- ข้อความ
- ประวัติศาสตร์
Copper interconnects in microchips
Copper interconnects in microchips are currently formed by Cu
electrodeposition. With the trend of future device miniaturization, the copper interconnect dimensions will shrink, requiring a drastic change in the current state-of-the-art interconnect metallization process. The major technology hurdles include: i) non-uniformity of Cu seed layer deposited by physical vapor deposition (PVD) on the barrier and ii) deteriorated electromigration resistance of Cu interconnects. A technology under development relies on vapor deposition of a uniform ruthenium (Ru) layer on the barrier, followed by electroless deposition of a thin and continuous Cu seed layer on Ru.
In this thesis, we report an electroless bath that enables deposition of copper-manganese (Cu-Mn) alloy film. Incorporating Mn with Cu is attractive due to ability of Mn to improve Cu's electromigration resistance. Results show the Mn incorporated is mobile, a requisite for its application in interconnect metallization. Electrochemical and Quartz Crystal Microbalance (QCM) measurements indicate that the mechanism of Mn incorporation during electroless Cu deposition is most likely the underpotential deposition of Mn on Cu.
electrodeposition. With the trend of future device miniaturization, the copper interconnect dimensions will shrink, requiring a drastic change in the current state-of-the-art interconnect metallization process. The major technology hurdles include: i) non-uniformity of Cu seed layer deposited by physical vapor deposition (PVD) on the barrier and ii) deteriorated electromigration resistance of Cu interconnects. A technology under development relies on vapor deposition of a uniform ruthenium (Ru) layer on the barrier, followed by electroless deposition of a thin and continuous Cu seed layer on Ru.
In this thesis, we report an electroless bath that enables deposition of copper-manganese (Cu-Mn) alloy film. Incorporating Mn with Cu is attractive due to ability of Mn to improve Cu's electromigration resistance. Results show the Mn incorporated is mobile, a requisite for its application in interconnect metallization. Electrochemical and Quartz Crystal Microbalance (QCM) measurements indicate that the mechanism of Mn incorporation during electroless Cu deposition is most likely the underpotential deposition of Mn on Cu.
0/5000
Copper interconnects in microchips are currently formed by Cuelectrodeposition. With the trend of future device miniaturization, the copper interconnect dimensions will shrink, requiring a drastic change in the current state-of-the-art interconnect metallization process. The major technology hurdles include: i) non-uniformity of Cu seed layer deposited by physical vapor deposition (PVD) on the barrier and ii) deteriorated electromigration resistance of Cu interconnects. A technology under development relies on vapor deposition of a uniform ruthenium (Ru) layer on the barrier, followed by electroless deposition of a thin and continuous Cu seed layer on Ru.In this thesis, we report an electroless bath that enables deposition of copper-manganese (Cu-Mn) alloy film. Incorporating Mn with Cu is attractive due to ability of Mn to improve Cu's electromigration resistance. Results show the Mn incorporated is mobile, a requisite for its application in interconnect metallization. Electrochemical and Quartz Crystal Microbalance (QCM) measurements indicate that the mechanism of Mn incorporation during electroless Cu deposition is most likely the underpotential deposition of Mn on Cu.
การแปล กรุณารอสักครู่..
Copper interconnects in microchips are currently formed by Cu
electrodeposition. With the trend of future device miniaturization, the copper interconnect dimensions will shrink, requiring a drastic change in the current state-of-the-art interconnect metallization process. The major technology hurdles include: i) non-uniformity of Cu seed layer deposited by physical vapor deposition (PVD) on the barrier and ii) deteriorated electromigration resistance of Cu interconnects. A technology under development relies on vapor deposition of a uniform ruthenium (Ru) layer on the barrier, followed by electroless deposition of a thin and continuous Cu seed layer on Ru.
In this thesis, we report an electroless bath that enables deposition of copper-manganese (Cu-Mn) alloy film. Incorporating Mn with Cu is attractive due to ability of Mn to improve Cu's electromigration resistance. Results show the Mn incorporated is mobile, a requisite for its application in interconnect metallization. Electrochemical and Quartz Crystal Microbalance (QCM) measurements indicate that the mechanism of Mn incorporation during electroless Cu deposition is most likely the underpotential deposition of Mn on Cu.
electrodeposition. With the trend of future device miniaturization, the copper interconnect dimensions will shrink, requiring a drastic change in the current state-of-the-art interconnect metallization process. The major technology hurdles include: i) non-uniformity of Cu seed layer deposited by physical vapor deposition (PVD) on the barrier and ii) deteriorated electromigration resistance of Cu interconnects. A technology under development relies on vapor deposition of a uniform ruthenium (Ru) layer on the barrier, followed by electroless deposition of a thin and continuous Cu seed layer on Ru.
