In the present work, Cu2ZnSnS4 (CZT

In the present work, Cu2ZnSnS4 (CZTS) thin film was deposited onto the glass substrate by simple and
economic SILAR method and its structural, morphological, optical and electrical properties were analyzed. Q2
X-ray diffraction (XRD) analysis confirms the formation of CZTS with kesterite structure and the average
crystallite size is found to be 142 nm. Scanning electron microscope (SEM) image shows that the film
has homogeneous, agglomerated surface without any cracks. The prepared CZTS film shows good optical
absorption (104 cm−1) in the visible region and the optical band gap energy is found to be quite close to
the optimum value of about 1.54 eV for solar cell application. The refractive index of the prepared film is
found to be 2.85. The electrical resistivity of the film is found to be ∼10−2 cm at room temperature.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในการทำงานปัจจุบัน Cu2ZnSnS4 (CZTS) ฟิล์มฝากไว้บนพื้นผิวแก้ว โดยง่าย และวิธี SILAR เศรษฐกิจและคุณสมบัติของโครงสร้าง สัณฐาน แสง และไฟฟ้าถูกวิเคราะห์ ไตรมาสที่ 2วิเคราะห์การเลี้ยวเบนของแสงเอ็กซเรย์ (XRD) ยืนยันการก่อตัวของ CZTS โครงสร้าง kesterite และค่าเฉลี่ยcrystallite ขนาดพบ 142 nm รูปภาพของกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราด (SEM) แสดงว่าฟิล์มมีรอยแตกใด ๆ เหมือน agglomerated ผิว เตรียม CZTS ฟิล์มแสดงดีออปติคอลพบว่าดูดซึม (104 cm−1) ในภูมิภาคสามารถมองเห็นได้และแสงแถบช่องว่างพลังงานจะค่อนข้างใกล้เคียงกับค่าที่เหมาะสมของประมาณ 1.54 eV สำหรับการประยุกต์ใช้เซลล์แสงอาทิตย์ คือดัชนีหักเหของแสงของฟิล์มเตรียมพบเป็น 2.85 พบว่าความต้านทานไฟฟ้าของฟิล์ม ∼10−2 ซม.ที่อุณหภูมิห้อง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในการทำงานปัจจุบัน Cu2ZnSnS4 (CZTS) ฟิล์มบางถูกวางลงบนพื้นผิวแก้วโดยง่ายและ
วิธีการ SILAR ทางเศรษฐกิจและโครงสร้างคุณสมบัติลักษณะทางสัณฐานวิทยาแสงและไฟฟ้าถูกนำมาวิเคราะห์ ไตรมาสที่ 2 ของ
X-ray การเลี้ยวเบน (XRD) การวิเคราะห์ยืนยันการก่อตัวของ CZTS มีโครงสร้าง kesterite และค่าเฉลี่ยของ
ขนาดผลึกจะพบว่ามี 142 นาโนเมตร กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราด (SEM) ภาพที่แสดงให้เห็นว่าภาพยนตร์เรื่องนี้
มีความเป็นเนื้อเดียวกันโดยไม่ต้อง agglomerated พื้นผิวรอยแตกใด ๆ ภาพยนตร์เรื่องนี้แสดงให้เห็นว่า CZTS เตรียมออปติคอลดี
ดูดซึม (104 CM-1) ในภูมิภาคที่มองเห็นและพลังงานช่องว่างแถบแสงพบว่าเป็นที่ค่อนข้างใกล้เคียงกับ
มูลค่าที่เหมาะสมประมาณ 1.54 eV สำหรับการประยุกต์ใช้เซลล์แสงอาทิตย์ ดัชนีหักเหของภาพยนตร์ที่เตรียมไว้จะ
พบว่าเป็น 2.85 ต้านทานไฟฟ้าของภาพยนตร์เรื่องนี้จะพบว่ามี ~10-2 ซม. ที่อุณหภูมิห้อง