Importance of Gate Resistance: To g

Importance of Gate Resistance: To get rid of the above issue it is recommended to use low value resistor in series with the logic input and the mosfet gate. With relatively lower frequencies(50 Hz to 1kHz), the value could be anywhere between 100 and 470 ohms, while for frequencies above this the value could be within 100 ohms, for much higher frequencies (10kHz and above) this must not exceed 50 ohms.

The above consideration allows exponential charging or gradual charging of the internal capacitors reducing or blunting of the chances of negative spikes across the drain/gate pins.




Using Reverse Diodes: In the above consideration an exponential charging of the gate capacitance reduces the chances of spikes but that also means that the discharging of the involved capacitance would be delayed due to the resistance in the path of the logic input, every time it switches to logic zero. Causing a delayed discharging would mean forcing the mosfet to conduct under stressful conditions, making it unnecessarily warmer.

Including a reverse diode parallel with the gate resistor is always a good practice, and simply tackles the delayed discharging of the gate by providing a continuous path for the gate discharge through the diode and into the logic input.

The above mentioned basic mosfet protection implementation can be easily included in any circuit, even in complicated applications such half-bridge or full bridge mosfet driver circuits along with some additional recommended protections.

While using a full bridge driver circuit involving a driver IC such as the IR2110 in addition to the above, the following aspects should be bored in mind (I'll discuss this in details in one of my upcoming articles soon)

Add a decoupling capacitor close to the driver IC supply pinouts, this will reduce the switching transients across the internal supply pinouts which in turn will prevent unnatural output logic to the mosfet gates.
Always use high quality low ESD, low leakage type of capacitors for the bootstrapping capacitor and possibly use a couple of them in parallel. Use within the recommended value given in the datasheet.
Always connect the four mosfet interlinks as close as possible to each other. As explained above this will reduce stray inductance across the mosfets.
AND, connect a relatively large value capacitor across the high side positive (VDD), and the low side ground (VSS), this will effectively ground all stray inductance that may be hiding around the connections.
Join the VSS, the mosfet low side ground, and the logic input ground all together, and terminate into a single common thick ground to the supply terminal.
Last but not the least wash the board thoroughly with acetone or similar anti-flux agent in order to remove all possible traces of the soldering flux for evading hidden inter connections and shorts.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ความสำคัญของประตูความต้านทาน: การกำจัดปัญหาดังกล่าวข้างต้นควรจะใช้ตัวต้านทานค่าต่ำในชุด มีลอจิกที่อินพุตและประตู mosfet มีความถี่ค่อนข้างต่ำ (50 Hz ถึง 1kHz), ค่าสามารถที่ใดก็ได้ระหว่าง 100 และ 470 โอห์ม ในขณะที่สำหรับความถี่นี้ ค่าอาจจะภายใน 100 โอห์ม สำหรับความถี่สูงมาก (10kHz ขึ้นไป) นี้ต้องไม่เกิน 50 โอห์มการพิจารณาข้างต้นให้ชาร์จเนนหรือค่อย ๆ ชาร์จตัวเก็บประจุภายในลด หรือ blunting โอกาสของแหลมลบข้ามหมุดเขตประตูระบายน้ำใช้ย้อนกลับไดโอด: พิจารณาข้างต้น การเนนชาร์จความจุเกลดโอกาสของการไฟฟ้าฯ แต่นั่นหมายความ ว่า การปฏิบัติของกำลังการผลิตเกี่ยวข้องจะล่าช้าเนื่องจากความต้านทานในเส้นทางของลอจิกที่อินพุต ทุกครั้งที่มันสลับกับตรรกะเป็นศูนย์ ก่อให้เกิดการปล่อยล่าช้าจะหมายถึง บังคับให้ mosfet จะดำเนินการภายใต้สภาวะเครียด ทำให้อุ่นขึ้นโดยไม่จำเป็นรวมทั้งย้อนกลับไดโอดคู่ขนานกับตัวต้านทานแบบประตูเป็นการดีเสมอ และก็แก้ล่าช้าปล่อยประตู โดยให้เส้นทางต่อเนื่องสำหรับการจำหน่ายประตู ผ่านไดโอด และการป้อนข้อมูลตรรกะข้างต้นกล่าวพื้นฐาน mosfet ป้องกันการใช้งานสามารถได้อย่างง่ายดายรวมในวงจรใด ๆ แม้ในความซับซ้อนใช้งานวงจรควบคุม mosfet เช่นสะพาน สะพานครึ่ง หรือเต็มพร้อมกับป้องกันแนะนำบางอย่างเพิ่มเติมในขณะที่ใช้เกี่ยวข้องกับโปรแกรมควบคุม IC IR2110 นอกจากข้างต้นเช่นวงจรควบคุมสะพานเต็ม ด้านต่อไปนี้ควรจะเบื่อในใจ (ผมจะอธิบายนี้ในรายละเอียดในบทของฉันอย่างใดอย่างหนึ่งเร็ว ๆ นี้)เพิ่มตัวเก็บประจุ decoupling ใกล้ pinouts ของอุปทานควบคุม IC นี้จะช่วยลดเฉพาะสลับข้าม pinouts ภายในอุปทานซึ่งในการเปิดจะป้องกันตรรกะแปลกประหลาดออกประตู mosfetมักจะใช้คุณภาพต่ำ ESD รั่วไหลต่ำชนิดของตัวเก็บประจุสำหรับเก็บประจุ bootstrapping และอาจจะใช้คู่ของพวกเขาพร้อมกัน ใช้ภายในค่าแนะนำให้ในแผ่นข้อมูลเชื่อมต่อสี่เสมอ mosfet interlinks ใกล้ที่สุดกับแต่ละอื่น ๆ ตามที่อธิบายข้างต้นนี้จะช่วยลดการเหนี่ยวนำที่หลงทางใน mosfetsและ เชื่อมต่อตัวเก็บประจุค่าค่อนข้างมากทั้งสูงด้านบวก (VDD), และพื้นต่ำ (VSS), นี้จะมีประสิทธิภาพดินเหนี่ยวนำหลงทางทั้งหมดที่อาจซ่อนรอบการเชื่อมต่อร่วมการ VSS, mosfet ต่ำพื้นดิน และพื้นสัญญาณตรรกะทั้งหมด และยุติลงไปพื้นทั่วไปหนาแบบเดียวกับขั้วของแหล่งจ่ายสุดท้ายแต่ไม่น้อยล้างบอร์ด ด้วยอะซิโตน หรือคล้ายต้านฟลักซ์แทนเพื่อลบร่องรอยเป็นไปได้ของฟลักซ์บัดกรีสำหรับ evading ซ่อนอินเตอร์เชื่อมต่อและกางเกงขาสั้น

