NaxCoO2 thin films were deposited o

NaxCoO2 thin films were deposited on a SiO2/Si substrate at
room temperature using an RF magnetron sputtering system
(SUNNICOAT-524, manufactured by Sunic System Co. Ltd). Fourinch diameter NaCo2O4 (purity: 99.9%, Super Conductor Materials,
Inc.) sintered ceramic target was used for the deposition of the
NaxCoO2 thin films. The working pressure for the deposition process
was maintained at 5  103 Torr and the base pressure was
approximately 5  106 torr under a mixture of Ar and O2
(Ar:O2 ¼ 3:1) with a total flow rate of 20 sccm. The deposited
NaxCoO2 thin film was subsequently heated at 550
C, 600
C, and
650
C for 2 min by RTA (Rapid thermal annealing). Microbeam Xray
diffraction (XRD) (D8 Discover) with monochromatic Cu Ka
radiation (l ¼ 1.5405 Å) at 40 mA and 40 kV was used to characterize
the crystal structure. The XRD data were obtained in the
range of 2q ¼ 20
to 70
with a step size of 0.03
and a count time of
5 s. The surface morphology was evaluated by means of fieldemission
scanning electron microscopy (SEM) (533M, Philips).
Topography images were obtained using a commercial conducting
atomic force microscope (C-AFM, Seiko SPA 400, scan rate: 0.5 Hz).
An X-ray photoemission spectroscopy (XPS) analysis was performed
to determine the composition of the surface using multipurpose
X-ray photoelectron spectroscopy (Thermo VG Scientific).
Raman spectra were taken in the range of 1200 cm1 to 1700 cm1
with a Raman spectrometer (Horiba Jobin Yvon, France) and a
nanometer-sized HeeNe laser beam. The electrical resistivity, carrier
concentration, and Hall mobility were measured with a Hall
effect measurement apparatus (HMS-3000). Seebeck measurements
were carried out using a special apparatus designed at the
Fraunhofer IPM for thin-film measurements. The exact temperature
gradient over the samples and the generated thermopower voltage
were measured using two types of thermocouples.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

NaxCoO2 ถูกฝากฟิล์มบางบนพื้นผิวที่ SiO2 เทียบศรีอุณหภูมิห้องใช้การผลิตกล่องจากกระดาษ RF สปัตเตอร์ระบบ(SUNNICOAT-524 ผลิต โดย Sunic ระบบ Co. Ltd) เส้นผ่าศูนย์กลาง Fourinch NaCo2O4 (ความบริสุทธิ์: 99.9% วัสดุตัวนำซูเปอร์Inc.) เป้าหมายเผาเซรามิกใช้สำหรับสะสมของการฟิล์มบาง NaxCoO2 ความดันทำงานสำหรับกระบวนการสะสมถูกเก็บรักษาไว้ที่ 5 10 3 Torr และแรงดันฐานประมาณ 5 10 6 torr ภายใต้ส่วนผสมของ Ar และ O2(Ar:O2 ¼ 3:1) มีอัตราการไหลรวมของ 20 sccm การฝากฟิล์มบางหลังถูกความร้อนที่ 550 C, 600 C, NaxCoO2 และ650 C สำหรับ 2 นาทีโดย RTA (อย่างรวดเร็วความร้อนหลอม) Microbeam Xrayเลี้ยวเบน (XRD) (D8 พบ) กับ Ka Cu สีเดียวรังสี (l ¼ 1.5405 Å) 40 mA และ 40 kV ใช้กับลักษณะโครงสร้างของผลึก ข้อมูล XRD ได้รับในการช่วงไตรมาส 2 ¼ 20-70 ขั้นตอนขนาด 0.03 และจำนวนครั้งของ5 s สัณฐานวิทยาผิวถูกประเมินโดยวิธี fieldemissionการสแกนกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอน (SEM) (533 ม Philips)ภาพภูมิประเทศได้รับมาใช้ในการดำเนินการเชิงพาณิชย์กล้องจุลทรรศน์แรงอะตอม (C-AFM โกะสปา 400 อัตราการสแกน: 0.5 Hz)ทำการเอ็กซเรย์ photoemission สเปกโทรสโก (XPS) วิเคราะห์การตรวจสอบองค์ประกอบของพื้นผิวโดยใช้อเนกประสงค์X-ray photoelectron สเปกโทรสโก (เทอร์โม VG วิทยาศาสตร์)ถ่ายสเปกตรัมรามันในช่วง 1200 ซม. 1 1700 ซม. 1กับรามันสเปกโตรมิเตอร์ (Horiba เอมิเรตส์แกรนด์โฮเต็ลอพาร์ตเมนต์ Yvon ฝรั่งเศส) และขนาดนาโนเมตร HeeNe ลำแสงเลเซอร์ ความต้านทานไฟฟ้า บริษัทขนส่งความเข้มข้น และเคลื่อนไหวฮอลล์ถูกวัด ด้วยห้องโถงอุปกรณ์การวัดผล (HMS-3000) วัด Seebeckดำเนินการโดยใช้อุปกรณ์พิเศษในการออกแบบการIPM จำนวนสำหรับการวัดแบบฟิล์ม อุณหภูมิที่แน่นอนไล่ระดับสีตัวอย่างและแรงดันไฟฟ้าที่สร้างขึ้น thermopowerถูกวัดค่าโดยใช้เทอร์โมคัปเปิลสองชนิด

