Highly oriented and transparent ZnO

Highly oriented and transparent ZnO thin films have been fabricated on ultrasonically cleaned quartz substrates by the sol-gel technique. X-ray diffraction, UV-VIS, FTIR, photoluminescence and SEM are used to characterize ZnO thin films. X-ray diffraction study show that all the films prepared in this work have hexagonal wurtzite structure, with lat- tice constants a = b = 3.260 Å, c = 5.214 Å. The optical band gap energy of the thin films is found to be direct allowed transition ~3.24 eV. The FTIR spectrum of the film has the characteristics ZnO absorption band at 482 cm−1. The pho- toluminescence spectrum of the samples has an UV emission peak centred at 383 nm with broad band visible emission centred in the range of 500 - 600 nm.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ZnO แนวสูง และโปร่งใสฟิล์มบางมีการหลังสร้างบน ultrasonically ทำความสะอาดพื้นผิวควอตซ์ โดยเทคนิคซอลเจล การเลี้ยวเบนเอ็กซ์เรย์ UV-VIS, FTIR, photoluminescence และ SEM ใช้เพื่อลักษณะของฟิล์มบาง ZnO ศึกษาการเลี้ยวเบนเอกซเรย์แสดงว่า ภาพยนตร์ทั้งหมดที่เตรียมไว้ในงานนี้มีโครงสร้าง wurtzite หกเหลี่ยม มีลาด tice ค่าคง = b = 3.260 Å c = 5.214 Å พลังงานช่องว่างแถบแสงของฟิล์มบางอยู่ให้ตรงได้เปลี่ยน ~3.24 eV สเปคตรัม FTIR ของฟิล์มมีลักษณะ ZnO ดูดซึมวงที่ 482 cm−1 สเปกตรัมโพธิ์ toluminescence ตัวอย่างมีราคาสูงมลพิษ UV มีศูนย์กลางที่ 383 nm มีมลพิษเห็นวงกว้างศูนย์กลางในช่วง 500-600 nm

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ที่มุ่งเน้นความโปร่งใสสูงและซิงค์ออกไซด์ฟิล์มบางได้รับการประดิษฐ์ในการทำความสะอาดพื้นผิว ultrasonically ควอทซ์โดยวิธีโซลเจล X-ray diffraction, UV-VIS, FTIR, สเซนต์และ SEM จะใช้ในลักษณะซิงค์ออกไซด์ฟิล์มบาง X-ray ศึกษาการเลี้ยวเบนที่ภาพยนตร์ทุกเรื่องที่เตรียมไว้ในงานนี้มีโครงสร้าง wurtzite หกเหลี่ยมที่มีค่าคง Tice lat- b = = 3.260 A, C = 5.214 Å ช่องว่างแถบพลังงานแสงของฟิล์มบางจะพบว่ามีการเปลี่ยนแปลงที่ได้รับอนุญาตโดยตรง ~ 3.24 eV สเปกตรัม FTIR ของภาพยนตร์เรื่องนี้มีลักษณะการดูดซึมวงซิงค์ออกไซด์ที่ 482 ซม. 1 สเปกตรัม toluminescence pho- ของกลุ่มตัวอย่างมีการปล่อยก๊าซสูงสุด UV ศูนย์กลางที่ 383 นาโนเมตรที่มีการปล่อยก๊าซเรือนกระจกที่มองเห็นได้ในวงกว้างเป็นศูนย์กลางในช่วง 500-600 นาโนเมตร

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ขอเน้น และโปร่งใสซิงค์ออกไซด์ฟิล์มบางได้ถูกสร้าง ultrasonically ล้างควอตซ์พื้นผิวโดยเทคนิคโซล - เจล เทคนิคการเลี้ยวเบนรังสีเอ็กซ์แบบเหล็ก , FTIR SEM , และจะใช้ในลักษณะของซิงค์ออกไซด์แบบฟิล์มบาง การศึกษาการเลี้ยวเบนของรังสีเอกซ์แสดงให้เห็นว่าทั้งภาพยนตร์ที่เตรียมไว้ในงานนี้มีโครงสร้าง wurtzite หกเหลี่ยมด้วยลาด - ไทซ์ค่าคงที่ a = b = 3.260 กริพเพน , C = 5.214 • .แสงช่องว่างแถบพลังงานของฟิล์มบางอยู่ตรงอนุญาตให้เปลี่ยน ~ 3.24 EV ( สเปกตรัมของฟิล์ม ZnO มีลักษณะการดูดกลืนที่ 482 cm − 1 โพธิ์ - toluminescence สเปกตรัมของกลุ่มตัวอย่างมี UV สูงสุดที่ 383 nm กับศูนย์กลางการมองเห็น การบรอดแบนด์เพิ่มขึ้นในช่วง 500 - 600 นาโนเมตร