A general-purpose Schottky diode ma

A general-purpose Schottky diode manufactured by the Vishay Corporation appears in
Fig. 16.5 with the maximum ratings and electrical characteristics. Note in the maximum
ratings that the peak V R is limited to 30 V and the maximum forward current is limited to
200 mA  0.2 A. However, it can handle a surge current of 5 A if necessary. The electrical
characteristics reveal that at low currents neighboring 1 mA (just above the turn-on level)
the forward voltage is a maximum of 0.32 V, which is significantly less than the 0.7 V of a
typical silicon diode. The current must reach a level approaching 80 mA before the forward

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ผลิต โดย บริษัท Vishay ไดโอด Schottky ใช้งานทั่วไปปรากฏในรูปการ 16.5 มีการจัดอันดับสูงสุดและคุณลักษณะทางไฟฟ้า หมายเหตุในจำนวนสูงสุดจำกัดถูกจัดอันดับว่าจุดสูงสุด V R 30 V และส่งต่อกระแสสูงสุดก. mA 0.2 200 อย่างไรก็ตาม มันสามารถจัดการกับกระแสไฟกระชาก 5 A ถ้าจำเป็น การไฟฟ้าลักษณะเปิดเผยว่า ที่กระแสต่ำใกล้เคียง 1 mA (เหนือระดับเปิด)แรงดันไปข้างหน้าคือ สูงสุด 0.32 V ซึ่งได้มากน้อยกว่า 0.7 V ของตัวไดโอดซิลิคอนทั่วไป ปัจจุบันต้องถึงระดับใกล้ 80 mA ก่อนการส่งต่อ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

วัตถุประสงค์ทั่วไปไดโอด Schottky ผลิตโดย Vishay คอร์ปอเรชั่นปรากฏใน
รูป 16.5 มีการจัดอันดับสูงสุดและคุณสมบัติทางไฟฟ้า หมายเหตุ: ในสูงสุด
การจัดอันดับว่าจุดสูงสุด VR ถูก จำกัด ไว้ที่ 30 V และสูงสุดไปข้างหน้าในปัจจุบันถูก จำกัด ไว้ที่
200 มิลลิแอมป์? 0.2 A. แต่ก็สามารถจัดการกับกระแสการหลั่งไหลของ 5 ในกรณีที่จำเป็น ไฟฟ้า
ลักษณะที่แสดงให้เห็นว่ากระแสต่ำใกล้เคียง 1 mA (เพียงข้างต้นเปิดในระดับ)
แรงดันไปข้างหน้าเป็นสูงสุด 0.32 V ซึ่งเป็นอย่างมีนัยสำคัญน้อยกว่า 0.7 V ของ
ไดโอดซิลิคอนทั่วไป ปัจจุบันต้องถึงระดับใกล้ 80 mA ก่อนที่จะไปข้างหน้าได้

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เป็นเครื่องที่ผลิตโดย บริษัท วิชัยไดโอดชอทท์กี้ ปรากฏในรูปที่มีคะแนนสูงสุด 16.5 และคุณลักษณะทางไฟฟ้า หมายเหตุในสูงสุดการจัดอันดับ ที่ยอดเขา V R จำกัดที่ 30 V และกระแสสูงสุดไปข้างหน้า จํากัด200 มา 0.2 A แต่มันสามารถจัดการกับกระแสปัจจุบันของ 5 ถ้าจำเป็น ไฟฟ้าลักษณะที่ 1 เปิดเผยว่า กระแสต่ำมา เพื่อนบ้าน ( เหนือระดับเปิด )แรงดันไปข้างหน้าจะได้สูงสุด 0.32 V ซึ่งเป็นอย่างมีนัยสำคัญน้อยกว่า 0.7 V ของซิลิคอนไดโอดทั่วไป ปัจจุบันต้องถึงระดับใกล้ 80 ก่อนส่งต่อมา