The EAC technology development proc

The EAC technology development process involved starting from the concept EAC test vehicle (TV) with low PCB layer count to a highly complex TV with high PCB layer count. Initially, the EAC TV showed high rates of interfacial delamination at Material A-Material B interface. These defects were fixed by improving interfacial bonding during substrate manufacturing. Even when the interfacial delamination was fixed, the dissimilar material expansion in thickness direction resulted in higher chip warpage at room temperature and at high temperature.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

กระบวนการพัฒนาเทคโนโลยีของ EAC ที่เกี่ยวข้องกับการเริ่มต้นจากรถ EAC ทดสอบแนวคิด (TV) ด้วยจำนวนชั้น PCB ต่ำกับทีวีที่ซับซ้อนสูงจำนวนชั้น PCB ตอนแรก ทีวี EAC พบแต่แรงที่ B A วัสดุวัสดุอินเตอร์เฟซความเร็วสูง ข้อบกพร่องเหล่านี้ถูก fixed โดยการปรับปรุงแรงยึดเกาะระหว่างพื้นผิวผลิต แม้แต่แรงเป็น fixed ขยายวัสดุแตกต่างกันในทิศทางความหนาทำให้โก่งชิสูง ที่อุณหภูมิห้อง และ ที่อุณหภูมิสูง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

EAC กระบวนการในการพัฒนาเทคโนโลยีที่เกี่ยวข้องกับการเริ่มต้นจากการทดสอบรถแนวคิด EAC (TV) ด้วยชั้น PCB ต่ำนับถึงทีวีที่ซับซ้อนอย่างมากกับ PCB สูงนับชั้น ในขั้นต้น EAC โทรทัศน์แสดงให้เห็นว่าอัตราที่สูงของ delamination interfacial ที่อินเตอร์เฟซ B วัสดุวัสดุ ข้อบกพร่องเหล่านี้ถูกคง Fi โดยการปรับปรุงพันธะ interfacial ในระหว่างการผลิตสารตั้งต้น แม้เมื่อ delamination interfacial ถูกคงที่ขยายตัววัสดุที่แตกต่างกันไปในทิศทางหนาผลในตัวอย่างประโยชน์ชิปสูงที่อุณหภูมิห้องและที่อุณหภูมิสูง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ที่เกี่ยวข้องกับการพัฒนาเทคโนโลยีกระบวนการ EAC เริ่มต้นจากแนวคิด EAC ทดสอบรถ ( ทีวี ) ด้วยการนับชั้น PCB ต่ำไปยังทีวีที่ซับซ้อนสูงกับนับชั้น PCB สูง เริ่มแรก , EAC ทีวีพบว่ามีอัตราสูงของการแยกชั้นระหว่างที่วัสดุ a-material B อินเตอร์เฟซ ข้อบกพร่องเหล่านี้ถูกถ่ายทอดโดยการปรับปรุงภาคพันธะ xed ในระหว่างการผลิตสาร แม้ว่าการแยกชั้นระหว่างถูกถ่ายทอด xed , การขยายตัวของวัสดุที่แตกต่างกันไปในทิศทางที่ก่อให้เกิดความโก่งงอขึ้นหนาชิปที่อุณหภูมิห้องและที่อุณหภูมิสูง