X-ray diffraction patterns of the Z

X-ray diffraction patterns of the ZnO nanorods grown on the
ZnO–PVA seed layers (on silicon substrates) annealed at different
temperatures, ranging from 250 ◦C to 550 ◦C and are shown in Fig. 5.
The X-ray diffraction patterns match the wurtzite hexagonal phase
of ZnO. All the peaks correspond to the ZnO phase, except for the
two peaks at 44.5◦ and 64.4◦,which are related to the silicon carbide
of theXRDsample holder. Fig. 5(a and b) shows the X-ray diffraction
patterns of the ZnO nanorods grown on seeded substrates annealed
at 250 ◦C and 350 ◦C, respectively. These patterns reveal that the
ZnO nanorods were randomly oriented on the substrates, as seen
in the FESEM images (Fig. 6(a and b)). Fig. 5c for sample C exhibits

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

รูปแบบการเลี้ยวเบนเอ็กซ์เรย์ของ nanorods ZnO ที่ปลูกใน
ZnO – PVA เมล็ดชั้น (บนพื้นผิวซิลิกอน) annealed ที่แตกต่างกัน
อุณหภูมิ ตั้งแต่ 250 ◦C ถึง 550 ◦C และแสดงใน Fig. 5.
ระยะหกเหลี่ยม wurtzite ตรงกับรูปแบบการเลี้ยวเบนเอ็กซ์เรย์
ของ ZnO ยอดทั้งหมดสอดคล้องกับระยะ ZnO ยกเว้นการ
สองยอดที่ 44.5◦ และ 64.4◦ที่เกี่ยวข้องกับซิลิคอนไฮไดรด์
ของเจ้า theXRDsample Fig. 5(a and b) แสดงการเลี้ยวเบนเอ็กซ์เรย์
รูปแบบของ nanorods ZnO ที่เติบโตบนพื้นผิว seeded annealed
250 ◦C และ 350 ◦C ตามลำดับ รูปแบบเหล่านี้เปิดเผยที่
ZnO nanorods ได้สุ่มมุ่งเน้นบนพื้นผิว แก๊ป
ในรูป FESEM (Fig. 6(a and b)) จัดแสดง fig. 5 c สำหรับตัวอย่าง C

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

X-ray รูปแบบการเลี้ยวเบนของแท่งนาโนซิงค์ออกไซด์ที่ปลูกใน
ZnO-PVA ชั้นเมล็ดพันธุ์ (บนพื้นผิวซิลิกอน) อบที่แตกต่างกัน
อุณหภูมิตั้งแต่ 250 ◦ C ถึง 550 ◦ C และมีการแสดงในรูปที่ 5
X-ray รูปแบบการเลี้ยวเบนตรงกับช่วงหกเหลี่ยม wurtzite
ของซิงค์ออกไซด์ ยอดทั้งหมดสอดคล้องกับขั้นตอนการซิงค์ออกไซด์ยกเว้น
สองยอดที่ 44.5 และ 64.4 ◦◦ซึ่งเกี่ยวข้องกับซิลิกอนคาร์ไบด์
ของผู้ถือ theXRDsample มะเดื่อ 5 (a และ b) แสดงให้เห็น X-เรย์เลนส์
รูปแบบของแท่งนาโนซิงค์ออกไซด์ที่ปลูกบนพื้นผิวเมล็ดอบ
ที่ 250 ◦ C และ 350 ◦ C ตามลำดับ รูปแบบเหล่านี้เผยให้เห็นว่า
แท่งนาโนซิงค์ออกไซด์ถูกเชิงสุ่มบนพื้นผิวเท่าที่เห็น
ในภาพ FESEM (รูปที่ 6 (a และ b)) มะเดื่อ 5c กับการจัดแสดงนิทรรศการ C ตัวอย่าง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รูปแบบการเลี้ยวเบนรังสีเอ็กซ์ของ ZnO nanorods ปลูกบน
ZnO และ PVA เมล็ดพันธุ์ชั้น ( บนพื้นผิวซิลิกอน ) อบที่อุณหภูมิแตกต่างกัน
ตั้งแต่ 250 ◦ C 550 ◦ C และจะแสดงในรูปที่ 5 .
รูปแบบการเลี้ยวเบนรังสีเอ็กซ์ตรงกับ wurtzite หกเหลี่ยมเฟส
ของเช่นกัน ยอดทั้งหมดสอดคล้องกับซิงค์ออกไซด์ ( ยกเว้น
สองยอดที่◦ 44.5 และ◦ 64.4 ,ซึ่งเกี่ยวข้องกับซิลิคอนคาร์ไบด์
ผู้ thexrdsample . ภาพที่ 5 ( A และ B ) แสดงการเลี้ยวเบนของรังสีเอกซ์
รูปแบบของซิงค์ออกไซด์บนพื้นผิว nanorods ปลูกเมล็ดอบ
◦ C 250 และ 350 ◦องศาเซลเซียส ตามลำดับ รูปแบบเหล่านี้พบว่า ZnO nanorods
สุ่มเชิงบนพื้นผิวอย่างที่เห็น
ใน fesem ภาพ ( ภาพที่ 6 ( A และ B ) รูปที่ 5 ตัวอย่าง C มา