This accumulation layer formation c

This accumulation layer formation clearly increases the electron carrier density in ZnO surface as shown Fig. 12(b). It can be also confirmed that the lower resistance in acetone atmosphere obtained from the ZnO:Nb2O5 rather than pure ZnO as shown in Fig. 9 (a).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

นอกจากนี้สร้างเลเยอร์นี้สะสมชัดเจนเพิ่มหนาแน่นของผู้ขนส่งอิเล็กตรอนใน ZnO surface เป็น 12(b) รูปแสดง มันสามารถยังยืนยันว่า ความต้านทานต่ำในอะซิโตนได้จาก ZnO:Nb2O5 แทนที่เป็นเพียว ZnO ดังแสดงในรูป 9 (ก)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การก่อตัวสะสมชั้นนี้อย่างชัดเจนเพิ่มความหนาแน่นของอิเล็กตรอนให้บริการในพื้นผิว ZnO ที่แสดงรูป 12 (ข) มันอาจจะยังยืนยันว่าความต้านทานที่ต่ำกว่าในบรรยากาศอะซิโตนที่ได้รับจาก ZnO นี้: Nb2O5 มากกว่า ZnO บริสุทธิ์ดังแสดงในรูป 9 (ก)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

นี้การสะสมการก่อชั้นชัดเจนเพิ่มอิเล็กตรอนความหนาแน่นในพื้นผิวที่เป็นพาหะไฟฟ้าแสดงรูปที่ 12 ( B ) มันก็ยังยืนยันว่าลดความต้านทานในบรรยากาศแบบที่ได้จากซิงค์ออกไซด์ : nb2o5 มากกว่า ZnO บริสุทธิ์ดังแสดงในรูปที่ 9 ( )