We have grown GaN on porous SiC sub

We have grown GaN on porous SiC substrates and studied the effect of
substrate porosity on the overgrown film quality in terms of defect structure and density
and film strain. The growth was performed by plasma-assisted molecular beam epitaxy
(PAMBE). The GaN films were characterized by x-ray, transmission electron microscopy
(TEM) and wafer curvature measurements by surface profilometry. TEM images show
that the GaN film grown on porous substrates contains open tubes and a low dislocation
density in regions between tubes. We discuss various growth mechanisms that can lead to
these defect features in the GaN film. However, we do not find any overall improvement
in the x-ray rocking curve FWHM of the GaN films grown on porous substrates
compared to those on nonporous substrates. It was found that the GaN films grown on
porous SiC were significantly more strain relaxed compared to those grown on nonporous
substrate. We propose various mechanisms that can lead to the reduction in strain in GaN
films grown on porous substrates a

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เรามีปลูกกันบนพื้นผิวมีรูพรุน SiC และศึกษาผลของการความพรุนของพื้นผิวบนคุณภาพฟิล์มรกในแง่โครงสร้างข้อบกพร่องและความหนาแน่นและสายพันธุ์ของฟิล์ม การเจริญเติบโตทำ โดย epitaxy ช่วยพลาลำโมเลกุล(PAMBE) ฟิล์มกันมีลักษณะ โดยเอ็กซเรย์ รับส่งอิเล็กตรอน(TEM) และเวเฟอร์โค้งวัด โดย profilometry พื้นผิว แสดงภาพเต็มว่า ฟิล์มกันปลูกบนพื้นผิวมีรูพรุนประกอบด้วยกระดูกเคลื่อนต่ำและเปิดหลอดความหนาแน่นในภูมิภาคระหว่างหลอด เรากล่าวถึงกลไกการเจริญเติบโตต่าง ๆ ที่สามารถนำไปคุณลักษณะข้อบกพร่องเหล่านี้ในภาพยนตร์กัน อย่างไรก็ตาม เราไม่พบการปรับปรุงโดยรวมใน x-ray โยกโค้ง FWHM ฟิล์มกันที่ปลูกบนพื้นผิวมีรูพรุนเมื่อเทียบกับบนพื้นผิว nonporous พบว่าฟิล์มกันที่ปลูกในSiC รูพรุนถูกมากเครียดผ่อนคลายและเมื่อเทียบกับปลูกใน nonporousพื้นผิว เรานำเสนอกลไกต่าง ๆ ที่จะนำไปสู่การลดความเครียดในไอแลนด์ภาพยนตร์ที่เติบโตบนพื้นผิวมีรูพรุน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เราได้เติบโตกานกับพื้นผิวที่มีรูพรุน SiC และการศึกษาผลกระทบของ
สารตั้งต้นพรุนกับคุณภาพฟิล์มรกในแง่ของโครงสร้างข้อบกพร่องและความหนาแน่น
และความเครียดภาพยนตร์ การเจริญเติบโตได้ดำเนินการโดยพลาสม่าช่วยผลิต molecular beam epitaxy
(PAMBE) ภาพยนตร์กานโดดเด่นด้วย X-ray กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอน
(TEM) และการวัดความโค้งเวเฟอร์โดย profilometry พื้นผิว ภาพ TEM แสดง
ว่าฟิล์มกานปลูกบนพื้นผิวที่มีรูพรุนมีท่อที่เปิดกว้างและความคลาดเคลื่อนต่ำ
หนาแน่นในภูมิภาคระหว่างหลอด เราจะหารือถึงการเจริญเติบโตของกลไกต่างๆที่สามารถนำไปสู่
​​คุณลักษณะข้อบกพร่องเหล่านี้ในภาพยนตร์กาน แต่เราจะไม่พบการปรับปรุงโดยรวมใด ๆ
ใน X-ray โยกโค้ง FWHM ของภาพยนตร์กานปลูกบนพื้นผิวที่มีรูพรุน
เมื่อเทียบกับผู้ที่อยู่ในพื้นผิว nonporous มันก็พบว่าภาพยนตร์กานปลูกใน
รูพรุน SIC ถูกความเครียดอย่างมีนัยสำคัญผ่อนคลายมากขึ้นเมื่อเทียบกับผู้ที่ปลูกใน nonporous
สารตั้งต้น เราเสนอกลไกต่างๆที่สามารถนำไปสู่การลดความเครียดในกาน
ภาพยนตร์ที่ปลูกบนพื้นผิวที่มีรูพรุน