Protection IssuesIn the previous su

Protection Issues
In the previous subsection a convenient manner of commutating the IGBTs was
discussed. It was noted that in some cases there are over-voltages that should be
managed appropriately to avoid semiconductor destruction [95, 105]. Other sources
of over-voltages are grid perturbations and fault states in the load and, therefore, it
is important to have a method of dealing with these phenomena. An effective and

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

การป้องกันปัญหาในส่วนย่อยที่ก่อนหน้านี้ เป็นลักษณะสะดวกของ commutating IGBTsกล่าวถึง มันถูกตั้งข้อสังเกตว่า ในบางกรณี จะมีแรงดันมากกว่าที่ควรจัดการอย่างเหมาะสมเพื่อหลีกเลี่ยงการทำลายสารกึ่งตัวนำ [95, 105] แหล่งอื่น ๆของแรงดันไฟฟ้าเกินเป็นเส้นชิ้นและรัฐบกพร่องในการโหลดและ ดังนั้น มันจำเป็นต้องมีวิธีการจัดการกับปรากฏการณ์เหล่านี้ มีประสิทธิภาพ และ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ประเด็นการคุ้มครอง
ในส่วนย่อยก่อนหน้านี้อย่างสะดวกของ commutating IGBTs ที่ถูก
กล่าวถึง มันเป็นข้อสังเกตว่าในบางกรณีมีมากกว่าแรงดันไฟฟ้าที่ควรจะ
ได้รับการจัดการอย่างเหมาะสมเพื่อหลีกเลี่ยงการทำลายเซมิคอนดักเตอร์ [95, 105] แหล่งข้อมูลอื่น ๆ
ของแรงดันไฟฟ้าเป็นเยี่ยงอย่างตารางและรัฐความผิดพลาดในการโหลดและดังนั้นจึง
เป็นสิ่งสำคัญที่จะมีวิธีการจัดการกับปรากฏการณ์เหล่านี้ มีประสิทธิภาพและ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ประเด็นการคุ้มครองในวรรคก่อนหน้านี้อย่างสะดวกและ igbts ไทคือกล่าวถึง มันถูกตั้งข้อสังเกตว่า ในบางกรณี มีแรงดันไฟฟ้าที่ควรการจัดการที่เหมาะสมเพื่อหลีกเลี่ยงการทำลายสาร [ 95 , 105 ] แหล่งข้อมูลอื่น ๆกว่าแรงดันไฟฟ้าเป็นตารางได้ และรัฐผิดในการโหลดและ , จึง ,เป็นสิ่งสำคัญที่ต้องมี วิธีการจัดการกับปรากฏการณ์เหล่านี้ ที่มีประสิทธิภาพและ