Memory Cells and DRAMMemory is made

Memory Cells and DRAM
Memory is made up of bits arranged in a two-dimensional grid.
In this figure, red cells represent 1s and white cells represent 0s. In the animation, a column is selected and then rows are charged to write data into the specific column.
Memory cells are etched onto a silicon wafer in an array of columns (bitlines) and rows (wordlines). The intersection of a bitline and wordline constitutes the address of the memory cell.
DRAM works by sending a charge through the appropriate column (CAS) to activate the transistor at each bit in the column. When writing, the row lines contain the state the capacitor should take on. When reading, the sense-amplifier determines the level of charge in the capacitor. If it is more than 50 percent, it reads it as a 1; otherwise it reads it as a 0. The counter tracks the refresh sequence based on which rows have been accessed in what order. The length of time necessary to do all this is so short that it is expressed in nanoseconds (billionths of a second). A memory chip rating of 70ns means that it takes 70 nanoseconds to completely read and recharge each cell.
Memory cells alone would be worthless without some way to get information in and out of them. So the memory cells have a whole support infrastructure of other specialized circuits. These circuits perform functions such as:
Identifying each row and column (row address select and column address select)
Keeping track of the refresh sequence (counter)
Reading and restoring the signal from a cell (sense amplifier)
Telling a cell whether it should take a charge or not (write enable)
Other functions of the memory controller include a series of tasks that include identifying the type, speed and amount of memory and checking for errors.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เซลล์หน่วยความจำและ DRAM
หน่วยความจำขึ้นเป็นบิตจัดเป็นสองเส้น
ในรูปนี้ เซลล์สีแดงแสดงถึง 1s และเม็ดขาวแทน 0 s ในภาพเคลื่อนไหว เลือกคอลัมน์ และจากนั้น ชาร์จแถวเขียนข้อมูลเป็นการระบุคอลัมน์
เซลล์หน่วยความจำที่สลักลงบนแผ่นเวเฟอร์ซิลิกอนในคอลัมน์ (bitlines) และแถว (wordlines) ของ bitline และ wordline อยู่ของหน่วยความจำเซลล์ถือ
DRAM ทำงาน โดยส่งค่าผ่านคอลัมน์ที่เหมาะสม (CAS) เพื่อเรียกใช้งานทรานซิสเตอร์ในแต่ละบิตในคอลัมน์ เมื่อเขียน บรรทัดแถวประกอบด้วยตัวเก็บประจุควรใช้ในรัฐ เมื่ออ่าน ขยายความกำหนดระดับค่าใช้จ่ายในการเก็บประจุ ถ้ามากกว่า 50 เปอร์เซ็นต์ จะอ่านเป็น 1 มิฉะนั้น จะอ่านมันเป็นการ เคาน์เตอร์การติดตามลำดับฟื้นฟูตามแถวที่มีการเข้าถึงลำดับ ระยะเวลาที่จำเป็นต้องทำทั้งหมดนี้เป็นระยะสั้นเพื่อเป็นแสดงใน nanoseconds (billionths ของที่สอง) ชิปที่เป็นหน่วยความจำของ 70ns หมายความ ว่า ใช้ nanoseconds 70 อ่านทั้งหมด และชาร์จแต่ละเซลล์
เซลล์หน่วยความจำเพียงอย่างเดียวจะสามหาวไม่ มีบางวิธีการรับข้อมูลเข้าและออกจากพวกเขา ดังนั้น เซลล์หน่วยความจำมีโครงสร้างพื้นฐานสนับสนุนทั้งหมดของวงจรอื่น ๆ เฉพาะ วงจรเหล่านี้ทำหน้าที่เช่น:
ระบุแต่ละแถวและคอลัมน์ (เลือกแถวที่อยู่และเลือกคอลัมน์ที่อยู่)
ติดตามของลำดับฟื้นฟู (เคาน์เตอร์)
การอ่าน และการคืนค่าสัญญาณจากเซลล์ (ขยายความ)
บอกเซลล์ว่ามันควรใช้ค่าธรรมเนียมได้ หรือไม่ (เขียนให้)
