This stress is amplified by the mat

This stress is amplified by the matrix structure of flash memories which causes interference phenomena between cells. This defect causes wrong bits on original user data.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ความเครียดนี้เป็นขยาย โดยโครงสร้างเมตริกซ์ของความทรงจำแฟลชซึ่งทำให้เกิดปรากฏการณ์คลื่นแทรกระหว่างเซลล์ ความบกพร่องนี้ทำให้บิตที่ไม่ถูกต้องในข้อมูลผู้ใช้เดิม

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ความเครียดนี้จะขยายโดยโครงสร้างของเมทริกซ์ของความทรงจำแฟลชที่ทำให้เกิดปรากฏการณ์การรบกวนระหว่างเซลล์ ข้อบกพร่องนี้ทำให้บิตที่ไม่ถูกต้องของข้อมูลผู้ใช้เดิม

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ความเครียดนี้จะขยายโดยโครงสร้างของ Flash ความทรงจำซึ่งเป็นสาเหตุของปรากฏการณ์การแทรกสอดระหว่างเซลล์ สาเหตุข้อบกพร่องนี้บิตที่ผิดพลาดในข้อมูลผู้ใช้เดิม