The current record efficiency for c

The current record efficiency for crystalline silicon (c-Si) is 25% for the mono-crystalline cell and 20.8% for the multi-crystalline cell. The silicon heterostructure cell achieved recently a record of 25.6%. The 25% mono-crystalline silicon record has been achieved with wafer-made cell, but significant advances have been also achieved on the deposition of mono-crystalline silicon with a record cell achieving 21.2%. Films well below 50 mm can be produced allowing to minimize the Auger Recombination, and therefore this technology has the potential for high efficiency and low-cost. The maximum theoretical cell efficiency for c-Si is 29%.On the practical level roughly 26% could be achieved, which is slightly above the current record cell. This could eventually lead to a commercial module efficiency of up to 24% to be achieved with a mono-crystalline thin-film material, advanced cell design and ideal use of module area. Most current commercial c-Si modules are in the efficiency range of 14–17%. On the long run a shift
to the 17–24% range can be expected.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ประสิทธิภาพระเบียนปัจจุบันสำหรับผลึกซิลิคอน (ซีซี) เป็น 25% ของเซลล์ผลึกโมโนและ 20.8% ของเซลล์หลายผลึก Heterostructure เซลล์ซิลิคอนได้เพิ่งบันทึก 25.6% เรกคอร์ดโมโนผลึกซิลิคอน 25% ได้ ด้วยเซลล์เวเฟอร์ทำ แต่สำคัญถูกยังประสบความสำเร็จในการสะสมของผลึกโมโนซิลิคอน มีเซลล์คอร์ดบรรลุ 21.2% สามารถผลิตภาพยนตร์ต่ำกว่า 50 มม.ช่วยให้การรวมตัวกันอีกรอบสว่าน และดังนั้น เทคโนโลยีนี้มีประสิทธิภาพสูงและต้นทุนต่ำ ประสิทธิภาพสูงสุดทางทฤษฎีเซลล์สำหรับ c-ซีเป็น 29% ในระดับปฏิบัติ ประมาณ 26% สามารถทำได้ ซึ่งเป็นเล็กน้อยเหนือเซลล์ระเบียนปัจจุบัน ในที่สุดนี้อาจนำไปสู่ประสิทธิภาพโมดูเชิงพาณิชย์สูงถึง 24% จะทำได้ ด้วยวัสดุฟิล์มบางผลึกโมโน ออกแบบเซลล์ขั้นสูง และใช้ของโมดูล โมดูล c-ซีพาณิชย์ล่าสุดอยู่ในช่วงประสิทธิภาพ 14-17% ในระยะยาวการเปลี่ยนแปลงร้อยละ 17 – 24 ช่วงสามารถคาดหวัง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ประสิทธิภาพบันทึกปัจจุบันผลึกซิลิคอน ( c-si ) คือ 25 % สำหรับผลึกโมโนเซลล์และ 20.8 % สำหรับเซลล์ผลึกหลาย โครงสร้างของซิลิคอนเซลล์ได้รับเมื่อเร็ว ๆนี้บันทึก 25.6 % 25% ซิลิคอนผลึกโมโนบันทึกได้ประสบกับเวเฟอร์ทำเซลล์ แต่ความก้าวหน้าทางด้านยังได้มีการสะสมของผลึกโมโนซิลิคอนกับบันทึกเซลล์บรรลุ 21.2 % ภาพยนตร์กว่า 50 มม. สามารถผลิต ช่วยให้ลดการสว่าน และดังนั้น เทคโนโลยีนี้มีศักยภาพสำหรับประสิทธิภาพสูงและราคาถูก ประสิทธิภาพสูงสุดทางทฤษฎีเซลล์ c-si 29 เปอร์เซ็นต์ ในระดับปฏิบัติได้ประมาณ 26% ซึ่งเป็นเล็กน้อยข้างต้นของเซลล์ระเบียนปัจจุบัน นี้ในที่สุดจะนำไปสู่ประสิทธิภาพของโมดูลพาณิชย์ถึง 24 % ที่จะเกิดขึ้นได้กับวัสดุฟิล์มบางของผลึกโมโน , การออกแบบเซลล์ขั้นสูงและเหมาะใช้พื้นที่โมดูล โมดูล c-si พาณิชย์ในปัจจุบันส่วนใหญ่อยู่ในช่วงประสิทธิภาพ 14 – 17 % บนยาวกะในช่วง 17 - 24 % สามารถคาด