OFETs have been fabricated with var

OFETs have been fabricated with various device geometries
[24]. Fig. 1 illustrates an OFET structure with bottom gate/bottom
contact geometry. The working principle of an OLEFET is based on
the simultaneous injection of electrons and holes into a double orambipolar layer by tuning of the gate–source and drain–source
voltages. The accumulated charge is zero when the biasing conditions
are such that the potential at some point in the channel equals
the gate potential. Consequently, at this point the electron and hole
accumulation layers vanish (Fig. 1). Exciton formation occurs near
this point and radiative relaxation of these excitons to the ground
state leads to light emission. Although the basic concept of an
OLEFET dates back to 1996 [25], the development of OLEFETs is still
in a relatively early stage.
The first OLEFET has been demonstrated by Hepp et al. [26] and
is based on vacuum-evaporated tetracene as the organic semiconductor.
Since this first demonstration, OLEFETs have been fabricated
using polymers [27,28], small molecules [29–31], a heterostructure
of p- and n-type organic semiconductors [32–37] and the ambipolar
polymeric semiconductors [38,39]. Recently, Muccini et al. reported
high external quantum efficiency of 5% using a trilayer heterostructure
device composed of a light emitting layer sandwiched
between p-type and n-type layers [40].
The conjugated polymers used in OLEFETs should possess both
excellent field effect mobility and good light emitting characteristics.
In order to achieve high conductivity, conjugated polymers can be
doped by chemical [41–43] or electrochemical mechanisms [43–45].
On the other hand, electrostatic field induced doping of conjugated
polymers has been widely reported in the context of organic filed
effect transistors [46,47]. In contrast to chemical and electrochemical
doping experiments, carrier density in field effect transistor
devices is determined by the gate voltage induced charge density.
To enhance the field effect induced doping, several groups have
also demonstrated that solution processable solid polymer electrolytes,
such as polyethylene oxide (PEO) with dissolved Li salts, can
be used as gate insulator materials in transistors [48–53].
In principle, there are two basic mechanisms by which
electrolyte–gated transistors can operate. Upon application of a
gate voltage, an electrical double layer forms at the gate/electrolyte
interface. At the semiconductor/electrolyte interface a second
double layer can form composed of accumulated carriers in the
semiconductor and oppositely charged ions in the electrolyte. This
is the ‘‘electrostatic doping’’ or field effect regime. In some cases,
ions from the electrolyte do not penetrate the semiconductor.
Alternatively, if the semiconductor is permeable (which can be
easily the case with polymeric semiconductors), ions from the
polymer electrolyte dielectric will cross the semiconductor/electrolyte
interface and penetrate into the semiconductor. In this case,
charges (e.g., holes) accumulated in the semiconductor are balanced
by the diffusion of counterions (e.g., anions). This is the electrochemical
doping regime, which was well-established in experiments
on microelectro-chemical transistors in the 1980s [54–56].
The effect of ions on the generation and transport of charge
carriers in semiconductors is not an unfamiliar concept; the first
demonstration of the sensitivity of a Si transistor in an ionic
solution was reported more than 40 years ago [57]. Furthermore,
in recent years polymer light emitting electrochemical cells
(LECs) have been demonstrated, in which mobile ions facilitate
the efficient injection of electrons and holes into luminescent
organic semiconductors by doping the semiconducting polymer
in p and n-type near the anode and cathode, respectively [58].
Polymer LECs are novel polymer light-emitting devices
operating on the principle of ‘‘in situ’’ electrochemical doping,
basically distinct from OLEDs which are based on the intrinsic
properties of undoped semiconducting polymers. LECs consist of a
polymer blend containing a luminescent conjugated polymer, an
ion conductive polymer and an ionic salt sandwiched between an
indium tin oxide (ITO) electrode and a metal electrode. When the
applied bias is greater than the energy gap of the luminescent
polymer, the ions dissociated from the salt dope the conjugated
polymer p-type near the anode and n-type near the cathode, and a
p–i–n junction is formed ‘‘in situ’’ by electrochemical doping
during the biasing (Fig. 2)Anode reaction:
ðppolymerÞþ½Dþ Asolv-½ðppolymerÞ
xþ ðAÞxþxDþ þxe ð1Þ
Cathode reaction:
ðppolymerÞþxe þ½Dþ Asolv-½ðppolymerÞ
xðDþ ÞxþxðAÞ ð2Þ
where DþA is the salt in the electrolyte. The doping near the
metallic electrodes facilitates charge injection, holes into p-type
doped material and electrons into n-type doped material. As
sketched in Fig. 2, light emission occurs in the intrinsic region
between the p- and n-doped layers where the opposite charge
carriers recombine radiatively [58–63].
To use the same ideology of an LEC in the OFETs can lead to
new features and functionality [64,65]. Because of the mixed
ionic/electronic conduction mechanisms in conjugated polymers
–conjugated polyelectrolyte composites, additional functionalities
can be introduced [66]. These materials combine the electronic
and optical qualities of conjugated polymers with the
properties of polyelectrolytes and all this can be modified by
applied gate voltages [66–68].
Here we report doped OFETs consisting of a conjugated luminescent
polymer poly[2-methoxy-5-(3’,7’-dimethyloctyloxy)–1,4-
phenylenevinylene] (MDMO–PPV) mixed with polymer electrolyte
poly(ethylene oxide) (PEO) including lithium trifluoromethanesulfonate
(LiCF3SO3) as an active layer and benzocyclobutane (BCB) as
a gate dielectric. The role of ionic charge carriers in the active layers
of OFETs have been demonstrated by investigating detailed optoelectronic
characteristics.
2. Experimentainert condition with the thickness of the dielectric layer consistently
gave the values of the dielectric constant e of 2.6 and capacitance
Ci of 1.3 nF/cm2
. Following the BCB curing, bottom contact source
and drain electrodes consisting of 60 nm Au were evaporated under
high vacuum (106 Torr) through a shadow mask. The channel
length (L) and the channel width (W) of the device was 30 mm and
5 mm, respectively. The conjugated polymer MDMO–PPV and the
polymer electrolyte consisted of poly(ethylene oxide) (PEO) and
lithium trifluoromethanesulfonate (Li triflate) were obtained from
Sigma-Aldrich Co. MDMO–PPV, PEO, and Li triflate were blended
5:5:1 by weight and dissolved in pyridine to create master solutions
of concentrations of 1% (w/v).
2.2. Device characterization
Steady state current–voltage measurements were performed
at room temperature using an Agilent E5273A parametric analyzer
with two source-measure units and the light emission
intensity was simultaneously detected by a photomultiplier
placed just above the device. Keithley 236 source-measure unit
instrument was also employed to take the light output. All
measurements were performed at a scan rate of 1 V/s. The
electroluminescence spectra were recorded by a calibrated spectrophotometer
(Spectra Scan PR-655, Photo Research, CA). Photoluminescence
measurements were performed with a Horiba
Yobin Ivon Fluorolog-3 spectrafluorometer. The spatial distribution
of light emission of the operating device was taken by a
digital camera through an optical microscope. Both device fabrication
and characterization were performed in a glovebox under
nitrogen atmosphere with o1 ppm water and oxygen content.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

