3.19. The DTL NAND Gate shown in Fi

3.19. The DTL NAND Gate shown in Figure 3.11 is constructed using a Silicon BJT described by F = 75 and the following circuit elements:

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

3.19 เกต NAND DTL การแสดงในรูปที่ 3.11 ถูกสร้างโดยใช้ภูมิใจซิลิคอนที่อธิบาย โดย F = 75 และองค์ประกอบของวงจรต่อไปนี้:

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

3.19 DTL NAND ประตูแสดงในรูปที่ 3.11 จะถูกสร้างโดยใช้ซิลิกอน BJT อธิบายโดย f = 75 และองค์ประกอบวงจรต่อไปนี้:

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

3.19 . การ dtl และประตูที่แสดงในรูปที่ 3.11 ถูกสร้างโดยใช้ซิลิคอนเชิงบรรยายโดย F = 75 และวงจรองค์ประกอบต่อไปนี้ :