Dielectric targets have been used f

Dielectric targets have been used for direct sputtering of the
dielectric. These materials are, for the most part, relatively porous, with
target density sometimes only 50% of bulk[7.1]. This porosity leads to
entrapped gases which are released slowly as the target ablates, in essence,
a virtual leak. These gases, mostly water and air, contaminate the films,
usually degrading them. Often, to insure stoichiometry, reactive
sputtering is used to insure the total conversion of the target material to
118
its oxide or nitride. RF sputtering is used to deposit metals as well as
dielectrics. Thus it is possible in a single pump down to deposit both
conductive and dielectric films.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เป้าหมายเป็นฉนวนใช้สำหรับพ่นโดยตรงของการdielectric วัสดุเหล่านี้มี มากที่สุดส่วน porous ค่อนข้าง กับเป้าหมายความหนาแน่นบางครั้งเพียง 50% ของจำนวนมาก [7.1] Porosity นี้นำไปสู่ก๊าซที่เก็บกักซึ่งจะออกช้าเป็นเป้าหมาย ablates สาระสำคัญการรั่วไหลเสมือน ก๊าซเหล่านี้ ส่วนใหญ่เป็นน้ำและอากาศ ฟิล์ม ที่ปนเปื้อนโดยปกติจะลดให้ มักจะ การประกัน stoichiometry ปฏิกิริยาพ่นใช้ประกันแปลงรวมวัสดุเป้าหมายการ118ของออกไซด์หรือ nitride RF พ่นใช้ฝากโลหะเป็นdielectrics ดังนั้น จึงเป็นไปได้ในการปั๊มเดียวลงฝากทั้งสองภาพยนตร์เป็นสื่อกระแสไฟฟ้า และเป็นฉนวน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เป้าหมายอิเล็กทริกมีการใช้มาสปัตเตอร์โดยตรงของอิเล็กทริก วัสดุเหล่านี้เป็นส่วนใหญ่ที่มีรูพรุนค่อนข้างหนาแน่นเป้าหมายบางครั้งเพียง 50% ของกลุ่ม [7.1]
พรุนนี้นำไปสู่การปล่อยก๊าซกักซึ่งมีการเปิดตัวช้าเป็นเป้าหมาย ablates ในสาระสำคัญการรั่วไหลเสมือน ก๊าซเหล่านี้ส่วนใหญ่เป็นน้ำและอากาศปนเปื้อนภาพยนตร์มักจะย่อยสลายพวกเขา บ่อยครั้งที่จะประกันปริมาณสารสัมพันธ์ปฏิกิริยาสปัตเตอร์ที่ใช้ในการประกันการแปลงรวมของวัสดุเป้าหมาย118 ออกไซด์หรือไนไตรด์ สปัตเตอร์ RF จะใช้โลหะเงินฝากเช่นเดียวกับdielectrics ดังนั้นมันจึงเป็นไปได้ในปั๊มเดียวลงไปฝากทั้งกระแสไฟฟ้าและภาพยนตร์อิเล็กทริก