OFETs ได้รับหลังสร้าง ด้วยรูปทรงเรขาคณิตที่อุปกรณ์ต่าง ๆ[24] . fig. 1 แสดงโครงสร้างเป็น OFET กับประตูด้านล่างติดต่อเรขาคณิต หลักการทำงานของ OLEFET ที่อยู่การฉีดพร้อมกันของอิเล็กตรอนและหลุมเป็นชั้นคู่ orambipolar โดยปรับแต่งประตู – แหล่งและท่อระบายน้ำแหล่งแรงดัน ค่าธรรมเนียมสะสมเป็นศูนย์เมื่อ biasing เงื่อนไขมีให้เท่ากับศักยภาพในบางจุดในช่องประตูที่มีศักยภาพ ดังนั้น ที่จุดอิเล็กตรอนและหลุมสะสมชั้นกลีบ (Fig. 1) Exciton ก่อเกิดใกล้จุดนี้และผ่อน radiative ของ excitons เหล่านี้ไปพื้นดินรัฐนำไปสู่มลพิษแสง แม้ว่าแนวคิดพื้นฐานของการวัน OLEFET กลับไปปี 1996 [25], การพัฒนาของ OLEFETs ยังคงเป็นในระยะแรก ๆ ค่อนข้างOLEFET แรกมีการสาธิตโดย Hepp et al. [26] และตามดูดหายไป tetracene เป็นสารกึ่งตัวนำอินทรีย์คลังที่ได้รับการหลังสร้าง OLEFETs ตั้งแต่นี้แรกสาธิตโดยใช้โพลิเมอร์ [27,28], [29-31] ของโมเลกุลขนาดเล็ก heterostructurep และ n-ชนิดอินทรีย์อิเล็กทรอนิกส์ [32 – 37] และ ambipolarชนิดอิเล็กทรอนิกส์ [38,39] ล่าสุด Muccini et al. รายงานประสิทธิภาพควอนตัมภายนอกสูง 5% ใช้ trilayer heterostructureอุปกรณ์ประกอบแสงเปล่งชั้นชาวลาวอชนิด p และชนิด n ชั้น [40]โพลิเมอร์กลวงที่ใช้ใน OLEFETs ควรมีทั้งฟิลด์แห่งผลเคลื่อนไหวและลักษณะการเปล่งแสงที่ดีเพื่อนำสูง โพลิเมอร์กลวงสามารถdoped เคมี [41 – 43] หรือกลไกทางเคมีไฟฟ้า [43-45]บนมืออื่น ๆ ฟิลด์สถิตเกิดโดปปิงค์ของกลวงโพลิเมอร์มีการแพร่หลายรายงานในบริบทของอินทรีย์เก็บข้อมูลผล transistors [46,47] ในทางตรงข้ามสารเคมี และไฟฟ้าเคมีโดปปิงค์ทดลอง ความหนาแน่นของผู้ขนส่งในฟิลด์ผลทรานซิสเตอร์อุปกรณ์เป็นไปตามความหนาแน่นค่าแรงดันที่เกิดจากประตูเมื่อต้องการเพิ่มฟิลด์ผลเกิดโดปปิงค์ มีหลายกลุ่มนอกจากนี้ยัง สาธิตโซลูชั่นที่พอลิเมอร์แข็ง processable ไลต์เช่นเอทิลีนออกไซด์ (PEO) โดยละลายเกลือหลี่ สามารถสามารถใช้เป็นวัสดุฉนวนกันความร้อนประตูใน transistors [48-53]หลัก มีกลไกพื้นฐานสองที่อิเล็กโทร-gated transistors สามารถทำงาน เมื่อใช้เป็นแรงดันเกต ฟอร์มการไฟฟ้าชั้นที่ประตู/อิเล็กโทรไลอินเตอร์เฟซ ในสารกึ่งตัวนำ/อิเล็กโทรไลอินเทอร์เฟซที่สองชั้นสองสามารถฟอร์มประกอบด้วยสายการบินสะสมในการสารกึ่งตัวนำและ oppositely อ่อน ๆ ในอิเล็กโทรไล นี้คือ ''โดปปิงค์สถิต '' หรือฟิลด์ลักษณะระบอบการ ในบางกรณีประจุจากอิเล็กโทรไลเจาะสารกึ่งตัวนำที่หรือ ถ้าเป็นสารกึ่งตัวนำที่ permeable (ซึ่งอาจจะง่าย ๆ ในกรณีของชนิดอิเล็กทรอนิกส์), ประจุจากการพอลิเมอร์อิเล็กโทร dielectric จะข้ามสารกึ่งตัวนำ/อิเล็กโทรไลอินเทอร์เฟซ และเจาะเข้าไปในสารกึ่งตัวนำที่ ในกรณีนี้ค่าธรรมเนียม (เช่น หลุม) สะสมในสารกึ่งตัวนำที่มีความสมดุลโดยการแพร่ของ counterions (เช่น anions) นี่คือการไฟฟ้าโดปปิงค์ระบอบ ที่ดีขึ้นในการทดลองบน transistors microelectro เคมีในทศวรรษ 1980 54 – 56]ผลของประจุสร้างและขนส่งของค่าธรรมเนียมสายการบินในอิเล็กทรอนิกส์ไม่ใช่แนวคิดไม่คุ้นเคย ครั้งแรกสาธิตของระดับความสำคัญของทรานซิสเตอร์ในในมี ionicโซลูชันที่มีรายงานมากกว่า 40 ปี [57] นอกจากนี้ปีแสงพอลิเมอร์เปล่ง electrochemical เซลล์(LECs) มีการแสดง ช่วยในการเคลื่อนประจุการฉีดมีประสิทธิภาพของอิเล็กตรอนและหลุมเป็น luminescentอิเล็กทรอนิกส์อินทรีย์ โดยพอลิเมอร์ตัวโดปปิงค์p และชนิด n แอโนดและแคโทด ตามลำดับ [58]LECs พอลิเมอร์เป็นพอลิเมอร์นวนิยายเปล่งแสงอุปกรณ์ทำงานบนหลักการของ ''ใน situ'' ไฟฟ้าโดปปิงค์โดยทั่วไปแตกต่างจาก OLEDs