Porous Si was formed on n-Silicon w

Porous Si was formed on n-Silicon wafers, modified with fine Pt particles, by simply immersing the wafers in a HF solution without a bias or an oxidizing agent. The Pt particles were deposited onto n-Silicon wafers by electrodeposition or electroless displacement deposition. SEM images show that many pores, ranging between 0.1 and 0.8 lm in diameter and covered with a luminescent nanoporous layer, were formed only on the Pt-modified area of the n-Si surface by immersion in 7.3 M HF solution for 24 h. The weight loss of Pt-electrodeposited n-Silicon wafer was 0.46 mg cm, corresponding to ca. 2 lm in thickness. The weight loss and the structure of porous Silicon changed with the etching conditions, such as concentration of dissolved oxygen in the HF solution, distribution density of metal particles, and different kinds of metal particles. A photoelectrochemical solar cell equipped with a Ptparticle- modified porous n-Silicon electrode gave 13.3 mW cm of maximum output power, which corresponds to a 13% conversion efficiency and is higher than that for the Pt-particle-modified flat n-Si electrode.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

มีรูพรุนศรีที่ถูกสร้างขึ้นบนเวเฟอร์ n-ซิลิคอนแก้ไขด้วยอนุภาค Pt โดยเพียงแค่แช่เวเฟอร์ในการแก้ปัญหา HF โดยไม่อคติหรือตัวแทนออกซิไดซ์ อนุภาค Pt ถูกฝากไว้บนเวเฟอร์ n-Silicon โดยอิเล็กโทรหรือปลดออกจากรางไฟฟ้า ภาพ SEM แสดงให้เห็นว่ารูขุมขนจำนวนมากระหว่าง 0.1 และ 0.8 ไมครอนในเส้นผ่าศูนย์กลางและปกคลุมด้วยชั้นเรืองแสง nanoporous, ได้เกิดขึ้นเฉพาะในพื้นที่ PT-แก้ไขของพื้นผิว n-Si โดยการแช่ในการแก้ปัญหา 7.3 M HF เป็นเวลา 24 ชั่วโมง การสูญเสียน้ำหนักของ PT-electrodeposited n-ซิลิคอนเวเฟอร์เป็น 0.46 mg ซม. ซึ่งสอดคล้องกับแคลิฟอร์เนีย 2 LM ในความหนา การสูญเสียน้ำหนักและโครงสร้างของรูพรุนซิลิคอนที่มีการเปลี่ยนแปลงเงื่อนไขการแกะสลักเช่นความเข้มข้นของออกซิเจนที่ละลายในสารละลาย HF ความหนาแน่นกระจายของอนุภาคโลหะและแตกต่างกันของอนุภาคโลหะ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

มีรูพรุน Si ถูกสร้างขึ้นบนตัวที่มีการปรับเปลี่ยนด้วยอนุภาค Pt ดีโดยเพียงแค่นำในการแก้ปัญหา HF โดยไม่มีอคติหรือตัวแทนออกซิไดซ์ อนุภาค Pt ถูกฝากลงในตัวรับของ n-ซิลิคอนโดยการสะสมของไฟฟ้าหรือการสะสมของการเคลื่อนที่ของไฟฟ้าน้อยลง ภาพ SEM แสดงให้เห็นว่ามีรูขุมขนจำนวนมากตั้งแต่ระหว่าง๐.๑และ๐.๘ lm ในเส้นผ่าศูนย์กลางและปกคลุมด้วยชั้นนาโนที่มีรูพรุนที่มีการสร้างขึ้นเฉพาะในพื้นที่ที่ปรับเปลี่ยน Pt ของพื้นผิว n-Si โดยการแช่ใน๗.๓โซลูชั่นที่มีความเป็นไปได้สำหรับ24ชั่วโมง การสูญเสียน้ำหนักของ Pt-อิเล็ก-ซิลิโคนเวเฟอร์มี๐.๔๖มก. ซม. สอดคล้องกับ ca ความหนา2ลิตร การสูญเสียน้ำหนักและโครงสร้างของรูพรุนเปลี่ยนแปลงด้วยเงื่อนไขการกัดตัว, เช่นความเข้มข้นของออกซิเจนที่ละลายในสารละลาย HF, ความหนาแน่นของการกระจายของอนุภาคโลหะ, และชนิดของอนุภาคโลหะที่แตกต่างกัน. โซล่าร์เซลล์แสงอาทิตย์ที่มาพร้อมกับขั้วไฟฟ้า n-ซิลิคอนที่มีรูพรุนที่ปรับเปลี่ยนได้ซึ่งจะให้กำลังไฟสูงสุดที่๑๓.๓ mW ซึ่งสอดคล้องกับประสิทธิภาพการแปลง13% และสูงกว่าสำหรับขั้วไฟฟ้า n--อนุภาคที่ปรับเปลี่ยนได้

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ซิลิคอนที่มีรูพรุนที่เกิดขึ้นบนชิปซิลิคอนและดัดแปลงด้วยอนุภาคขนาดเล็กเพียงแช่ชิปใน HF โซลูชั่นโดยไม่ลำเอียงหรืออนุมูลอิสระ การสะสมของอนุภาคตะกั่วบนซิลิคอนเวเฟอร์โดยการตกตะกอนด้วยไฟฟ้าหรือการเปลี่ยนแปลงทางเคมี SEM พบว่ามีเพียงรูพรุนโครงสร้างที่เกิดขึ้นระหว่าง 0.1.0.8lm และพื้นผิวที่ปกคลุมด้วยชั้นนาโนเรืองแสงที่มีรูพรุนที่มีน้ำหนักลดลงของ n-si ชิป 0.4cm และความหนาประมาณ 2lm การสูญเสียน้ำหนักและโครงสร้างของซิลิคอนที่มีรูพรุนที่แตกต่างกันขึ้นอยู่กับการกัดกร่อนเช่นความเข้มข้นของออกซิเจนที่ละลายในสารละลาย HF ความหนาแน่นของอนุภาคโลหะและชนิดที่แตกต่างกันของ เซลล์แสงอาทิตย์ที่มีรูพรุน n-si ขั้วไฟฟ้าถูกแก้ไขด้วย PTP เม็ดพลังงานสูงสุดคือ 13.3mw เซ็นต์และประสิทธิภาพการแปลงเป็น 13 เปอร์เซ็นต์