ชุดของงานที่ระบุชนิด ความเร็ว และจำนวนของหน่วยความจำ และตรวจสอบข้อผิดพลาด รวมถึงฟังก์ชั่นอื่น ๆ ของตัวควบคุมหน่วยความจำ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เซลล์หน่วยความจำและ DRAM
หน่วยความจำถูกสร้างขึ้นจากบิตจัดในตารางสองมิติ
ในรูปนี้เซลล์เม็ดเลือดแดงเป็นตัวแทนของ 1s และเม็ดเลือดขาวเป็นตัวแทนของ 0s ในการเคลื่อนไหวคอลัมน์ถูกเลือกและจากนั้นแถวที่เป็นค่าใช้จ่ายในการเขียนข้อมูลลงในคอลัมน์ที่เฉพาะเจาะจง
เซลล์หน่วยความจำจะถูกสลักลงบนแผ่นเวเฟอร์ซิลิกอนในอาเรย์ของคอลัมน์ (bitlines) และแถว (wordlines) สี่แยก Bitline และ Wordline ถือว่าเป็นที่อยู่ของเซลล์หน่วยความจำ
DRAM ทำงานโดยการส่งเสียค่าใช้จ่ายผ่านทางคอลัมน์ที่เหมาะสม (CAS) เพื่อเปิดใช้งานทรานซิสเตอร์ในแต่ละบิตในคอลัมน์ เมื่อเขียนเส้นแถวมีตัวเก็บประจุรัฐควรจะใช้เวลาในการ เมื่ออ่านความรู้สึกเครื่องขยายเสียงเป็นตัวกำหนดระดับของค่าใช้จ่ายในการเก็บประจุ ถ้ามันเป็นมากกว่าร้อยละ 50 มันอ่านว่ามันเป็น 1; มิฉะนั้นจะอ่านมันเป็น 0 เคาน์เตอร์ติดตามลำดับการฟื้นฟูตามแถวที่ได้รับการเข้าถึงได้ในสิ่งที่สั่ง ระยะเวลาที่จำเป็นในการทำทั้งหมดนี้เป็นระยะสั้นเพื่อให้มีการแสดงในนาโนวินาที (พันล้านของวินาที) คะแนนชิปหน่วยความจำของ 70ns หมายความว่ามันจะใช้เวลา 70 นาโนวินาทีสมบูรณ์อ่านและเติมเซลล์แต่ละ
เซลล์หน่วยความจำเพียงอย่างเดียวจะไร้ค่าโดยไม่ต้องวิธีการบางอย่างเพื่อให้ได้ข้อมูลเข้าและออกจากพวกเขา ดังนั้นเซลล์หน่วยความจำมีโครงสร้างพื้นฐานการสนับสนุนทั้งวงจรพิเศษอื่น ๆ วงจรเหล่านี้ทำหน้าที่เช่น
การระบุแต่ละแถวและคอลัมน์ (ที่อยู่แถวเลือกและที่อยู่คอลัมน์ที่เลือก)
การติดตามของลำดับการฟื้นฟู (เคาน์เตอร์)
การอ่านและการกู้คืนสัญญาณจากเซลล์ (เครื่องขยายเสียงความรู้สึก)
บอกเซลล์ว่ามันควรจะใช้เวลา คิดค่าใช้จ่ายหรือไม่ (เขียนเปิดใช้งาน)
ฟังก์ชั่นอื่น ๆ ของตัวควบคุมหน่วยความจำรวมถึงชุดของงานที่รวมถึงการระบุประเภทความเร็วและปริมาณของหน่วยความจำและการตรวจสอบหาข้อผิดพลาด

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เซลล์หน่วยความจำและหน่วยความจำ DRAM
ขึ้นของบิตในการจัดตารางสองมิติ
ในรูปนี้ เซลล์สีแดงและสีขาวเซลล์เป็นตัวแทนของ 1s 0s ในการเคลื่อนไหว , คอลัมน์ไว้แล้วแถวคิดค่าเขียนข้อมูลลงในคอลัมน์ที่เฉพาะเจาะจง .
เซลล์หน่วยความจำจะฝังลงบนซิลิคอนเวเฟอร์ ใน อาร์เรย์ของคอลัมน์ ( bitlines ) และแถว ( wordlines )จุดตัดของ bitline ที่นําถือและที่อยู่ของหน่วยความจำ DRAM ทำงานเซลล์
โดยส่งค่าผ่านคอลัมน์ที่เหมาะสม ( CAS ) เพื่อเปิดใช้งานทรานซิสเตอร์ในแต่ละบิต ในคอลัมน์ เมื่อเขียน แถวบรรทัดประกอบด้วยสถานะประจุควรใช้ใน เมื่ออ่าน ความรู้สึกแอมป์เป็นตัวกําหนดระดับของประจุในตัวเก็บประจุ ถ้ามันเป็นมากกว่า 50 เปอร์เซ็นต์มันอ่าน มันเป็น 1 ; มิฉะนั้นมันอ่านมันเป็น 0 เคาน์เตอร์ติดตามฟื้นฟูลำดับตามแถวที่มีการเข้าถึงในสิ่งที่สั่ง ความยาวของเวลาที่จำเป็นที่จะทำทั้งหมดนี้เพื่อให้สั้น ๆที่มันจะแสดงในนาโนวินาที ( หนึ่งในพันล้านของวินาที ) เป็นคะแนนของชิปหน่วยความจำ 70ns หมายความว่าจะใช้เวลา 70 นาโนวินาทีอย่างสมบูรณ์และชาร์จ
อ่านแต่ละเซลล์เซลล์หน่วยความจำเพียงอย่างเดียวจะไร้ค่า ถ้าไม่มีวิธีที่จะได้รับข้อมูลที่เข้าและออกของพวกเขา ดังนั้น เซลล์หน่วยความจำมีโครงสร้างพื้นฐานรองรับทั้งวงจรพิเศษอื่น ๆ วงจรเหล่านี้ปฏิบัติหน้าที่เช่น
ระบุแต่ละแถวและคอลัมน์ ( ที่อยู่แถวเลือกและคอลัมน์ที่อยู่เลือก )
ติดตามฟื้นฟูลำดับ ( Counter )
การอ่านและฟื้นฟูสัญญาณจากเซลล์ ( เครื่องขยายเสียงความรู้สึก )
บอกเซลล์ว่า มันควรใช้เวลาค่าใช้จ่ายหรือไม่ ( เขียนให้ )
ฟังก์ชั่นอื่น ๆของหน่วยความจำควบคุมรวมถึงชุดของงานที่มีการระบุชนิด , ความเร็วและปริมาณของหน่วยความจำและการตรวจสอบข้อผิดพลาด .