ซึ่งขึ้นอยู่กับการ intrinsicคุณสมบัติของโพลิเมอร์ตัว undoped LECs ประกอบด้วยการพอลิเมอร์ผสมประกอบด้วยการ luminescent กลวงพอลิเมอร์ การพอลิเมอร์ไฟฟ้าไอออนและเกลือเป็น ionic ชาวลาวอระหว่างการอินเดียมทินออกไซด์ (ITO) อิเล็กโทรดและอิเล็กโทรดโลหะ เมื่อการความโน้มเอียงใช้มีขนาดใหญ่กว่าช่องว่างพลังงานของที่ luminescentพอลิเมอร์ ประจุเกลือถูก dope ที่กลวงp-ชนิดแอโนดและชนิด n ใกล้แคโทด พอลิเมอร์และi – p – n junction จะเกิด ''ใน situ'' โดยโดปปิงค์ไฟฟ้าในระหว่างปฏิกิริยาที่แอโนด (Fig. 2) biasing:ðppolymerÞþ½Dþ Asolv-½ðppolymerÞxþ ðAÞxþxDþ þxe ð1Þแคโทดปฏิกิริยา:ðppolymerÞþxe þ½Dþ Asolv ½ðppolymerÞxðDþ ÞxþxðAÞ ð2Þโดยที่ DþA คือ เกลือในอิเล็กโทรไล โดปปิงค์ใกล้โลหะหุงตอำนวยความสะดวกค่าฉีด หลุมเป็นชนิด pdoped วัสดุและอิเล็กตรอนในวัสดุ doped n ชนิด เป็นร่างแผนใน Fig. 2 แสงมลพิษเกิดขึ้นในภูมิภาค intrinsicระหว่างชั้น doped p และ n ที่คิดตรงข้ามสายการบิน radiatively recombine [58-63]การใช้อุดมการณ์เดียวกันของการ LEC ใน OFETs สามารถนำไปคุณลักษณะใหม่และการทำงาน [64,65] เนื่องจากการผสมกลไกการนำ ionic/อิเล็กทรอนิกส์ ในโพลิเมอร์กลวง– กลวง polyelectrolyte คอมโพสิต ฟังก์ชันเพิ่มเติมได้นำ [66] วัสดุเหล่านี้รวมอิเล็กทรอนิกส์และคุณภาพแสงของโพลิเมอร์กลวงด้วยการคุณสมบัติของ polyelectrolytes และทั้งหมดนี้สามารถปรับเปลี่ยนโดยใช้แรงดันเกต [66 – 68]ที่นี่เรารายงาน doped OFETs ประกอบด้วยแบบกลวง luminescentโพลีเมอร์ [2-methoxy - 5- (3, 7' dimethyloctyloxy) -1,4 -phenylenevinylene] (MDMO – PPV) ผสมกับพอลิเมอร์อิเล็กโทรpoly(ethylene oxide) (PEO) รวมถึงแบตเตอรี่ลิเธียม trifluoromethanesulfonate(LiCF3SO3) เป็นชั้นที่ใช้งานอยู่และ benzocyclobutane (BCB) เป็นdielectric เป็นประตู บทบาทของสายการบินค่าธรรมเนียม ionic ในเลเยอร์ใช้งานของ OFETs ได้ถูกแสดง โดยตรวจสอบรายละเอียด optoelectronicลักษณะการ2. Experimentainert เงื่อนไขกับความหนาของ dielectric ชั้นอย่างสม่ำเสมอให้ค่าของอีคง dielectric 2.6 และความCi ของ nF 1.3 cm2. ขั้นบ่ม BCB แหล่งที่มาติดต่อด้านล่างและหุงตประกอบด้วย 60 nm Au ได้หายไปภายใต้สุญญากาศสูง (106 ธอร์) ผ่านรูปแบบของเงา ช่องสัญญาณความยาว (L) และความกว้างช่องสัญญาณ (W) ของอุปกรณ์ได้ 30 มม. และ5 มม ตามลำดับ พอลิเมอร์กลวง MDMO – PPV และอิเล็กโทรพอลิเมอร์ประกอบด้วย poly(ethylene oxide) (PEO) และtrifluoromethanesulfonate ลิเธียม (Li triflate) ได้รับมาจากผสม Aldrich ซิกจำกัด MDMO – PPV สาธารณรัฐประชาธิปไตย และ Li triflate5:5:1 โดยน้ำหนัก และละลายใน pyridine เพื่อสร้างโซลูชั่นหลักของความเข้มข้น 1% (w/v)2.2. อุปกรณ์จำแนกได้ดำเนินการวัดกระแสแรงดันท่อนที่อุณหภูมิห้องโดยใช้การ Agilent E5273A พาราเมตริกวิเคราะห์มีสองหน่วยวัดต้นทางและเล็ดรอดแสงพร้อมพบความเข้ม โดย photomultiplier เป็นวางไว้เหนืออุปกรณ์ Keithley 236 หน่วยวัดต้นทางเครื่องมือยังจ้างจะออกไฟ ทั้งหมดดำเนินการประเมินในอัตราการสแกน V/s ได้ 1บันทึก โดยเครื่องทดสอบกรดด่าง calibrated electroluminescence แรมสเป็คตรา(แรมสเป็คตราสแกน PR-655 ภาพวิจัย CA) Photoluminescenceวัดได้ดำเนินการกับการ HoribaSpectrafluorometer Yobin Ivon Fluorolog-3 การกระจายของมลพิษแสงอุปกรณ์ปฏิบัติงานถูกนำมาโดยการกล้องดิจิตอลผ่านทางกล้องจุลทรรศน์เป็นแสง ประดิษฐ์อุปกรณ์ทั้งสองและได้มีการจำแนกใน glovebox ใต้บรรยากาศไนโตรเจน o1 ppm น้ำและออกซิเจนเนื้อหา

