Also as an n-type directband gap II

Also as an n-type direct
band gap II–IV semiconductor with a wurtzite structure, ZnO
is attractive for high efficiency short wavelength optoelectronic devices
such as transparent electronics and nanodevices [1,2].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

นอกจากนี้ยังเป็นชนิด n ได้ โดยตรงวงการสารกึ่งตัวนำช่องว่าง II-IV โดยโครงสร้าง wurtzite, ZnOเป็นที่น่าสนใจสำหรับอุปกรณ์ optoelectronic ความยาวคลื่นสั้นที่มีประสิทธิภาพสูงอิเล็กทรอนิกส์ที่โปร่งใสและ nanodevices [1, 2]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ยังเป็นชนิดเอ็นตรง
ช่องว่างแถบเซมิคอนดักเตอร์ II-IV ด้วยโครงสร้าง wurtzite, ซิงค์ออกไซด์
เป็นที่น่าสนใจสำหรับการที่มีประสิทธิภาพสูงความยาวคลื่นสั้นอุปกรณ์ optoelectronic
เช่นอิเล็กทรอนิกส์ที่โปร่งใสและ nanodevices [1,2]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ยังเป็นวงดนตรีทั่วไปตรงช่องว่างที่ 2 – 4
สารกึ่งตัวนำที่มีโครงสร้าง wurtzite ZnO ,
มีเสน่ห์สำหรับประสิทธิภาพสูงสั้นความยาวคลื่นอุปกรณ์ optoelectronic
เช่นอิเล็กทรอนิกส์และ nanodevices โปร่งใส [ 1 , 2 ]