High (>350◦C) temperature DC-sputte

High (>350◦C) temperature DC-sputtering deposition of ZnO:Al thin films onto singlecrystal (00.1) oriented Al2O3(sapphire) substrates is reported, using a ultrahigh-density,

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

สูง (> 350◦C) อุณหภูมิสะสมสปัตเตอร์ DC ของฟิล์มบาง ZnO:Al บน singlecrystal (00.1) พื้นผิว Al2O3(sapphire) มุ่งเน้นรายงาน ใช้เป็น ultrahigh-density

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

สูง (> 350◦C) อุณหภูมิที่สะสม DC-สปัตเตอร์ของซิงค์ออกไซด์: อัฟิล์มบางบน singlecrystal (00.1) Al2O3 oriented (แซฟไฟร์) พื้นผิวที่มีรายงานการใช้ ultrahigh ความหนาแน่น

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สูง ( > 350 ◦ C ) อุณหภูมิ ดีซีสปัตเตอร์ซิงค์ออกไซด์แบบฟิล์มบางบน singlecrystal : Al ( 00.1 ) มุ่งเน้น Al2O3 ( ไพลิน ) พื้นผิวมีรายงาน การใช้คลื่นวิทยุ ความหนาแน่น