Aluminum-doped zinc oxide is a prom

Aluminum-doped zinc oxide is a promising material for
the transparent-conducting layer in photovoltaic devices.
Zinc oxide has been grown by vacuum sputtering [1,2],
thermal chemical vapor deposition (CVD) [3], plasmaenhanced
chemical vapor deposition (PECVD) [4], expanding
thermal plasma [5], and vacuum arc deposition [6].
Most of these processes are performed under vacuum in
batch process chambers. In order to reduce the cost of
producing thin-film photovoltaics, it is desirable to develop
alternative processes that operate at atmospheric pressure
and can be applied to continuous, in-line manufacturing.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Doped อลูมิเนียมสังกะสีออกไซด์เป็นวัสดุสัญญาสำหรับ
ชั้นโปร่งใสดำเนินในเซลล์แสงอาทิตย์อุปกรณ์
สังกะสีออกไซด์มีการเติบโต โดยการดูดพ่น [1, 2],
สะสมไอสารเคมีความร้อน (เกี่ยวกับ [3] plasmaenhanced
สะสมไอสารเคมี (PECVD) [4], ขยาย
พลาสม่าความร้อน [5], และส่วนโค้งดูดสะสม [6] .
ส่วนใหญ่ของกระบวนการเหล่านี้จะดำเนินการภายใต้สุญญากาศใน
ชุดงานกระบวนการแชมเบอร์ส เพื่อลดต้นทุนของ
ผลิตแผงเซลล์แสงแบบฟิล์ม มันเป็นการสมควรพัฒนา
กระบวนการอื่นที่ทำงานที่ความดันบรรยากาศ
และสามารถใช้เพื่อการผลิตอย่างต่อเนื่อง ในบรรทัด

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

อลูมิเนียมเจือสังกะสีออกไซด์เป็นวัสดุที่มีแนวโน้มการ
ชั้นโปร่งใสการดำเนินในอุปกรณ์ไฟฟ้าโซลาร์เซลล์
สังกะสีออกไซด์ที่ได้รับการเติบโตขึ้นโดยสูญญากาศสปัตเตอร์ [1,2],
ความร้อนสะสมไอสารเคมี (CVD) [3] plasmaenhanced
ไอสารเคมีสะสม (PECVD ) [4] ขยาย
[5] พลาสม่าความร้อนและสูญญากาศโค้งสะสม [6]
ส่วนใหญ่ของกระบวนการเหล่านี้จะดำเนินการภายใต้สูญญากาศใน
ห้องกระบวนการ batch เพื่อที่จะลดค่าใช้จ่ายของ
การผลิตไฟฟ้าพลังงานแสงอาทิตย์ชนิดฟิล์มบางเป็นที่พึงปรารถนาในการพัฒนา
กระบวนการทางเลือกที่ทำงานที่ความดันบรรยากาศ
และสามารถนำไปใช้อย่างต่อเนื่องการผลิตในสายการผลิต

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

อลูมิเนียมที่มีซิงค์ออกไซด์เป็นวัสดุหลักความโปร่งใสการดำเนินการในชั้น

อุปกรณ์เซลล์แสงอาทิตย์ สังกะสีออกไซด์ที่ได้เติบโตขึ้นโดยสูญญากาศ Sputtering [ 1 , 2 ] ,
ไอสารเคมีความร้อนสะสม ( CVD ) [ 3 ] plasmaenhanced
chemical vapor deposition ( pecvd ) [ 4 ] , ขยาย
ความร้อนพลาสมา [ 5 ] และ การอาร์กในสุญญากาศ [ 6 ] .
มากที่สุดของกระบวนการเหล่านี้จะถูกแสดงใน
ภายใต้สุญญากาศห้องกระบวนการแบทช์ เพื่อที่จะลดต้นทุนในการผลิตฟิล์มบางเซลล์สุริยะ
เป็นที่พึงปรารถนาที่จะพัฒนาทางเลือกที่ใช้กระบวนการ

ความดันบรรยากาศและสามารถใช้ได้อย่างต่อเนื่อง การผลิตในสายการผลิต