นอกจากนี้ มันสามารถป้องกันการปลอมเข้าไปปลูกผลึกและปรับปรุงความบริสุทธิ์ของผลึก เพื่อเพิ่มเติมยืนยันการคาดเดาของเราที่นี่ รามันกระจัดกระจายทดลองดังแสดงในรูปที่ 2 ( ข )เราสามารถเห็นได้อย่างชัดเจนว่า ครึ่งความกว้างของ E2 โหมดซิงค์ออกไซด์ลดลงด้วยการเพิ่มเปอร์เซ็นต์ในการรวมและความเข้มสูงสุดนอกจากนี้ยังเพิ่มขึ้น ผลแสดงให้เห็นว่าคุณภาพของผลึกสามารถเป็นอย่างมาก ด้วยการรวมในกระบวนการเจริญเติบโต