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

OFETs ได้รับการประดิษฐ์ด้วยรูปทรงเรขาคณิตอุปกรณ์ต่างๆ
[24] มะเดื่อ 1 แสดงให้เห็นถึงโครงสร้าง OFET กับประตูด้านล่าง / ด้านล่าง
เรขาคณิตติดต่อ หลักการทำงานของ OLEFET จะขึ้นอยู่กับ
การฉีดพร้อมกันของอิเล็กตรอนและหลุมลงไปในชั้น orambipolar คู่โดยการปรับแต่งของประตูแหล่งที่มาและแหล่งที่มาระบาย
แรงดันไฟฟ้า ค่าใช้จ่ายสะสมเป็นศูนย์เมื่อเงื่อนไข biasing
ดังกล่าวว่ามีศักยภาพที่จุดในช่องบางเท่ากับ
ประตูที่มีศักยภาพ ดังนั้นที่จุดนี้อิเล็กตรอนและหลุม
ชั้นสะสมหายไป (รูปที่ 1). การก่อ exciton เกิดขึ้นใกล้กับ
จุดนี้และผ่อนคลายของรังสีเอ็กซิตอนเหล่านี้เพื่อพื้นดิน
ของรัฐนำไปสู่การปล่อยแสง แม้ว่าแนวคิดพื้นฐานของ
OLEFET วันที่กลับไป 1996 [25], การพัฒนาของ OLEFETs ยังคง
อยู่ในขั้นตอนแรกค่อนข้าง.
OLEFET แรกที่ได้รับการพิสูจน์โดย Hepp และคณะ [26] และ
อยู่บนพื้นฐานของ tetracene สูญญากาศระเหยเป็นสารกึ่งตัวนำอินทรีย์.
ตั้งแต่การสาธิตครั้งแรกนี้ OLEFETs ได้รับการประดิษฐ์
โดยใช้โพลีเมอ [27,28], โมเลกุลขนาดเล็ก [29-31], heterostructure
ของ p- และชนิดเอ็น เซมิคอนดักเตอร์อินทรีย์ [32-37] และ ambipolar
เซมิคอนดักเตอร์พอลิเมอ [38,39] เมื่อเร็ว ๆ นี้ Muccini และคณะ รายงาน
ประสิทธิภาพควอนตัมภายนอกสูง 5% โดยใช้ heterostructure trilayer
อุปกรณ์ประกอบด้วยชั้นเปล่งแสงคั่น
ระหว่างชนิดพีและชั้นชนิดเอ็น [40].
โพลิเมอร์ที่ใช้ในการผัน OLEFETs ควรมีทั้ง
การเคลื่อนย้ายสนามผลที่ดีเยี่ยมและเปล่งแสงที่ดี ลักษณะ.
เพื่อให้บรรลุการนำสูงโพลิเมอร์ผันสามารถ
เจือสารเคมี [41-43] หรือกลไกไฟฟ้า [43-45].
ในทางตรงกันข้าม, ยาสลบเหนี่ยวนำของสนามไฟฟ้าสถิตผัน
โพลิเมอร์ได้รับรายงานอย่างกว้างขวางในบริบทของ ยื่นอินทรีย์
ทรานซิสเตอร์ผลกระทบ [46,47] ในทางตรงกันข้ามกับสารเคมีและไฟฟ้า
การทดลองเติมความหนาแน่นของผู้ให้บริการในทรานซิสเตอร์สนามผล
อุปกรณ์จะถูกกำหนดโดยแรงดันประตูค่าความหนาแน่นชักนำ.
เพื่อเพิ่มสนามผลยาสลบเหนี่ยวนำหลายกลุ่มได้
นอกจากนี้ยังแสดงให้เห็นว่าการแก้ปัญหา processable อิลิเมอร์ที่เป็นของแข็ง
เช่นเอทิลีนออกไซด์ (PEO) ด้วยการละลายเกลือ Li สามารถ
นำมาใช้เป็นวัสดุประตูฉนวนกันความร้อนในทรานซิสเตอร์ [48-53].
ในหลักการมีสองกลไกพื้นฐานโดยที่
ทรานซิสเตอร์อิเล็ก-รั้วรอบขอบชิดสามารถทำงานได้ เมื่อการประยุกต์ใช้
แรงดันประตูรูปแบบสองชั้นที่ประตูไฟฟ้า / อิเลค
อินเตอร์เฟซ ที่อินเตอร์เฟซเซมิคอนดักเตอร์ / อิเลคสอง
ชั้นสองสามารถรูปแบบประกอบด้วยบริการสะสมใน
เซมิคอนดักเตอร์และเรียกเก็บ oppositely ไอออนในอิเล็กโทร นี้
คือ '' ไฟฟ้าสถิตยาสลบ '' หรือสาขาที่ระบอบการปกครองของผลกระทบ ในบางกรณี
ไอออนจากอิเล็กโทรไม่เจาะเซมิคอนดักเตอร์.
หรือถ้าเซมิคอนดักเตอร์เป็นดูดซึม (ซึ่งอาจจะเป็น
ได้อย่างง่ายดายกรณีที่มีพอลิเมอเซมิคอนดักเตอร์) ไอออนจาก
อิเล็กทริกอิเล็กโทรลิเมอร์จะข้ามเซมิคอนดักเตอร์ / อิเลค