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ฟิล์มบาง NaxCoO2 ถูกวางลงบนพื้นผิว SiO2 / ศรีที่
อุณหภูมิห้องโดยใช้คลื่นความถี่วิทยุระบบสปัตเตอร์แมก
(SUNNICOAT-524 ผลิตโดย Sunic System Co. Ltd) เส้นผ่าศูนย์กลาง Fourinch NaCo2O4 (ความบริสุทธิ์: 99.9%, ซูเปอร์วัสดุตัวนำ,
Inc) เป้าหมายเซรามิกเผาที่ใช้สำหรับการสะสมของ
ฟิล์มบาง NaxCoO2 ความดันการทำงานสำหรับกระบวนการสะสม
ถูกเก็บรักษาไว้ที่ 5? 10? 3 Torr และความดันฐานเป็น
ประมาณ 5? 10 6 Torr ภายใต้ส่วนผสมของเท่และ O2
(AR: O2 ¼ 3: 1) โดยมีอัตราการไหลรวมเป็น 20 SCCM ฝาก
NaxCoO2 ฟิล์มบางถูกความร้อนในเวลาต่อมา 550 องศา, 600 องศาและ
650 องศาเซลเซียสเป็นเวลา 2 นาทีโดย RTA (การอบความร้อนอย่างรวดเร็ว) microbeam Xray
เลนส์ (XRD) (D8 ค้นพบ) ที่มีสีเดียว Cu กา
รังสี (L ¼ 1.5405 A) ที่ 40 mA และ 40 กิโลโวลต์ได้ถูกใช้ในลักษณะ
โครงสร้างผลึก ข้อมูล XRD ที่ได้รับใน
ช่วงไตรมาสที่ 2 ¼ 20? 70? ที่มีขนาดขั้นตอนของ 0.03? และเวลาจำนวน
5 s ลักษณะทางสัณฐานวิทยาผิวได้รับการประเมินโดยวิธีการของ fieldemission
กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอน (SEM) (533m ฟิลิปส์).
ภาพภูมิประเทศที่ได้รับใช้ในเชิงพาณิชย์ดำเนิน
แรงอะตอมกล้องจุลทรรศน์ (C-AFM, Seiko สปา 400, สแกนอัตรา: 0.5 Hz).
เอ็กซ์ -ray photoemission สเปกโทรสโก (XPS) การวิเคราะห์ได้ดำเนินการ
เพื่อตรวจสอบองค์ประกอบของพื้นผิวโดยใช้อเนกประสงค์
เอ็กซ์เรย์โฟโตอิเล็กตรอนสเปกโทรสโก (Thermo VG วิทยาศาสตร์).
รามันสเปกตรัมถูกถ่ายในช่วง 1200 ซม.? 1 1700 ซม. 1
กับรามัน สเปกโตรมิเตอร์ (Horiba Jobin Yvon, ฝรั่งเศส) และ
นาโนเมตรขนาดลำแสงเลเซอร์ Heene ต้านทานไฟฟ้าของผู้ให้บริการ
ความเข้มข้นและความคล่องตัวฮอลล์ได้รับการวัดที่มีฮอลล์
เครื่องมือวัดผล (HMS-3000) วัด Seebeck
ได้ดำเนินการโดยใช้อุปกรณ์พิเศษที่ออกแบบที่
Fraunhofer IPM สำหรับการตรวจวัดแบบฟิล์มบาง อุณหภูมิที่แน่นอน
ลาดมากกว่ากลุ่มตัวอย่างและแรงดันไฟฟ้า thermopower สร้าง
วัดโดยใช้ทั้งสองประเภทของเทอร์โม