The ability of ALD deposited TiO2 s

The ability of ALD deposited TiO2 surface coatings to protect
BOPP film against UV induced photodegradation was investigated.
The coatings were produced from TDMAT and ozone precursors
in a low-temperature ALD process having the process temperature
(80 ◦C) clearly below the substrate’s melting point. The results
showed that the 36 nm TiO2 layer as measured on silicon samples
provided a moderate and the 67 nm layer significant UV protection
for BOPP. It is also demonstrated that there is a significant difference
in the thickness of films on BOPP compared to silicon because of an
extended nucleation period which needs to be taken into account
when estimating the thickness. According to IR analysis, the 67 nm
coating was able to largely prevent the formation of the main photodegradation
products in BOPP after a 6-week UV exposure. DSC
analysis showed that neither the UV treatment nor the TiO2 coating
process affected the degree of crystallinity in BOPP. However,
the melting behaviour of samples indicated that the TiO2 coating
protected the BOPP film from UV degradation.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ความสามารถของ ALD ฝาก TiO2 เคลือบผิวปกป้อง
ฟิล์มบอปป์กับ UV เกิด photodegradation ถูกสอบสวน
เคลือบที่ผลิตจาก TDMAT และโอโซน precursors
ในกระบวน ALD อุณหภูมิต่ำมีอุณหภูมิกระบวนการ
(80 ◦C) ด้านล่างพื้นผิวชัดเจนของละลายจุด ผล
พบว่าชั้นของ nm TiO2 36 วัดในตัวอย่างซิลิคอน
ปานกลางและที่ 67 nm ชั้นสำคัญกันแดด
สำหรับบอปป์ แต่ยังจะแสดงว่า มีความแตกต่างอย่างมีนัยสำคัญ
ในความหนาของฟิล์มในบอปป์เมื่อเทียบกับซิลิกอนเนื่องจากมี
nucleation ขยายรอบระยะเวลาที่ต้องนำมาพิจารณา
เมื่อประเมินความหนา ตามการวิเคราะห์ IR, 67 nm
เคลือบได้เพื่อป้องกันการก่อตัวของ photodegradation หลักใหญ่
ผลิตภัณฑ์ในบอปป์หลังรังสี 6 สัปดาห์ DSC
วิเคราะห์พบว่าไม่มีการรักษา UV หรือเคลือบ TiO2
กระบวนการได้รับผลกระทบระดับ crystallinity ในบอปป์ อย่างไรก็ตาม,
ระบุพฤติกรรมการละลายของตัวอย่างที่เคลือบ TiO2
ป้องกันฟิล์มบอปป์จาก UV ย่อยสลาย

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ความสามารถของ ald ฝากเคลือบผิว TiO2 เพื่อปกป้องฟิล์ม BOPP กับการใช้แสงยูวี

ศึกษาเคลือบที่ผลิตจาก tdmat และโอโซนในอุณหภูมิตั้งต้น
ald กระบวนการมีอุณหภูมิ
( 80 ◦ C ) ชัดเจนด้านล่างของพื้นผิวจุดหลอมเหลว ผลลัพธ์
พบว่า 36 nm ) เลเยอร์เป็นวัดตัวอย่าง
ซิลิคอนให้ข้อมูล และที่สำคัญป้องกัน UV 67 nm .
สำหรับ BOPP . นอกจากนี้ยังพบว่ามี
ความแตกต่างในความหนาของฟิล์ม BOPP เมื่อเทียบกับบนซิลิคอน เพราะการขยายระยะเวลา
nucleation ซึ่งต้องเข้าบัญชี
เมื่อคำนวณความหนา ตามการวิเคราะห์ IR , 67 nm
เคลือบถูกสามารถไปป้องกันการก่อตัวของผลิตภัณฑ์หลักในการย่อยสลายด้วยแสง
BOPP หลังจาก 6 สัปดาห์ UV แสง การวิเคราะห์ DSC
พบว่าทั้ง UV รักษาหรือเคลือบ TiO2
กระบวนการส่งผลต่อระดับความเป็นผลึกในบอปป์ . อย่างไรก็ตาม ละลายพฤติกรรมตัวอย่าง

) พบว่า การเคลือบป้องกันฟิล์ม BOPP จากการย่อยสลาย UV