The films are grown by pulsed laser

The films are grown by pulsed laser deposition technique by using a KrF excimer laser at a wavelength of 248 nm. The pulse repetition rate of the laser is 5 Hz and the energy of per pulse is 100 mJ. A ZnGa2O4:Cr3+ ceramic target is installed parallel to the substrate surface and the distance between the target and the substrate is kept at 5 cm. The target and the substrate are rotated at 30 rpm continuously during the deposition process.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ภาพยนตร์ที่มีการปลูกโดยใช้เทคนิคการสะสมเลเซอร์ชีพจรโดยใช้ KrF excimer เลเซอร์ที่ความยาวคลื่น 248 นาโนเมตร อัตราการทำซ้ำชีพจรของเลเซอร์เป็น 5 เฮิร์ตซ์และพลังงานของพัลส์ต่อ 100 mJ ZnGa2O4: Cr3 + เป้าหมายเซรามิกที่มีการติดตั้งขนานกับพื้นผิวและระยะห่างระหว่างเป้าหมายและพื้นผิวจะถูกเก็บไว้ที่ 5 ซม. เป้าหมายและพื้นผิวจะหมุนวันที่ 30 รอบต่อนาทีอย่างต่อเนื่องในระหว่างขั้นตอนการสะสม

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ภาพยนตร์โดยการปลูกแบบใช้เลเซอร์ โดยใช้ krf excimer เลเซอร์ที่ความยาวคลื่น 700 nm . ชีพจรอัตราการเลเซอร์ 5 Hz และพลังงานต่อชีพจร 100 MJ เป็น znga2o4 : ทางเคมีเซรามิคเป้าหมายติดตั้งขนานกับพื้นผิวพื้นผิวและระยะทางระหว่างวัตถุและพื้นผิวจะถูกเก็บไว้ที่ 5 เซนติเมตรภาพยนตร์โดยการปลูกแบบใช้เลเซอร์ โดยใช้ krf excimer เลเซอร์ที่ความยาวคลื่น 700 nm . ชีพจรอัตราการเลเซอร์ 5 Hz และพลังงานต่อชีพจร 100 MJ เป็น znga2o4 : ทางเคมีเซรามิคเป้าหมายติดตั้งขนานกับพื้นผิวพื้นผิวและระยะทางระหว่างวัตถุและพื้นผิวจะถูกเก็บไว้ที่ 5 เซนติเมตร