อินเตอร์เฟซและเจาะเข้าไปใน สารกึ่งตัวนำ ในกรณีนี้
ค่าใช้จ่าย (เช่นหลุม) สะสมในสารกึ่งตัวนำที่มีความสมดุล
โดยการแพร่ของ counterions (เช่นแอนไอออน) นี่คือการไฟฟ้า
ระบอบการปกครองยาสลบซึ่งได้รับการที่ดีขึ้นในการทดลอง
ในทรานซิสเตอร์ microelectro เคมีในปี 1980 [54-56].
ผลของไอออนในรุ่นและการขนส่งค่าใช้จ่าย
ในการให้บริการเซมิคอนดักเตอร์ไม่ได้แนวความคิดที่ไม่คุ้นเคย; เป็นครั้งแรกที่
การสาธิตของความไวของทรานซิสเตอร์ศรีไอออนิก
วิธีการแก้ปัญหาที่มีการรายงานมานานกว่า 40 ปีที่ผ่านมา [57] นอกจากนี้
ในปีที่ผ่านมาโพลีเมอเปล่งแสงเซลล์ไฟฟ้า
(LECs) ได้รับการแสดงให้เห็นในการที่ไอออนมือถืออำนวยความสะดวกใน
การฉีดที่มีประสิทธิภาพของอิเล็กตรอนและหลุมเป็นเรืองแสง
เซมิคอนดักเตอร์อินทรีย์โดยยาสลบพอลิเมอสารกึ่งตัวนำ
ในพีแอนด์เอ็นชนิดใกล้กับขั้วบวกและขั้วลบ, ตามลำดับ [58].
พอลิเมอ LECs เป็นพอลิเมอนวนิยายอุปกรณ์เปล่งแสง
ปฏิบัติการบนหลักการของ '' ในแหล่งกำเนิด '' ยาสลบไฟฟ้า,
พื้นแตกต่างจาก OLEDs ซึ่งอยู่บนพื้นฐานที่แท้จริง
สมบัติของพอลิเมอกึ่งตัวนำโคบอลต์ LECs ประกอบด้วย
ผสมผสานลิเมอร์ที่มีส่วนผสมของโพลีเมอผันเรืองแสง,
ไอออนโพลิเมอร์นำและเกลือของไอออนคั่นกลางระหว่าง
อินเดียมดีบุกออกไซด์ (ITO) ขั้วอิเล็กโทรดและโลหะ เมื่อ
นำมาใช้เป็นอคติมากกว่าช่องว่างพลังงานของเรืองแสง
พอลิเมอไอออนแยกตัวจากเกลือยาเสพติดผัน
ชนิดพีลิเมอร์ที่อยู่ใกล้กับขั้วบวกและชนิดเอ็นใกล้แคโทดและ
ชุมทาง P-I-n มีรูปแบบ ' 'ในแหล่งกำเนิด' 'โดยการเติมไฟฟ้า
ในระหว่างการให้น้ำหนัก (รูปที่ 2.) ปฏิกิริยา Anode:
ðppolymerÞþ½Dþ Asolv-½ðppolymerÞ
Xth ðAÞxþxDþþxeð1Þ
แคโทดปฏิกิริยา:
ðppolymerÞþxeþ½Dþ Asolv-½ðppolymerÞ
xðDþÞxþxðAÞð2Þ
ที่DþAเป็นเกลือในอิเล็กโทร ยาสลบใกล้
ขั้วไฟฟ้าโลหะอำนวยความสะดวกในการฉีดค่าใช้จ่ายหลุมลงใน p ประเภท
วัสดุเจือและอิเล็กตรอนเป็นชนิดเอ็นวัสดุเจือ ในฐานะที่เป็น
ร่างในรูป 2, การปล่อยแสงที่เกิดขึ้นในภูมิภาคที่แท้จริง
ระหว่าง p- และชั้น n เจือที่ค่าใช้จ่ายตรงข้าม
ให้บริการ recombine radiatively [58-63].
การใช้อุดมการณ์เดียวกันของ LEC ใน OFETs สามารถนำไปสู่
​​คุณลักษณะใหม่และฟังก์ชันการทำงาน [ 64,65] เนื่องจากการผสม
ไอออนิก / กลไกการนำอิเล็กทรอนิกส์ในพอลิเมอผัน
-conjugated คอมโพสิต Polyelectrolyte, ฟังก์ชันการทำงานเพิ่มเติม
สามารถนำ [66] วัสดุเหล่านี้รวมอิเล็กทรอนิกส์
คุณภาพและแสงของโพลีเมอผันกับ
คุณสมบัติของ polyelectrolytes และทั้งหมดนี้สามารถแก้ไขได้โดย
แรงดันไฟฟ้าที่ประตูประยุกต์ [66-68].
ที่นี่เรารายงานเจือ OFETs ประกอบด้วยเรืองแสงผัน
โพลีโพลีเมอ [2-methoxy-5 - (3 ', 7'-dimethyloctyloxy) -1,4-
phenylenevinylene] (MDMO-PPV) ผสมกับอิเล็กโทรลิเมอร์
โพลี (เอทิลีนออกไซด์) (PEO) รวมถึงลิเธียม trifluoromethanesulfonate
(LiCF3SO3) เป็นชั้นที่ใช้งานและ benzocyclobutane (BCB) ในฐานะ
อิเล็กทริกประตู บทบาทของผู้ให้บริการค่าใช้จ่ายอิออนในชั้นที่ใช้งาน