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ความสำคัญของประตูต้านทาน: เพื่อกำจัดปัญหาดังกล่าวก็จะแนะนำให้ใช้ค่าความต้านทานต่ำในชุดที่มีการป้อนข้อมูลตรรกะและประตูเมืองมอสเฟต ที่มีความถี่ค่อนข้างต่ำ (50 Hz ถึง 1kHz) ค่าอาจจะเป็นที่ใดก็ได้ระหว่าง 100 และ 470 โอห์มในขณะที่สำหรับความถี่ดังกล่าวข้างต้นนี้ค่าอาจจะเป็นภายใน 100 โอห์มความถี่สูงมาก (10kHz ขึ้นไป) นี้จะต้องไม่เกิน 50 โอห์ม .

การพิจารณาดังกล่าวข้างต้นจะช่วยให้การชาร์จชี้แจงหรือการชาร์จอย่างค่อยเป็นค่อยไปของตัวเก็บประจุภายในลดหรือลดทอนโอกาสแหลมเชิงลบข้ามหมุดท่อระบายน้ำ / ประตู.




ใช้ไดโอดย้อนกลับ: ในการพิจารณาข้างต้นชาร์จชี้แจงของความจุประตูช่วยลดโอกาสของแหลม แต่นั่นก็หมายความว่าการปฏิบัติของความจุที่เกี่ยวข้องจะล่าช้าออกไปเนื่องจากความต้านทานในเส้นทางของการป้อนข้อมูลตรรกะที่ทุกครั้งที่มันเปลี่ยนไปตรรกะศูนย์ ก่อให้เกิดการปฏิบัติล่าช้าจะหมายถึงการบังคับให้ MOSFET ที่จะดำเนินการภายใต้สภาวะเครียดทำให้มันไม่จำเป็นที่อบอุ่น.