In this thesis, we report an electroless bath that enables deposition of copper-manganese (Cu-Mn) alloy film. Incorporating Mn with Cu is attractive due to ability of Mn to improve Cu's electromigration resistance. Results show the Mn incorporated is mobile, a requisite for its application in interconnect metallization. Electrochemical and Quartz Crystal Microbalance (QCM) measurements indicate that the mechanism of Mn incorporation during electroless Cu deposition is most likely the underpotential deposition of Mn on Cu.
การแปล กรุณารอสักครู่..
ทองแดงเชื่อมในไมโครชิพ ซึ่งเกิดขึ้นโดย CU
อิเล็กโทร . กับแนวโน้มของ miniaturization อุปกรณ์ในอนาคต ทองแดง 3 มิติจะหดตัว โดยการเปลี่ยนแปลงที่รุนแรงใน ปัจจุบัน รัฐ - of - the - art กระบวนการงานเชื่อม . อุปสรรคเทคโนโลยีหลัก ได้แก่ฉัน ) ประกอบทองแดงเมล็ดพันธุ์ชั้นเข้าบัญชีสะสมไอทางกายภาพ ( PVD ) เกี่ยวกับอุปสรรคและ 2 ) เสื่อมลง electromigration ความต้านทานของทองแดงเชื่อม . เทคโนโลยีในการพัฒนา ต้องอาศัยไอคำให้การของพยานของรูทีเนียมเครื่องแบบ ( ru ) ชั้นบนกั้น ตามด้วยการตกสะสมของอุตสาหกรรมการผลิตของบางและต่อเนื่องกับเมล็ดพันธุ์ชั้นรุ
ในวิทยานิพนธ์ฉบับนี้เรารายงานอาบน้ำในอุตสาหกรรมการผลิตที่ช่วยให้การสะสมของทองแดงและแมงกานีส ( Cu Mn ) โลหะผสมฟิล์ม ผสมผสานกับจุฬาฯ และเป็นที่น่าสนใจเนื่องจากความสามารถของ Mn Cu เป็น electromigration เพื่อปรับปรุงความต้านทาน ผลลัพธ์ที่ได้แสดงให้เห็นว่ากลุ่มรวมมือถือ สิ่งจำเป็นสำหรับการประยุกต์ใช้ในงานเชื่อม .ไฟฟ้าเคมีและควอทซ์คริสตัล microbalance ( QCM ) วัดบ่งชี้ว่ากลไกของ MN ประสานระหว่างอุตสาหกรรมการผลิตทองแดงสะสมเป็นส่วนใหญ่ underpotential สะสมแมงกานีสทองแดง .
อิเล็กโทร . กับแนวโน้มของ miniaturization อุปกรณ์ในอนาคต ทองแดง 3 มิติจะหดตัว โดยการเปลี่ยนแปลงที่รุนแรงใน ปัจจุบัน รัฐ - of - the - art กระบวนการงานเชื่อม . อุปสรรคเทคโนโลยีหลัก ได้แก่ฉัน ) ประกอบทองแดงเมล็ดพันธุ์ชั้นเข้าบัญชีสะสมไอทางกายภาพ ( PVD ) เกี่ยวกับอุปสรรคและ 2 ) เสื่อมลง electromigration ความต้านทานของทองแดงเชื่อม . เทคโนโลยีในการพัฒนา ต้องอาศัยไอคำให้การของพยานของรูทีเนียมเครื่องแบบ ( ru ) ชั้นบนกั้น ตามด้วยการตกสะสมของอุตสาหกรรมการผลิตของบางและต่อเนื่องกับเมล็ดพันธุ์ชั้นรุ
ในวิทยานิพนธ์ฉบับนี้เรารายงานอาบน้ำในอุตสาหกรรมการผลิตที่ช่วยให้การสะสมของทองแดงและแมงกานีส ( Cu Mn ) โลหะผสมฟิล์ม ผสมผสานกับจุฬาฯ และเป็นที่น่าสนใจเนื่องจากความสามารถของ Mn Cu เป็น electromigration เพื่อปรับปรุงความต้านทาน ผลลัพธ์ที่ได้แสดงให้เห็นว่ากลุ่มรวมมือถือ สิ่งจำเป็นสำหรับการประยุกต์ใช้ในงานเชื่อม .ไฟฟ้าเคมีและควอทซ์คริสตัล microbalance ( QCM ) วัดบ่งชี้ว่ากลไกของ MN ประสานระหว่างอุตสาหกรรมการผลิตทองแดงสะสมเป็นส่วนใหญ่ underpotential สะสมแมงกานีสทองแดง .
