Interfaces are crucial for high-per

Interfaces are crucial for high-performance perovskite solar cells. Here, phenyltrichlorosilane (PTS) and octadecyltrichlorosilane (OTS) were used to modify the interface between perovskite layer and [6,6]-phenyl-C61-butyric acid methyl ester (PCBM) layer in an inverted layered perovskite device. Such treatments facilitated the formation of a high-quality PCBM film and effectively decreased the density of surface traps that induce undesirable electron-hole recombination. As a result, the average power conversion efficiency of PTS (and OTS) modified devices was improved from 9.60% to 11.96% (and 11.08%), with a highest value of 12.63% (and 11.87%). Therefore, this study provides an attractive mothed to improve the quality of PCBM film on top of perovskite layer and finally the performance of inverted perovskite solar cells

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

อินเทอร์เฟซที่มีความสำคัญสำหรับเซลล์แสงอาทิตย์ perovskite ประสิทธิภาพสูง ที่นี่ phenyltrichlorosilane (PTS) และ octadecyltrichlorosilane (รูปชนิดใช้ในการปรับเปลี่ยนอินเทอร์เฟซระหว่างเลเยอร์ perovskite และ [6,6] -ฟีนิล - C61-กรดแกมเมทิลเอสเทอร์ (PCBM) ชั้นในเป็นอุปกรณ์ perovskite ชั้นคว่ำ การบำบัดดังกล่าวอำนวยความสะดวกในการก่อตัวของฟิล์ม PCBM คุณภาพสูง และลดความหนาแน่นของกับดักที่พื้นผิวที่ก่อให้เกิดการรวมตัวกันของอิเล็กตรอนหลุมไม่พึงปรารถนา เป็นผล ประสิทธิภาพการแปลงพลังงานเฉลี่ยของ PTS (และรูปชนิด) แก้ไขอุปกรณ์ปรับปรุงจาก 9.60% 11.96% (และ 11.08%), 12.63% (และ 11.87%) มูลค่าสูงสุด การศึกษานี้มีที่น่าสนใจ mothed เพื่อปรับปรุงคุณภาพของฟิล์ม PCBM perovskite ชั้นและประสิทธิภาพของเซลล์แสงอาทิตย์ perovskite คว่ำในที่สุด

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

อินเตอร์เฟซที่มีความสำคัญสำหรับประสิทธิภาพสูง perovskite เซลล์แสงอาทิตย์ นี่ phenyltrichlorosilane (PTS) และ octadecyltrichlorosilane (OTS) ถูกนำมาใช้ในการปรับเปลี่ยนการเชื่อมต่อระหว่างชั้น perovskite และ [6,6] -phenyl-C61-butyric กรดเมทิลเอสเตอร์ (PCBM) ชั้นในอุปกรณ์ perovskite คว่ำชั้น การรักษาเช่นการอำนวยความสะดวกการก่อตัวของฟิล์ม PCBM ที่มีคุณภาพสูงและมีประสิทธิภาพลดลงความหนาแน่นของกับดักพื้นผิวที่ไม่พึงประสงค์ที่ทำให้เกิดการรวมตัวกันของอิเล็กตรอนหลุม เป็นผลให้ประสิทธิภาพการแปลงพลังงานเฉลี่ยของพีทีเอส (และ OTS) อุปกรณ์ปรับเปลี่ยนดีขึ้นจาก 9.60% มาอยู่ที่ 11.96% (และ 11.08%) มีมูลค่าสูงสุดของ 12.63% (และ 11.87%) ดังนั้นการศึกษานี้ให้ mothed ที่น่าสนใจในการปรับปรุงคุณภาพของฟิล์ม PCBM ด้านบนของชั้น perovskite และในที่สุดก็กลับประสิทธิภาพการทำงานของเซลล์แสงอาทิตย์ perovskite ที่

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

อุปกรณ์สำคัญสำหรับประสิทธิภาพสูงเพอรอฟสไกต์ เซลล์แสงอาทิตย์ ที่นี่ phenyltrichlorosilane ( PTS ) และ octadecyltrichlorosilane ( โอทีเอ ) ถูกใช้เพื่อปรับเปลี่ยนอินเทอร์เฟซระหว่างชั้น perovskite และ [ 6 , 6 ] - phenyl-c61-butyric กรดเมทิลเอสเทอร์ ( pcbm ) ชั้นในตัวชั้นเพอรอฟสไกด์อุปกรณ์ การรักษาดังกล่าวเกิดการก่อตัวของภาพยนตร์ pcbm ที่มีคุณภาพสูงและมีประสิทธิภาพลดลง ความหนาแน่นของอิเล็กตรอนที่ทำให้เกิดหลุมกับดักพื้นผิวที่ไม่พึงประสงค์การ . เป็นผลให้ , กำลังเฉลี่ยประสิทธิภาพของการแปลงคะแนน ( โอทีเอ ) อุปกรณ์ปรับดีขึ้นจากระดับร้อยละ 9.37 และ 11.96 11.08 % ) กับสูงสุด 12.63 % ( 38% ) ดังนั้นการศึกษานี้มี mothed มีเสน่ห์เพื่อปรับปรุงคุณภาพของ pcbm ฟิล์มบนชั้น perovskite และในที่สุดประสิทธิภาพของเซลล์แสงอาทิตย์แบบเพอรอฟสไกต์