ของ OFETs ได้รับการแสดงให้เห็นโดยการตรวจสอบรายละเอียด optoelectronic
ลักษณะ.
2 สภาพ Experimentainert กับความหนาของชั้นอิเล็กทริกอย่างต่อเนื่อง
ให้ค่าของ e อิเล็กทริกคงที่ของ 2.6 และความจุ
Ci 1.3
nF / cm2 ต่อไปนี้การบ่ม BCB แหล่งที่มาติดต่อด้านล่าง
และขั้วไฟฟ้าท่อระบายน้ำประกอบด้วย 60 นาโนเมตร Au ถูกระเหยภายใต้
สูญญากาศสูง (106 Torr) ผ่านหน้ากากเงา ช่องทาง
ความยาว (L) และความกว้างช่อง (W) ของอุปกรณ์เป็น 30 มิลลิเมตรและ
5 มมตามลำดับ พอลิเมอผัน MDMO-PPV และ
อิเล็กโทรลิเมอร์ประกอบด้วยโพลี (เอทิลีนออกไซด์) (PEO) และ
ลิเธียม trifluoromethanesulfonate (Li triflate) ที่ได้รับจาก
บริษัท Sigma-Aldrich จำกัด MDMO-PPV, PEO และหลี่ triflate ถูกผสม
5: 5: 1 โดยน้ำหนักและละลายในไพริดีนเพื่อสร้างโซลูชั่นต้นแบบ
ของความเข้มข้น 1% (w / v).
2.2 ลักษณะอุปกรณ์
มั่นคงของรัฐในปัจจุบันการวัดแรงดันได้ดำเนินการ
ที่อุณหภูมิห้องโดยใช้การวิเคราะห์ Agilent E5273A พารา
กับสองหน่วยแหล่งที่มาวัดและการปล่อยแสง
ความเข้มที่ตรวจพบพร้อมกันโดย photomultiplier
วางไว้เหนืออุปกรณ์ หน่วย Keithley 236 แหล่งที่มาวัด
เครื่องมือยังเป็นลูกจ้างที่จะใช้ในการส่องสว่าง ทุก
วัดที่ได้รับการดำเนินการที่อัตราการสแกน 1 V s /
สเปกตรัม electroluminescence ถูกบันทึกโดยสเปกสอบเทียบ
(Spectra สแกน PR-655, ภาพถ่ายวิจัย, CA) เรืองแสง
วัดได้ดำเนินการกับ Horiba
Yobin Ivon Fluorolog-3 spectrafluorometer กระจาย
การปล่อยแสงของอุปกรณ์ในการดำเนินงานที่ถ่ายด้วย
กล้องดิจิตอลผ่านกล้องจุลทรรศน์ ทั้งการผลิตอุปกรณ์
และลักษณะได้ดำเนินการในกล่องเก็บของใต้
บรรยากาศไนโตรเจนด้วยน้ำพีพีเอ็ม o1 และปริมาณออกซิเจน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ofets ได้ประดิษฐ์อุปกรณ์ต่าง ๆที่มี
[ 24 ] รูปที่ 1 แสดงให้เห็นถึงการ ofet โครงสร้างด้านล่างประตูด้านล่าง
ติดต่อเรขาคณิต หลักการทำงานของ olefet ขึ้นอยู่กับ
ฉีดพร้อมกันของอิเล็กตรอนและหลุมในชั้น orambipolar คู่ โดยการปรับแต่งของประตู–แหล่งที่มาและแหล่งระบาย–
นั้น สะสมค่าเป็นศูนย์เมื่อขยายเงื่อนไข
เช่นว่าอาจเกิดขึ้นในบางจุดในช่องเท่ากับ
ประตูที่มีศักยภาพ ดังนั้น ณจุดนี้ อิเล็กตรอนและหลุม
สะสมชั้นหายไป ( รูปที่ 1 ) การพัฒนา exciton เกิดขึ้นใกล้
จุดนี้และผ่อนคลายของ excitons radiative เหล่านี้พื้น
รัฐนำไปสู่แสงออกมา แม้ว่าแนวคิดพื้นฐานของ
olefet วันที่กลับไปปี 1996 [ 25 ]การพัฒนา olefets ยังอยู่ในขั้นที่ค่อนข้างเร็ว
.
olefet แรกถูกแสดงโดยเฮ็ป et al . [ 26 ]
จากสุญญากาศระเหย tetracene เป็นสารกึ่งตัวนำอินทรีย์ .
ตั้งแต่การสาธิตแรกนี้ olefets ได้รับการประดิษฐ์
โดยใช้พอลิเมอร์ [ 27,28 ] , โมเลกุลขนาดเล็ก [ 29 31 ] ,
p และโครงสร้างของสารกึ่งตัวนำอินทรีย์ทั่วไป [ 32 - 37 ] และ ambipolar
พอลิเมอร์ที่ใช้สารกึ่งตัวนำ [ 38,39 ] เมื่อเร็วๆ นี้ muccini et al . รายงาน
สูงภายนอกประสิทธิภาพควอนตัม 5% โดยใช้โครงสร้างของอุปกรณ์ที่ประกอบด้วย trilayer