การแปล กรุณารอสักครู่..
ภาษาอื่น ๆ
การสนับสนุนเครื่องมือแปลภาษา: กรีก, กันนาดา, กาลิเชียน, คลิงออน, คอร์สิกา, คาซัค, คาตาลัน, คินยารวันดา, คีร์กิซ, คุชราต, จอร์เจีย, จีน, จีนดั้งเดิม, ชวา, ชิเชวา, ซามัว, ซีบัวโน, ซุนดา, ซูลู, ญี่ปุ่น, ดัตช์, ตรวจหาภาษา, ตุรกี, ทมิฬ, ทาจิก, ทาทาร์, นอร์เวย์, บอสเนีย, บัลแกเรีย, บาสก์, ปัญจาป, ฝรั่งเศส, พาชตู, ฟริเชียน, ฟินแลนด์, ฟิลิปปินส์, ภาษาอินโดนีเซี, มองโกเลีย, มัลทีส, มาซีโดเนีย, มาราฐี, มาลากาซี, มาลายาลัม, มาเลย์, ม้ง, ยิดดิช, ยูเครน, รัสเซีย, ละติน, ลักเซมเบิร์ก, ลัตเวีย, ลาว, ลิทัวเนีย, สวาฮิลี, สวีเดน, สิงหล, สินธี, สเปน, สโลวัก, สโลวีเนีย, อังกฤษ, อัมฮาริก, อาร์เซอร์ไบจัน, อาร์เมเนีย, อาหรับ, อิกโบ, อิตาลี, อุยกูร์, อุสเบกิสถาน, อูรดู, ฮังการี, ฮัวซา, ฮาวาย, ฮินดี, ฮีบรู, เกลิกสกอต, เกาหลี, เขมร, เคิร์ด, เช็ก, เซอร์เบียน, เซโซโท, เดนมาร์ก, เตลูกู, เติร์กเมน, เนปาล, เบงกอล, เบลารุส, เปอร์เซีย, เมารี, เมียนมา (พม่า), เยอรมัน, เวลส์, เวียดนาม, เอสเปอแรนโต, เอสโทเนีย, เฮติครีโอล, แอฟริกา, แอลเบเนีย, โคซา, โครเอเชีย, โชนา, โซมาลี, โปรตุเกส, โปแลนด์, โยรูบา, โรมาเนีย, โอเดีย (โอริยา), ไทย, ไอซ์แลนด์, ไอร์แลนด์, การแปลภาษา.
- ขอโทษสำหรับวันนี้ที่ชวนคุณมาเหนื่อย.
- สมาชิกสภาองค์การบริหารส่วนตำบล
- อ่างเก็บน้ำ
- soy sauce
- I told you already At 16:15pm that I sen
- การนำความรู้ที่ได้เรียนไปใช้หรือปรับปรุง
- เราจะไม่พูดเรื่องไม่ดี
- A precious country.
- Everything will be finish soon.
- รอเดี๋ยวนะ เดี๋ยวกลับมา
- อยู่กันอย่างนี้นานๆนะ
- ส่งผลโดยตรงกับภาพลักษณ์การท่องเที่ยว
- Year Round Sunshine
- DO YOU NEED ANY MONEY? NO, THANK YOU. I
- วันนี้ เป็นวันดีอีกวันหนึ่งที่หิมะตก
- Shall we meet and discuss to form the te
- แตก ร้าว
- ตื่นขึ้นมาก็ไปซื้อกับข้าวที่ตลาดเพื่อเตร
- chores
- เพราะเขาลาออกโดยไม่เคลียร์
- capacity
- we hope all is well
- What do you think?
- 2. เลือกน้ำสลัดสูตรที่ชอบ ผสมทุกอย่างให้
