Samarium hexaboride SmB6 has been s

Samarium hexaboride SmB6 has been since many years
considered to be a typical representative of intermediate valence
semiconductors in which the oxidation state of samarium ions
fluctuates between the Sm2þ (4f6
) and Sm3þ (4f5
e5d1
) configurations,
and as a prime example of a narrow-gap Kondo insulator
[1e3]. More than four decades after the pioneering investigations
of Nickerson et al. [4] a large number of detailed and rather
comprehensive studies of SmB6 have been performed. However,
some fundamental properties of SmB6 such as the electrical
transport mechanism (electrical conductivity) at very low temperatures
are still not fully understood. Experimental investigations
on SmB6 (see e.g. [5e12]) have shown that in the energy spectrum
of this material three energy scales and regimes of low temperature
electron kinetics exist. In the range 70K < T < 15 K the properties of
SmB6 are governed by the hybridization gap Eg z 10e20 meV

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ซาแมเรียม hexaboride SmB6 ได้รับมาหลายปีถือว่าเป็นตัวแทนโดยทั่วไปของวาเลนซ์กลางคอนดักเตอร์ที่สถานะออกซิเดชันของไอออนซาแมเรียมผันผวนระหว่างการ Sm2þ (4f6) และ Sm3þ (4f5e5d1) ค่าและ เป็นตัวอย่างที่เป็นช่องว่างแคบคอนโดฉนวนกันความร้อน[1e3] กว่าสี่สิบปีหลังจากการสืบสวนผู้บุกเบิกรายละเอียดเป็นจำนวนมากของ Nickerson et al. [4] และการการศึกษาที่ครอบคลุมของ SmB6 อย่างไรก็ตามบางคุณสมบัติพื้นฐานของ SmB6 เช่นการไฟฟ้ากลไกการขนส่ง (ไฟฟ้า) ที่อุณหภูมิต่ำมากจะยังไม่เข้าใจ ตรวจสอบการทดลองบน SmB6 (ดูเช่น [5e12]) ได้แสดงที่ในคลื่นพลังงานเครื่องชั่งพลังงานวัสดุสามและระบอบของอุณหภูมิต่ำมีอิเล็กตรอนจลนพลศาสตร์ ในช่วง 70K < < 15 K T คุณสมบัติของSmB6 อยู่ภายใต้การ hybridization ช่องว่าง Eg z 10e20 meV

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ซาแมเรียม hexaboride smb6 มีมาตั้งแต่หลายปีถือว่าเป็นตัวแทนทั่วไปของความจุกลางสารกึ่งตัวนำซึ่งในภาวะออกซิเดชันของไอออน ซาแมเรียมผันผวนระหว่าง SM2 þ ( 4f6) และ sm3 þ ( 4f5e5d1) การตั้งค่าคอนฟิกและตัวอย่างที่เฉพาะของแคบช่องว่าง คอนโดะ ฉนวน[ 1e3 ] กว่าสี่ทศวรรษที่ผ่านมาหลังจากการบุกเบิกของนิเคอร์สัน et al . [ 4 ] เป็นจำนวนมากของรายละเอียดและค่อนข้างครอบคลุมการศึกษา smb6 ได้รับการปฏิบัติ อย่างไรก็ตามคุณสมบัติพื้นฐานบางอย่างของ smb6 เช่นไฟฟ้ากลไกการขนส่ง ( ค่าการนำไฟฟ้าที่อุณหภูมิต่ำมากยังไม่เข้าใจ การสืบสวนการทดลองใน smb6 ( ดูเช่น [ 5e12 ] ) ได้แสดงให้เห็นว่าในสเปกตรัมพลังงานของวัสดุนี้พลังงาน 3 ระดับและระบอบการปกครองของอุณหภูมิต่ำอิเล็กตรอนแบบมีตัวตน ในช่วง 70 < t < 15 K คุณสมบัติของsmb6 ถูกควบคุมโดยช่องว่าง ( เช่น Z 10e20 MeV