ชั้นเปล่งแสงที่อยู่ระหว่างชั้นและพีทั่วไป [ 40 ] .
และพอลิเมอร์ที่ใช้ใน olefets ควรมีทั้งสนามผลการเคลื่อนไหว และดียอดเยี่ยม

เปล่งแสงของเพื่อให้บรรลุความนำไฟฟ้าสูง และพอลิเมอร์สามารถ
เจือเคมี [ 41 – 43 ] หรือใช้กลไก [ 43 - 45 ] .
บนมืออื่น ๆ , สนามไฟฟ้าสถิตการโด๊ปของ conjugated
พอลิเมอร์ได้รับรายงานอย่างกว้างขวางในบริบทของอินทรีย์ยื่นผลทรานซิสเตอร์ [ 46,47 ] ในทางตรงกันข้ามกับทางเคมีและเคมีไฟฟ้า
เวลาทดลองผู้ให้บริการในด้านผลของทรานซิสเตอร์
อุปกรณ์จะถูกกำหนดโดยประตูแรงดันเหนี่ยวนำประจุไฟฟ้า .
เพื่อเพิ่มเขตข้อมูลผลกระทบจากการเติมหลายกลุ่มมี
ยังแสดงว่าสารละลายพอลิเมอร์อิเล็กโทรไลต์ชนิดแข็ง processable
เช่น polyethylene , ออกไซด์ ( PEO ) กับเกลือละลาย ลี สามารถ
ใช้เป็นฉนวนประตูในทรานซิสเตอร์ [ วัสดุ 48 - 53 ] .
ในหลักการมีพื้นฐานสองกลไกซึ่ง
อิเล็กโทรไลต์– gated ทรานซิสเตอร์สามารถทำงานได้ เมื่อโปรแกรมของ
แรงดันหลัก รูปแบบชั้นคู่ไฟฟ้าที่ประตู / อิเล็กโทร
อินเตอร์เฟซ ในสารกึ่งตัวนำ / อิเล็กโทรอินเตอร์เฟซที่สอง
สองชั้นสามารถฟอร์มประกอบด้วยผู้สะสมใน
เซมิคอนดักเตอร์และคิดในทางตรงข้ามกัน ไอออนในอิเล็กโทรไลต์ นี้
คือ ' การ ' ' หรือ 'electrostatic ระบอบผลสนาม ในบางกรณี
ไอออนจากอิเล็กโทรไลต์ไม่เจาะ ( .
หรือถ้าสารกึ่งตัวนำ permeable ( ซึ่งสามารถได้อย่างง่ายดาย กรณีที่มีการซื้อ

) ไอออนพอลิเมอร์อิเล็กโทรไลต์จากฉนวนจะข้ามสารกึ่งตัวนำ / อิเล็กโทร
อินเตอร์เฟซและเจาะเข้าไปในสารกึ่งตัวนำ ในกรณีนี้
ค่าใช้จ่าย ( เช่นหลุม ) ที่สะสมในตัวมีความสมดุล
โดยการแพร่กระจายของ counterions เช่น ( แอน ) นี้เป็นระบบการเติมไฟฟ้า

ซึ่งมีชื่อเสียงในการทดลองใน microelectro เคมีทรานซิสเตอร์ในปี 54 – [ 56 ] .
ผลของไอออนในการผลิตและการขนส่งค่าใช้จ่าย
พาหะในสารกึ่งตัวนำไม่ได้เป็นแนวคิดที่ไม่คุ้นเคย ; แรก
การสาธิตของความไวของซีทรานโซลูชั่นไอออน
รายงานกว่า 40 ปีที่ผ่านมา [ 57 ] นอกจากนี้ ใน ปี ล่าสุด เปล่งแสง
โพลีเมอร์เซลล์ electrochemical
( lecs ) ได้แสดงให้เห็นในที่ประจุเคลื่อนที่อำนวยความสะดวก
ฉีดที่มีประสิทธิภาพของอิเล็กตรอนและหลุมในสารกึ่งตัวนำอินทรีย์เรืองแสง

