A HSQ/PMMA bilayer resist system, i

A HSQ/PMMA bilayer resist system, in which HSQ as negative tone electron beam resist top layer and PMMA as bottom layer, has
been investigated for negative tone lift-off process. Patterns are first defined on the HSQ resist using electron beam lithography, and then
transferred into the bottom PMMA layer using oxygen reactive ion etching. Electron beam exposure of HSQ on top of PMMA layer has
been characterised, showing the PMMA underlayer has no effect on the exposure of HSQ. Optimum conditions for reactive ion etching
of PMMA underlayer have been established. The undercut length in the PMMA layer is found near linearly dependence on etching time.
Well defined undercut profile has been achieved in the HSQ/PMMA bilayer resist system, and good negative tone metal lift-off structures
have been successfully produced.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Bilayer HSQ/PMMA ต่อต้านระบบ ที่ HSQ เป็นลำแสงอิเล็กตรอนลบเสียงต้านทานชั้นบนสุดและ PMMA เป็นชั้นล่าง มีการตรวจสอบสำหรับกระบวนการลบเสียง lift-off รูปแบบแรกกำหนดในต้านทาน HSQ ที่ใช้ลำแสงอิเล็กตรอนที่ใช้ภาพพิมพ์หิน และโอนเข้าชั้นล่าง PMMA ใช้ออกซิเจนไอออนปฏิกิริยากัด มีแสงลำแสงอิเล็กตรอนของ HSQ บนชั้น PMMAการดำเนิน แสดง PMMA underlayer ไม่มีผลต่อความเสี่ยงของ HSQ เงื่อนไขสำหรับไอออนปฏิกิริยากัดของ PMMA underlayer ได้เริ่มต้นขึ้น ความยาว undercut ในชั้น PMMA พบใกล้เชิงเส้นพึ่งแกะสลักเวลาโพรไฟล์ undercut ที่กำหนดไว้ได้รับความ HSQ/PMMA bilayer ต่อต้านระบบ และโครงสร้างโลหะ lift-off ลบเสียงดีได้รับเรียบร้อยแล้วผลิต

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

HSQ / PMMA bilayer ต่อต้านระบบซึ่งใน HSQ เป็นลำแสงอิเล็กตรอนบรรยากาศที่เป็นลบต่อต้านชั้นบนและ PMMA เป็นชั้นล่างได้
รับการตรวจสอบขั้นตอนการยกออกจากบรรยากาศที่เป็นลบ จะมีการกำหนดรูปแบบครั้งแรกใน HSQ ต่อต้านการใช้ลำแสงอิเล็กตรอนพิมพ์หินและจากนั้น
ย้ายไปอยู่ชั้นล่าง PMMA ใช้ออกซิเจนไอออนแกะสลักปฏิกิริยา การสัมผัสลำแสงอิเล็กตรอนของ HSQ บนชั้น PMMA มี
ลักษณะแสดง underlayer PMMA ไม่มีผลต่อการสัมผัสของ HSQ สภาวะที่เหมาะสมสำหรับการแกะสลักไอออนปฏิกิริยา
ของ PMMA underlayer ได้รับการจัดตั้งขึ้น ความยาวตัดราคาในชั้น PMMA พบการพึ่งพาอาศัยอยู่ใกล้กับเส้นตรงในเวลาแกะสลัก.
กำหนดรายละเอียดดีตัดราคาได้รับความสำเร็จใน bilayer HSQ / PMMA ต่อต้านระบบและโลหะบรรยากาศที่เป็นลบดีโครงสร้างยกออก
ได้รับการผลิตที่ประสบความสำเร็จ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เป็น hsq / PMMA สองชั้นต่อต้านระบบ ซึ่ง hsq ลบเสียงลำแสงอิเล็กตรอนต่อต้านชั้นด้านบนและด้านล่างจึงเป็นชั้นมี
ถูกตรวจสอบเสียงลบยกออกกระบวนการ รูปแบบแรกที่ระบุไว้ใน hsq ต้านทานการใช้ลิโทกราฟีอิเล็กตรอนแล้ว
โอนลงในเลเยอร์ชั้นล่างใช้ออกซิเจนปฏิกิริยาไอออนแกะสลัก . ลำแสงอิเล็กตรอน การ hsq ด้านบนของชั้นชั้นมี
เป็นลักษณะการแสดง PMMA underlayer ไม่มีผลต่อการ hsq . สภาวะที่เหมาะสมสำหรับปฏิกิริยาไอออนแกะสลัก
ของ PMMA underlayer ได้รับการจัดตั้งขึ้น การตัดราคาความยาวใน PMMA ชั้นพบใกล้เชิงพึ่งพาการกำหนดเวลา .
ก็ตัดราคาโปรไฟล์ได้ประสบใน hsq / PMMA สองชั้นต่อต้านระบบและโลหะโทนดีลบยกออกโครงสร้าง
ได้รับเรียบร้อยแล้วผลิต