merging technologies: Non-Volatile

merging technologies: Non-Volatile Memory
The memory technologies that dominate the computing industry today are, DRAM and NAND flash; but it should be noted that both of these technologies have their pros and cons. DRAM delivers the highest performance (latency / speed), with practically infinite endurance, yet it is volatile and has much lower capacity points than other memories (i.e NAND flash). NAND flash, on the other hand, scales to high capacity and is non-volatile, relatively cheap ($/Gbit) but is significantly slower than DRAM. Additionally NAND flash endurance and data retention are getting worse as process geometries continue to shrink, meaning that for write intensive enterprise applications, NAND flash, in the long term, may well not be an optimal memory technology.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ผสานเทคโนโลยี: หน่วยความจำไม่ระเหยเป็นเทคโนโลยีหน่วยความจำที่ครองอุตสาหกรรมคอมพิวเตอร์วันนี้ DRAM และ NAND แฟลช แต่ควรสังเกตว่า ทั้งสองเทคโนโลยีเหล่านี้มีข้อดีของพวกเขา และผู้บริโภค DRAM ประสิทธิภาพสูงสุด (แฝง / ความเร็ว), ด้วยความอดทนจริงอนันต์ มันมีความผันผวน และยังมีจุดกำลังการผลิตที่ต่ำกว่าความทรงจำอื่น ๆ (เช่นแฟลช NAND) NAND แฟลช คง ปรับขนาดเพื่อความจุสูง และจะไม่ลบ ราคาค่อนข้างถูก ($Gbit) ได้ช้ามากกว่า DRAM นอกจากนี้ NAND แฟลชความทนทานและเก็บรักษาข้อมูลได้รับการแย่ลงเป็นรูปทรงเรขาคณิตที่กระบวนการจะหด ซึ่ง สำหรับแอพพลิเคชันระดับองค์กรเร่งรัดเขียน NAND แฟลช ในระยะยาว อาจดีไม่ มีเทคโนโลยีที่เหมาะสมหน่วยความจำ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เทคโนโลยีการควบรวม: หน่วยความจำไม่ระเหย
เทคโนโลยีหน่วยความจำที่ครองอุตสาหกรรมคอมพิวเตอร์ในวันนี้มีหน่วยความจำ DRAM และ NAND แฟลช; แต่มันควรจะตั้งข้อสังเกตว่าทั้งสองของเทคโนโลยีเหล่านี้มีข้อดีและข้อเสียของพวกเขา DRAM มอบประสิทธิภาพสูงสุด (แฝง / ความเร็ว) กับความอดทนไม่มีที่สิ้นสุดจริง แต่มันก็มีความผันผวนและมีจุดที่ต่ำกว่ามากความจุกว่าความทรงจำอื่น ๆ (เช่นแฟลช NAND) NAND แฟลชบนมืออื่น ๆ , เครื่องชั่งความจุสูงและไม่ระเหยค่อนข้างถูก ($ / Gbit) แต่อย่างช้ากว่า DRAM นอกจากแฟลช NAND ความอดทนและการเก็บรักษาข้อมูลที่จะได้รับเลวร้ายยิ่งเป็นรูปทรงเรขาคณิตที่กระบวนการยังคงหดตัวซึ่งหมายความว่าสำหรับการใช้งานขององค์กรอย่างเข้มข้นเขียนแฟลช NAND ในระยะยาวอาจจะดีไม่เป็นเทคโนโลยีหน่วยความจำที่ดีที่สุด