For instance, for a position at the

For instance, for a position at the wafer rim (radial position of 10 cm), a value for r of 0.8 and a growing thickness which is equal to 0.9 times the growing thickness at the center of the wafer are obtained. Therefore, for the example studied here, the profile change is due to the change of the growing thickness rather than due to the change of the conformality (governed by the parameter r in addition to sc which is assumed to be independent of the local fluxes). For other reactor configurations leading to different variations of the fluxes of neutral and ions across the wafer, this behavior can differ

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ตัวอย่าง ตำแหน่งที่ริมแผ่นเวเฟอร์ (ตำแหน่งรัศมี 10 เซนติเมตร), ค่า r 0.8 และความหนาที่เพิ่มขึ้นซึ่งเท่ากับเวลา 0.9 เพิ่มขึ้นความหนาของแผ่นเวเฟอร์จะรับ ดังนั้น สำหรับตัวอย่างที่ศึกษาที่นี่ เปลี่ยนโปรไฟล์ได้เนื่อง จากการเปลี่ยนแปลงของความหนาเพิ่มขึ้นแทนที่ จะเปลี่ยน conformality (ควบคุม โดยพารามิเตอร์ r นอกจาก sc ซึ่งถือว่าเป็นอิสระของ fluxes ท้องถิ่น) สำหรับการกำหนดค่าเครื่องปฏิกรณ์อื่น ๆ นำไปสู่รูปแบบต่าง ๆ ของ fluxes กลางและประจุบนแผ่นเวเฟอร์การ ลักษณะการทำงานนี้อาจแตกต่าง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ยกตัวอย่างเช่นสำหรับตำแหน่งที่ขอบเวเฟอร์ (ที่ตำแหน่งรัศมี 10 เซนติเมตร) ค่าสำหรับอาร์ 0.8 และความหนาที่เพิ่มขึ้นซึ่งเท่ากับ 0.9 เท่าของความหนาที่เพิ่มขึ้นที่ศูนย์ของเวเฟอร์จะได้รับ ดังนั้นสำหรับตัวอย่างการศึกษาที่นี่การเปลี่ยนแปลงรายละเอียดเป็นเพราะการเปลี่ยนแปลงความหนาที่เพิ่มขึ้นมากกว่าเนื่องจากการเปลี่ยนแปลงของ conformality (การควบคุมโดยพารามิเตอร์อานอกเหนือไปจากเซาท์แคโรไลนาซึ่งจะถือว่าเป็นอิสระจากฟลักซ์ท้องถิ่น) คำ . สำหรับการกำหนดค่าเครื่องปฏิกรณ์อื่น ๆ ที่นำไปสู่​​รูปแบบที่แตกต่างกันของฟลักซ์ของกลางและไอออนทั่วเวเฟอร์ลักษณะการทำงานนี้อาจแตกต่างกัน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ตัวอย่าง สำหรับตำแหน่งที่เวเฟอร์ ริม ( ตำแหน่งรัศมี 10 ซม. ) , ค่า R และการเติบโต ความหนา 0.8 ซึ่งเท่ากับ 0.9 เท่าของความหนาเพิ่มขึ้นที่ศูนย์ของเวเฟอร์ จะได้รับ ดังนั้น สำหรับตัวอย่างที่ศึกษาที่นี่เปลี่ยนโปรไฟล์เป็นเนื่องจากการเปลี่ยนแปลงของการเติบโต ความหนามากกว่า เนื่องจากการเปลี่ยนแปลงของ conformality ( ควบคุมโดยพารามิเตอร์ R นอกจาก SC ซึ่งถือว่าเป็นอิสระต่อท้องถิ่น ) สำหรับเครื่องปฏิกรณ์แบบอื่น ๆนำไปสู่รูปแบบที่แตกต่างกันของฟลักซ์ของเป็นกลางและไอออนผ่านเวเฟอร์ พฤติกรรมนี้สามารถแตกต่างกัน