shows the I-V curves for a standard

shows the I-V curves for a standard n-type front junction silicon photovoltaic module before and after potential-induced degradation tests for 2 h by applying -50 v at 85 c, -1000 v at 25 c, and -1000 v at 58 c.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

แสดงเส้นโค้ง-V สำหรับโมดูลเซลล์แสงอาทิตย์ซิลิคอนมาตรฐานประเภท n หน้าแยกก่อน และ หลังการทดสอบศักยภาพที่เกิดการย่อยสลายสำหรับ 2 h โดยการใช้-50 v ที่ 85 c, -1000 v ที่ 25 c และ-1000 v ที่ 58 c

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

แสดงให้เห็นเส้นโค้ง IV สำหรับชนิดเอ็นชุมทางด้านหน้าโมดูลเซลล์แสงอาทิตย์ซิลิคอนมาตรฐานก่อนและหลังการทดสอบการย่อยสลายที่มีศักยภาพที่เกิดขึ้นเป็นเวลา 2 ชั่วโมงโดยใช้ -50 V 85 C, V -1000 ที่ 25 C และ -1000 V 58 C

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

แสดงกราฟไฟฟ้าสำหรับเซลล์แสงอาทิตย์ซิลิคอนโมดูลแยกมาตรฐานทั่วไปหน้าก่อนและหลังการทดสอบศักยภาพให้เกิดการย่อยสลาย 2 ชั่วโมงโดยใช้ - 50 V ที่ 85 C - 1000 V ที่ 25 C และ - 1000 V ที่ 58 .