But it is prone to degradation. Som

But it is prone to degradation. Some of the varieties of amorphous silicon are amorphous silicon carbide (a-SiC), amor- phous silicon germanium (a-SiGe), microcrystalline silicon (c-Si), and amorphous silicon-nitride (a-SiN). Gallium arsenide (GaAs), copper, cadmium telluride (CdTe), indium diselenide (CuInSe2) and titanium dioxide (TiO2) are also materials that have been mostly used for thin-film PV cells.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

แต่มีแนวโน้มที่จะสลายตัว พันธุ์ไปซิลิคอนมีไปซิลิคอนไฮไดรด์ (ได้ซิลิก้อน), เจอร์เมเนียมซิลิคอนอมอร์ phous (มี SiGe), ซิลิคอนจุล (ซีซี), และไปซิลิคอน-nitride (เป็นบาป) แกลเลียม arsenide (GaAs), ทองแดง telluride แคดเมียม (CdTe), อินเดียม diselenide (CuInSe2) และไทเทเนียมไดออกไซด์ (TiO2) ได้นอกจากนี้วัสดุที่ส่วนใหญ่ใช้สำหรับเซลล์แสงอาทิตย์ film บาง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

แต่ก็มีแนวโน้มที่จะย่อยสลาย บางส่วนของสายพันธุ์ของซิลิกอนอสัณฐานที่มีซิลิกอนคาร์ไบด์อสัณฐาน (a-SiC) amor- ซิลิคอนเจอร์เมเนียม phous (a-SiGe) ซิลิกอน microcrystalline (c-Si) และซิลิกอนอสัณฐานไนไตรด์ (บาป) แกลเลียม arsenide (GaAs) ทองแดงแคดเมียมลลูไรด์ (CdTe) diselenide อินเดียม (CuInSe2) และไทเทเนียมไดออกไซด์ (TiO2) นอกจากนี้ยังมีวัสดุที่จะนำมาใช้ส่วนใหญ่สำหรับ thin- ไฟ LM เซลล์แสงอาทิตย์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

แต่มันมีแนวโน้มที่จะลดลง บางส่วนของสายพันธุ์ของคาร์ไบด์ซิลิคอนอสัณฐาน ( Amorphous Silicon เป็นฟิล์มบางอะมอร์ฟัสซิลิคอนเจอร์เมเนียม ) , amor - phous ( a-sige ) , Microcrystalline Silicon ( c-si ) และไนไตรด์ซิลิคอนอสัณฐาน ( a-sin ) แกลเลียม arsenide ( GaAs ) , ทองแดง แคดเมียมเทลลูไรด์ ( cdte )อินเดียม diselenide ( cuinse2 ) และไทเทเนียมไดออกไซด์ ( TiO2 ) เป็นวัสดุที่ถูกใช้มากที่สุดบางจึงถ่าย PV เซลล์