Within the last two decades, extens

Within the last two decades, extensive research has been
devoted to study the fabrication and characterization of
chalcogenide compounds in the form of thin films [1].
Among these compounds, cadmium selenide is one of the
group II-VI semiconductors considered as a promising
material for the development of many interesting
applications such as nanosensors, biomedical imaging
device, photoelectrochemical, solar cells, optoelectronic
devices, electron-beam pumped lasers, light emitting
diodes, electroluminescent devices, etc [2-5]. CdSe is an
n-type semiconductor material [6] with a direct band gap
of 1.74 eV and a dielectric constant of 10.2 at 300 K. It
has high efficiency of radioactive recombination, high
absorption coefficient, high photosensitivity, and direct
band gap corresponding to a wide spectrum of
wavelengths from ultraviolet to infrared regions [7, 8] and
quantum size effects [9].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ภายในสองทศวรรษที่ วิจัยได้ทุ่มเทเพื่อศึกษาการผลิตและสมบัติของchalcogenide สารประกอบในรูปของฟิล์มบาง [1]หนึ่งในสารเหล่านี้ selenide แคดเมียมคือหนึ่งการกลุ่ม II VI อิเล็กทรอนิกส์ถือว่ามีแนวโน้มวัสดุสำหรับการพัฒนาของหลายที่น่าสนใจภาพโปรแกรมเช่น nanosensors ชีวการแพทย์เซลล์แสงอาทิตย์ อุปกรณ์ photoelectrochemical ควบคุมอุปกรณ์ ลำแสงอิเล็กตรอนสูบเลเซอร์ เปล่งแสงไดโอด อุปกรณ์ electroluminescent ฯลฯ [2-5] CdSe จะมีวัสดุสารกึ่งตัวนำชนิด n [6] มีช่องว่างตรงวง1.74 eV และคงความเป็นฉนวนของ 10.2 300 คุณ Itมี recombination กัมมันตรังสี ประสิทธิภาพสูงสัมประสิทธิ์การดูดซับ ตอบสนองต่อแสงสูง และตรงแถบช่องว่างที่สอดคล้องกับของความยาวคลื่นจากรังสีอินฟราเรดภูมิภาค [7, 8] และผลขนาดควอนตัม [9]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ภายในสองทศวรรษที่ผ่านมาการวิจัยได้รับการ
ทุ่มเทให้กับการศึกษาการผลิตและลักษณะของ
สาร chalcogenide ในรูปแบบของฟิล์มบาง [1].
ในบรรดาสารเหล่านี้แคดเมียม selenide เป็นหนึ่งใน
กลุ่ม II-VI เซมิคอนดักเตอร์ถือว่าเป็นแนวโน้ม
วัสดุ สำหรับการพัฒนาที่น่าสนใจมากมาย
การใช้งานเช่น nanosensors ชีวการแพทย์การถ่ายภาพ
อุปกรณ์ photoelectrochemical เซลล์แสงอาทิตย์, optoelectronic
อุปกรณ์เลเซอร์ลำแสงอิเล็กตรอนสูบเปล่งแสง
ไดโอด, อุปกรณ์ electroluminescent ฯลฯ [2-5] CdSe เป็น
วัสดุชนิดเอ็นเซมิคอนดักเตอร์ [6] มีช่องว่างวงโดยตรง
1.74 EV และคงอิเล็กทริก 10.2 ที่ 300 เคมัน
มีประสิทธิภาพสูงของการรวมตัวกันของสารกัมมันตรังสีสูง
ค่าสัมประสิทธิ์การดูดซึมแสงสูงและตรง
ช่องว่างวงที่สอดคล้องกับ สเปกตรัมกว้างของ
ความยาวคลื่นจากรังสีอัลตราไวโอเลตอินฟราเรดไปยังภูมิภาค [7, 8] และ
ผลกระทบขนาดควอนตัม [9]