โดยการเติมพอลิเมอร์กึ่งตัวนำในระดับทั่วไปและใกล้แอโนดและแคโทดตามลำดับ [ 58 ] .
พอลิเมอร์พอลิเมอร์ lecs เป็นนวนิยายที่หน้าอุปกรณ์
ปฏิบัติการบนหลักการของ ' ถ้า ' ' ชนิดไฟฟ้าการเติม
โดยทั่วไปแตกต่างจาก oleds ซึ่งจะขึ้นอยู่กับคุณสมบัติของโลหะในสารประกอบกึ่งตัวนำภายใน
โพลิเมอร์ lecs ประกอบด้วย
พอลิเมอร์ผสมที่มีเรืองแสงและพอลิเมอร์ ,
ไอออนและไอออนโพลิเมอร์นําเกลือกระหนาบระหว่าง
อินเดียมทินออกไซด์ ( ITO ) และขั้วไฟฟ้าที่ทำด้วยโลหะ เมื่อ
ใช้อคติมากกว่าช่องว่างพลังงานของพอลิเมอร์เรืองแสง
, ไอออนทางใจจากยาม้าเกลือ conjugated
พอลิเมอร์พีใกล้แอโนดและแคโทดทั่วไปใกล้และ
p –ฉัน– N Junction มีรูปแบบ ' ถ้า ' ' โดยการเติม
ชนิดไฟฟ้าในระหว่างการขยาย ( รูปที่ 2 ) ปฏิกิริยาที่ขั้วบวก :
ð ppolymer Þþ½ D þ asolv - ½ð ppolymer Þ
x þðเป็นÞ x þ XD þþ XE ð 1 Þ
ขั้วลบปฏิกิริยา :
ð ppolymer Þþ XE þ½ D þ asolv - ½ð ppolymer Þ
x ð D þÞ x þ x ðเป็น Þð 2 Þ
ที่ D þเป็นเกลือในอิเล็กโทรไลต์ เติมใกล้ขั้วไฟฟ้าโลหะ ทำให้ค่า

ฉีดหลุมเป็นพีด้วยวัสดุและอิเล็กตรอนในทั่วไปด้วยวัสดุ โดย
ร่างในรูป 2การเปล่งแสงเกิดขึ้นในภายในเขต
ระหว่าง P และ n-doped ชั้นที่ผู้ให้บริการคิดค่า
ตรงข้ามแขก radiatively [ 58 - 63 ] .
ใช้อุดมการณ์เดียวกันของเล็กใน ofets สามารถนำไปสู่
คุณสมบัติใหม่และฟังก์ชัน [ 64,65 ] เพราะการผสม
ไอออน / อิเล็กทรอนิกส์นำกลไกและพอลิเมอร์ชนิดคอมโพสิต ( conjugated
,
ฟังก์ชันเพิ่มเติมสามารถแนะนำ [ 66 ] วัสดุเหล่านี้รวมอิเล็กทรอนิกส์
และคุณภาพแสงของผลิตภัณฑ์พอลิเมอร์ด้วย
คุณสมบัติของ polyelectrolytes และทั้งหมดนี้สามารถแก้ไขได้โดยการใช้แรงดันประตู [
66 และ 68 ] .
มารายงานด้วย ofets ประกอบด้วยผลิตภัณฑ์พอลิเมอร์พอลิ [ 2-methoxy-5 เรืองแสง
- ( 3 ' , 4 ' - dimethyloctyloxy ) - 1 , 4 -
phenylenevinylene ] ( mdmo ( PPV ) ผสมกับ
อิเล็กโทรไลต์พอลิเมอร์พอลิเอธิลีนออกไซด์ ) ( PEO ) รวมทั้งลิเธียม trifluoromethanesulfonate
( licf3so3 ) เป็นชั้นที่ใช้งาน และ benzocyclobutane ( BCB )
ประตูฉนวน . บทบาทของไอออนประจุพาหะในงานของชั้น
ofets ได้รับการพิสูจน์โดยการตรวจสอบลักษณะของ Optoelectronic
.
2 experimentainert สภาพกับความหนาของชั้นอิเล็กทริกอย่างต่อเนื่อง
ให้คุณค่าของวิตามินอีค่าไดอิเล็กทริกของ 2.6 และความจุ
CI 1.3 NF / cm2

ต่อไปนี้ BCB การบ่มด้านล่างแหล่ง
ติดต่อกิกะเฮิรตซ์ประกอบด้วย 60 nm หรือถูกระเหยภายใต้สุญญากาศ (
 106 ทอร์ ) ผ่านเงาหน้ากาก ช่อง
ความยาว ( L ) และช่องความกว้าง ( W ) ของอุปกรณ์ 30 มม. และ
5 มิลลิเมตร ตามลำดับ ส่วนผลิตภัณฑ์พอลิเมอร์ mdmo – PPV และ
อิเล็กโทรไลต์พอลิเมอร์ที่ประกอบด้วยพอลิเอธิลีนออกไซด์ ) ( PEO ) และลิเทียม ( Li triflate trifluoromethanesulfonate

) ที่ได้รับจากบริษัทฯ mdmo ซิกม่า Aldrich PPV PEO และ Li , triflate ผสม
5:5:1 โดยน้ำหนักและละลายในสารที่สร้างต้นแบบโซลูชั่น
ความเข้มข้น 1% ( w / v )
. . อุปกรณ์การศึกษาที่สภาวะคงตัวและการวัดแรงดันกระแส

ได้ที่อุณหภูมิห้องใช้เลนต์ e5273a เชิงวิเคราะห์
กับสองแหล่งวัดหน่วยและความเข้มแสงเล็ดรอด
ตรวจพร้อมกันโดยพุทธิกา
วางไว้เหนืออุปกรณ์ คีทลีย์ 236 ที่มาวัดหน่วย
มีใช้ใช้ผลแสง ทั้งหมด
วัดมีการปฏิบัติในการสแกนอัตรา 1 V / s
เล็กโทรลูมิเนสเซนซ์สเปกตรัมได้ถูกบันทึกไว้โดยการสอบเทียบเครื่อง
( สามารถสแกน pr-655 รูป , วิจัย , CA ) การวัดแบบได้ด้วย

horiba yobin ivon fluorolog-3 spectrafluorometer . การกระจายของการเปล่งแสงของอุปกรณ์

งานถ่าย โดยกล้องดิจิตอลผ่านกล้องจุลทรรศน์แบบแสง ทั้งอุปกรณ์การผลิต
และการแสดงใน glovebox ภายใต้บรรยากาศไนโตรเจนด้วยน้ำ ppm 01

และปริมาณออกซิเจน