รวมทั้งขนานไดโอดกลับมีความต้านทานประตูอยู่เสมอการปฏิบัติที่ดีและก็โหม่งปฏิบัติล่าช้าจากประตูโดยการให้เส้นทางต่อเนื่องสำหรับ ปล่อยประตูผ่านไดโอดและในการป้อนข้อมูลตรรกะ.

การดำเนินการป้องกัน MOSFET พื้นฐานดังกล่าวข้างต้นสามารถรวมได้อย่างง่ายดายในวงจรใด ๆ แม้ในการใช้งานที่ซับซ้อนเช่นครึ่งสะพานหรือโปรแกรมควบคุมสะพาน MOSFET เต็มวงจรพร้อมกับการคุ้มครองแนะนำบางอย่างเพิ่มเติม.

ในขณะที่ใช้ วงจรขับรถสะพานเต็มรูปแบบที่เกี่ยวข้องกับ driver IC เช่น IR2110 นอกเหนือไปจากข้างต้นด้านต่อไปนี้ควรจะเบื่อในใจ (ฉันจะหารือนี้ในรายละเอียดในหนึ่งในบทความที่จะเกิดขึ้นในเร็ว ๆ นี้ของฉัน)

เพิ่มตัวเก็บประจุ decoupling ใกล้กับ driver IC pinouts อุปทานนี้จะช่วยลดชั่วคราวสลับข้าม pinouts อุปทานภายในซึ่งจะป้องกันไม่ให้ตรรกะการส่งออกผิดธรรมชาติไปยังประตูมอสเฟต.
ควรจะใช้คุณภาพ ESD สูงต่ำประเภทการรั่วไหลต่ำของตัวเก็บประจุสำหรับตัวเก็บประจุความร่วมมือและอาจใช้คู่ ของพวกเขาในแบบคู่ขนาน การใช้งานภายในค่าที่แนะนำที่ให้ไว้ในแผ่นข้อมูล.
เสมอเชื่อมต่อสี่ MOSFET interlinks ใกล้ที่สุดเท่าที่เป็นไปได้กับแต่ละอื่น ๆ ตามที่อธิบายไว้ข้างต้นนี้จะช่วยลดการเหนี่ยวนำจรจัดทั่ว MOSFETs ได้.
และเชื่อมต่อตัวเก็บประจุค่าค่อนข้างใหญ่ทั่วด้านสูงบวก (VDD) และด้านต่ำพื้นดิน (VSS) นี้จะมีประสิทธิภาพทุกพื้นเหนี่ยวนำจรจัดที่อาจจะหลบซ่อนตัวอยู่รอบ ๆ การเชื่อมต่อ.
เข้าร่วม VSS, MOSFET พื้นดินด้านต่ำและพื้นดินการป้อนข้อมูลตรรกะทั้งหมดเข้าด้วยกันและยุติลงในพื้นดินหนาเดียวที่พบบ่อยไปยังสถานีอุปทาน.
สุดท้าย แต่ไม่น้อยล้างกระดานอย่างทั่วถึงด้วยอะซิโตนหรือคล้ายกันต่อต้านฟลักซ์ ตัวแทนเพื่อลบร่องรอยเป็นไปได้ทั้งหมดของฟลักซ์บัดกรีสำหรับการหลบเลี่ยงการเชื่อมต่อระหว่างกันที่ซ่อนอยู่และกางเกงขาสั้น

