It is possible to increase ion occu

It is possible to increase ion occupancy within a CNT by placing a rim of partial charges at the NT ends. In molecular dynamics simulations Joseph et al57 demonstrated a fourfold increase in ion occupancy in a CNT 2.2 nm in diameter and 1.3 nm long, using a partial charge of ±0.38 e placed at the NT rim atoms. Fornasiero et al37 were able to control ion transport through fabricated CNT pores 0.8 to 2.6 nm in diameter embedded in a Si3N4 matrix. Following Joseph et al, their NT ends were terminated with negatively charged carboxylic groups. By varying the solution pH they were able to modulate the NT tip charges so that the membrane would either reject ions or permeate ions. In addition, they found that an increase in the number of multivalent ions in the solution decreased the rejection capability toward monovalent ions.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

สามารถเพิ่มขึ้นสำหรับไอออนภายในบริษัทที่วางริมค่าธรรมเนียมบางส่วนที่ปลาย NT ได้ ในการจำลองโมเลกุล dynamics โจเซฟ et al57 แสดงการเพิ่ม fourfold สำหรับไอออนใน 2.2 บริษัทนาโนเมตรเส้นผ่านศูนย์กลางและ 1.3 ยาว ใช้ค่าธรรมเนียมบางส่วนของอี ±0.38 nm อยู่ในอะตอมริม NT Fornasiero al37 มีความสามารถในการควบคุมการขนส่งไอออนผ่านประกอบบริษัทรูขุมขนกับ 0.8 2.6 nm เส้นผ่านศูนย์กลางฝังอยู่ในเมทริกซ์ Si3N4 ร้อยเอ็ด ต่อโจเซฟ et al ปลายของ NT ได้สิ้นสุดลงด้วยส่งคิดกลุ่ม carboxylic โดยแก้ปัญหา pH ที่แตกต่างกัน พวกเขาถูกต้อง modulate ค่าแนะนำ NT เพื่อให้เยื่อจะปฏิเสธกัน หรือ permeate ประจุ นอกจากนี้ พวกเขาพบว่า การเพิ่มขึ้นของจำนวนประจุ multivalent ในการแก้ปัญหาลดลงความสามารถในการปฏิเสธต่อประจุ monovalent

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

มันเป็นไปได้ที่จะเพิ่มอัตราการเข้าพักไอออนภายใน CNT โดยการวางขอบของค่าใช้จ่ายบางส่วนที่ปลาย NT ในการเปลี่ยนแปลงโมเลกุลจำลองโจเซฟและ AL57 แสดงให้เห็นถึงการเพิ่มขึ้นสี่เท่าในการเข้าพักไอออนใน CNT 2.2 นาโนเมตรและมีขนาดเส้นผ่าศูนย์กลาง 1.3 นาโนเมตรยาวโดยใช้ค่าใช้จ่ายบางส่วนของ± 0.38 E อยู่ที่อะตอมขอบ NT Fornasiero al37 และมีความสามารถในการควบคุมการขนส่งไอออนผ่าน CNT ประดิษฐ์รูขุมขน 0.8-2.6 นาโนเมตรเส้นผ่าศูนย์กลางที่ฝังอยู่ในเมทริกซ์ Si3N4 ต่อไปนี้โจเซฟและคณะปลาย NT ของพวกเขาสิ้นสุดลงด้วยประจุลบกลุ่มคาร์บอกซิ โดยการเปลี่ยนแปลงค่า pH วิธีการแก้ปัญหาที่พวกเขามีโอกาสที่จะปรับค่าใช้จ่ายปลาย NT เพื่อให้ทั้งเมมเบรนจะปฏิเสธไอออนหรือซึมไอออน นอกจากนี้พวกเขาพบว่าการเพิ่มจำนวนของไอออน multivalent ในการแก้ปัญหาลดลงความสามารถในการปฏิเสธต่อการ monovalent ไอออน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

มันเป็นไปได้ที่จะเพิ่มจำนวนของไอออนภายใน CNT โดยวางริมค่าใช้จ่ายบางส่วนที่ NT สิ้นสุด ในการจำลองพลศาสตร์เชิงโมเลกุล โจเซฟ และ al57 แสดงเพิ่มขึ้นสี่เท่าในการครอบครองไอออนใน CNT 2.2 nm ในเส้นผ่าศูนย์กลางและ 1.3 nm นาน ใช้ค่าใช้จ่ายบางส่วนของ± 0.38 E อยู่ที่ NT ริมอะตอม fornasiero et al37 สามารถควบคุมไอออนการขนส่งผ่านประดิษฐ์ CNT รู 08 เส้นผ่าศูนย์กลาง 2.6 นาโนเมตรดิฟที่ฝังอยู่ในเมทริกซ์ ต่อไปนี้โจเซฟ et al , NT สิ้นสุดถูกยกเลิกด้วยประจุลบเป็นหมู่กลุ่ม โดยการเปลี่ยนแปลงพีเอช พวกเขาสามารถปรับใช้ค่าใช้จ่ายเพื่อให้ปลายแผ่นจะให้ปฏิเสธหรือซึมไอออนไอออน นอกจากนี้พวกเขาพบว่า การเพิ่มจำนวนของไอออนในสารละลายลดลงมัลติวาเลนต์ปฏิเสธความสามารถต่อไอออนกัด .