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ความสำคัญของประตูต้านทานเพื่อกำจัดปัญหาดังกล่าวก็จะแนะนำให้ใช้ตัวต้านทานค่าต่ำในชุดกับลอจิกอินพุทและประตู MOSFET . กับค่อนข้างต่ำความถี่ ( 50 Hz เพื่อ 1khz ) , ค่าอาจจะที่ใดก็ได้ระหว่าง 100 และ 470 โอห์ม ในขณะที่ความถี่ข้างต้นนี้ค่า อาจจะภายใน 100 โอห์ม ที่ความถี่สูงมาก ( 10KHz และเหนือ ) นี้จะต้องไม่เกิน 50 โอห์มการพิจารณาข้างต้นช่วยให้ชี้แจงการเรียกเก็บเงินหรือชาร์จทีละส่วนภายในตัวเก็บประจุลดหรือกระทือของโอกาสลบแทบทั่วระบาย / ประตู หมุดการใช้ Reverse ไดโอด : การพิจารณาข้างต้นการชาร์จแบบประตูความจุลดโอกาสของแหลมแต่นั่นก็หมายความว่า การปฏิบัติของเกี่ยวข้องความจุจะล่าช้าเนื่องจากความต้านทานในเส้นทางของลอจิกอินพุท ทุกครั้งที่มันสลับกับตรรกะที่ศูนย์ ทำให้การปฏิบัติล่าช้าจะบังคับ MOSFET จะดำเนินการภายใต้สภาวะที่เคร่งเครียด ทำให้มันเป็นอุ่นรวมทั้งกลับไดโอดขนานกับประตูชนิดเป็นเสมอการปฏิบัติที่ดี และเพียงแค่โหม่งล่าช้าปล่อยประตู โดยให้เส้นทางต่อเนื่องสำหรับประตูไหลผ่านไดโอดและเป็นตรรกะ การป้อนข้อมูลข้างต้นกล่าวถึงพื้นฐาน MOSFET ป้องกันการใช้งานสามารถรวมได้อย่างง่ายดายในวงจรใด ๆแม้ในที่ซับซ้อนการใช้งานเช่นครึ่งสะพานหรือสะพาน MOSFET driver เต็มวงจรพร้อมกับบางส่วนเพิ่มเติมแนะนำการป้องกันในขณะที่ใช้เต็มสะพานวงจรขับเกี่ยวข้องกับไดรเวอร์ IC เช่น ir2110 นอกเหนือจากข้างต้น ด้านดังต่อไปนี้ควรจะเบื่อ ในใจผมจะหารือในรายละเอียดในบทความต่อไปของฉันเร็ว ๆนี้ )เพิ่ม decoupling ประจุใกล้ไดรเวอร์ IC จัดหา pinouts นี้จะช่วยลดการเปลี่ยนชั่วคราวข้ามภายในจัดหา pinouts ซึ่งจะป้องกันไม่ให้วิกฤตผลผลิตตรรกะกับ MOSFET ประตูใช้ที่มีคุณภาพต่ำหรือต่ำ รั่วเสมอชนิดของตัวเก็บประจุ ตัวเก็บประจุสำหรับ bootstrapping และอาจจะใช้คู่ของพวกเขาในแบบคู่ขนาน ใช้ภายในค่าแนะนําให้ในแผ่นข้อมูลมักจะเชื่อมต่อสี่ MOSFET interlinks ใกล้เคียงเป็นไปได้ที่จะแต่ละอื่น ๆ ตามที่อธิบายไว้ข้างต้นนี้จะช่วยลด หรือหลงทางไปสอดและเชื่อมต่อกับตัวเก็บประจุค่าสูงที่ค่อนข้างใหญ่ในด้านบวก ( VDD ) และต่ำฝั่งพื้นดิน ( VSS ) นี้มีประสิทธิภาพจะหลงทางหรือพื้นดินทั้งหมดที่อาจจะซ่อนตัวอยู่รอบ ๆ การเชื่อมต่อเข้าร่วม VSS , MOSFET ต่ำด้านดินและตรรกะพื้นดินทั้งหมดเข้าด้วยกัน และยุติลงในเดียวกันหนาพื้นดินจัดหาเทอร์มินัลสุดท้าย แต่ไม่น้อยล้างบอร์ดให้สะอาดด้วยอะซิโตน หรือคล้ายกันต่อต้านการเจ้าหน้าที่เพื่อที่จะลบร่องรอยที่เป็นไปได้ทั้งหมดของฟลักซ์บัดกรีเพื่อหลบซ่อนอยู่ระหว่างการเชื่อมต่อ และกางเกงขาสั้น